【PD- 95139开关电源MOSFET应用l开关模式电源（SMPS ）l不间断电源l高速电源开关lL】,IC型号IRF830ALPBF,IRF830ALPBF PDF资料,IRF830ALPBF经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD- 95139

开关电源MOSFET

应用

l

开关模式电源（SMPS ）

l

不间断电源

l

高速电源开关

l

LEAD -FREE

好处

l

低栅极电荷Qg结果简单

驱动要求

l

改进的门，雪崩和动态

的dv / dt坚固

l

充分界定电容和

雪崩电压和电流

l

有效Coss规定（见AN 1001 ）

IRF830AS/LPbF

HEXFET

功率MOSFET

V

DSS

500V

R

DS （ ON）

最大

1.40

I

D

5.0A

D

2

PAK

TO-262

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

5.0

3.2

20

3.1

74

0.59

± 30

5.3

-55到+ 150

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

A

W

W / ℃，

V

V / ns的

°C

典型SMPS拓扑：

l

两个管正激

半桥和全桥

笔记

通过

在第10页

www.irf.com

1

04/21/04

IRF830AS/LPbF

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

I

DSS

I

GSS

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。

500

–––

2.0

–––

典型值。

–––

0.60

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

–––

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安？

1.4

V

GS

= 10V ，我

D

= 3.0A

4.5

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

25

V

DS

= 500V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 400V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

100

V

GS

= 30V

nA

-100

V

GS

= -30V

MAX 。单位

条件

–––

S

V

DS

= 50V ，我

D

= 3.0A

24

I

D

= 5.0A

6.3

NC V

DS

= 400V

11

V

GS

= 10V ，参照图6和13

–––

V

DD

= 250V

–––

I

D

= 5.0A

ns

–––

R

G

= 14

–––

R

D

= 49Ω ，参照图10

–––

V

GS

= 0V

–––

V

DS

= 25V

–––

pF

= 1.0MHz的，见图。五

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 400V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至400V

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

g

fs

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。

2.8

–––

典型值。

–––

10

21

15

620

93

4.3

886

27

39

雪崩特性

参数

E

AS

I

AR

E

AR

单脉冲雪崩能量????

雪崩电流

重复性雪崩能量？

典型值。

–––

马克斯。

230

5.0

7.4

单位

mJ

A

mJ

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

结到外壳

结到环境（ PCB安装，稳态） *

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

典型值。

–––

马克斯。

1.7

40

单位

° C / W

二极管的特性

分钟。典型值。马克斯。单位

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

2

条件

D

MOSFET符号

5.0

––– –––

展示

A

G

整体反转

20

––– –––

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.5

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 5.0A ，V

GS

= 0V

––– 430 650

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 5.0A

––– 2.0 3.0

μC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

www.irf.com

IRF830AS/LPbF

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

10

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

顶部

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

100

10

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

1

0.1

4.5V

20μs的脉冲宽度

T = 25℃

J

°

1

10

100

4.5V

0.01

0.1

20μs的脉冲宽度

T = 150℃

J

°

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.5

I

D

= 5.0A

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

2.0

10

T

J

= 150

°

C

T

J

= 25

°

C

1

1.5

1.0

0.5

0.1

4.0

V DS = 50V

20μs的脉冲宽度

7.0

5.0

6.0

8.0

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 10V

0

20

40

60

80 100 120 140 160

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRF830AS/LPbF

10000

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

=

C

国际空间站

=

C

RS s

=

C

OSS

=

0V,

F = 100万赫兹

C

的s

+ C

克

, C

S

SHO RTE

C

gd

C

ds

+ C

gd

20

I

D

= 5.0A

16

C，电容（pF ）

1000

V

DS

= 400V

V

DS

= 250V

V

DS

= 100V

C

国际空间站

12

100

C

OS s

8

10

4

C

RSS

1

10

100

1000

A

0

测试电路

见图13

16

20

0

4

8

12

24

V

S

，D RA在对-S环境允许的V oltage （ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

I

D

，漏电流（ A）

10us

10

T

J

= 150

°

C

100us

1ms

10ms

1

T

J

= 25

°

C

0.1

0.2

V

GS

= 0 V

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

0.1

T

C

= 25 ° C

T

J

= 150 ° C

单脉冲

10

100

1000

10000

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRF830AS/LPbF

5.0

V

DS

V

GS

R

D

4.0

R

G

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

-

V

DD

3.0

10V

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

2.0

图10A 。

开关时间测试电路

1.0

V

DS

90%

0.0

25

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度

( °C)

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

0.0001

0.001

0.01

0.00001

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.1

P

DM

t

1

t

2

1

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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5

IRF830AS ， IRF830AL ， SiHF830AS ， SiHF830AL

Vishay Siliconix公司

功率MOSFET

产品概述

V

DS

(V)

R

DS （ ON）

（最大）（ Ω ）

Q

g

（最大值）（ NC ）

Q

gs

（ NC ）

Q

gd

（ NC ）

CON组fi guration

V

GS

= 10 V

24

6.3

11

单身

D

特点

500

1.40

低栅极电荷Q

g

结果简单驱动

需求

改进的门，雪崩和动态dv / dt的

耐用性

可用的

RoHS指令*

柔顺

充分界定电容和雪崩电压

和电流

有效的C

OSS

特定网络版

铅（Pb），免费提供

I

2

PAK

(TO-262)

D

2

PAK

(TO-263)

应用

开关模式电源（SMPS ）

G

·不间断电源

高速电源开关

G

S

D

G

D

S

典型SMPS拓扑

S

N沟道

MOSFET

双管正激

半桥和全桥

订购信息

包

铅（Pb ） - 免费

SNPB

记

一。请参阅设备的方向。

D

2

PAK （ TO-263 ）

IRF830ASPbF

SiHF830AS-E3

IRF830AS

SiHF830AS

D

2

PAK （ TO-263 ）

IRF830ASTRLPbF

a

SiHF830ASTL-E3

a

IRF830ASTRL

a

SiHF830ASTL

a

I

2

PAK （ TO- 262 ）

IRF830ALPbF

SiHF830AL-E3

IRF830AL

SiHF830AL

绝对最大额定值

T

C

= 25 ℃，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

脉冲漏

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

B，E

雪崩电流

a

Repetiitive雪崩能量

a

最大功率耗散

峰值二极管恢复的dv / dt

C，E

工作结存储温度范围

焊接建议（峰值温度）

T

A

= 25 °C

T

C

= 25 °C

当前

A，E

V

GS

在10 V

T

C

= 25 °C

T

C

= 100 °C

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

E

AS

I

AR

E

AR

P

D

dv / dt的

T

J

, T

英镑

10秒

极限

500

± 30

5.0

3.2

20

0.59

230

5.0

7.4

3.1

74

5.3

- 55至+ 150

300

d

单位

V

A

W / ℃，

mJ

A

mJ

W

V / ns的

°C

笔记

一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。

B 。起始物为

J

= 25 ° C，L = 18 mH的，R

G

= 25

Ω,

I

AS

= 5.0 A（见图12 ）。

C.我

SD

≤

5.0 A， di / dt的

≤

370 A / μs的，V

DD

≤

V

DS

, T

J

≤

150 °C.

。 1.6毫米的情况。

。使用SiHF830A数据和试验条件。

*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免

文档编号： 91062

S- 81352 -REV 。 A， 16军08

www.vishay.com

1

IRF830AS ， IRF830AL ， SiHF830AS ， SiHF830AL

Vishay Siliconix公司

热电阻额定值

参数

最大结到环境（PCB

安装，稳态）

a

最大结至外壳（漏）

符号

R

thJA

R

thJC

典型值。

-

马克斯。

40

1.7

单位

° C / W

记

一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。

特定网络阳离子

T

J

= 25 ℃，除非另有说明

参数

STATIC

漏源击穿电压

V

DS

温度COEF网络cient

门源阈值电压

栅源漏

零栅极电压漏极电流

漏源导通电阻

正向跨导

动态

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

漏源体二极管特性

连续源极 - 漏极二极管电流

脉冲二极管正向

体二极管电压

体二极管反向恢复时间

体二极管反向恢复电荷

向前开启时间

当前

a

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

MOSFET符号

展示

整体反转

P - N结二极管

D

符号

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

V

DS

ΔV

DS

/T

J

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

R

DS （ ON）

g

fs

V

GS

= 0 V，I

D

= 250 A

参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

d

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250 A

V

GS

= ± 30 V

V

DS

= 500 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= 400 V, V

GS

= 0 V ，T

J

= 125 °C

V

GS

= 10 V

I

D

= 3.0 A

b

V

DS

= 50 V，I

D

= 3.0 A

d

500

-

2.0

-

2.8

-

0.60

-

4.5

± 100

25

250

1.4

-

V

V /°C的

V

nA

A

Ω

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

F = 1.0兆赫，见图。五

d

V

DS

= 1.0 V，F = 1.0 MHz的

V

GS

= 0 V

V

DS

= 400 V ， F = 1.0 MHz的

V

DS

= 0 V至400 V

C，D

V

GS

= 10 V

I

D

= 5.0 A，V

DS

= 400 V,

参见图。 6和13

B，D

-

620

93

4.3

886

27

39

-

10

21

15

-

24

6.3

11

-

ns

nC

pF

V

DD

= 250 V，I

D

= 5.0 A,

R

G

= 14

Ω,

R

D

= 49

Ω,

参见图。 10

B，D

-

430

2.0

5.0

A

20

1.5

650

3.0

V

ns

C

G

S

T

J

= 25 ° C，I

S

= 5.0 A，V

GS

= 0 V

b

T

J

= 25 ° C，I

F

= 5.0 A， di / dt的= 100 A / μs的

B，D

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

和L

D

)

笔记

一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。

B 。脉冲宽度

≤

300微秒;占空比

≤

2 %.

c. C

OSS

EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C

OSS

而V

DS

上升，从0至80 ％的V

DS

.

。使用SiHF830A数据和试验条件。

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2

文档编号： 91062

S- 81352 -REV 。 A， 16军08

IRF830AS ， IRF830AL ， SiHF830AS ， SiHF830AL

Vishay Siliconix公司

典型特征

25 ℃，除非另有说明

100

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

10

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

10

T

J

= 150

°

C

1

T

J

= 25

°

C

1

0.1

4.5V

0.01

0.1

20μs的脉冲

宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

0.1

4.0

V

DS = 50V

20μs的脉冲

宽度

5.0

6.0

7.0

8.0

V

DS

，漏 - 源

电压

(V)

图。 1 - 典型的输出特性

V

GS

，栅 - 源

电压

(V)

图。 3 - 典型的传输特性

100

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

2.5

I

D

= 5.0A

2.0

10

1.5

1.0

1

4.5V

0.5

0.1

1

10

20μs的脉冲

宽度

T

J

= 150

°

C

100

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 10V

0

20

40

60

80

100 120 140 160

V

DS

，漏 - 源

电压

(V)

图。 2 - 典型的输出特性

T

J

，结温（

°

C)

图。 4 - 归通电阻与温度的关系

文档编号： 91062

S- 81352 -REV 。 A， 16军08

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3

IRF830AS ， IRF830AL ， SiHF830AS ， SiHF830AL

Vishay Siliconix公司

10000

C，电容（pF ）

1000

C

国际空间站

I

SD

，反向漏电流（ A）

V

GS

=

C

国际空间站

=

C

RS s

=

C

OSS

=

0V,

F = 100万赫兹

C

的s

+ C

克

, C

S

SHO RTE

C

gd

C

ds

+ C

gd

100

10

100

T

J

= 150

°

C

OSS

1

10

T

J

= 25

°

C

RSS

1

10

100

1000

A

0.1

0.2

V

GS

= 0

V

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

V

S

，D RA在对-S环境允许

V

olta GE （ V）

图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压

V

SD

，源极到漏极

电压

(V)

图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压

20

I

D

= 5.0A

V

DS

= 400V

V

DS

= 250V

V

DS

= 100V

100

V

GS

，栅 - 源

电压

(V)

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

10us

10

100us

16

12

8

I

D

，漏电流（ A）

1ms

1

10ms

4

0

4

8

12

测试电路

见图13

16

20

24

0.1

T

C

= 25 ° C

T

J

= 150 ° C

单脉冲

10

100

1000

10000

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压

V

DS

，漏 - 源

电压

(V)

图。 8 - 最高安全工作区

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文档编号： 91062

S- 81352 -REV 。 A， 16军08

IRF830AS ， IRF830AL ， SiHF830AS ， SiHF830AL

Vishay Siliconix公司

R

D

5.0

V

DS

V

GS

D.U.T.

+

-

V

DD

4.0

R

G

I

D

，漏电流（ A）

10

V

3.0

脉冲

宽度

≤

1

s

占空比

≤

0.1

%

图。 10A - 开关时间测试电路

2.0

V

DS

1.0

90

%

0.0

25

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度

( °C)

10

%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度

图。 10B - 开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

P

DM

0.1

0.05

t

1

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.001

0.01

0.1

1

0.01

0.00001

0.0001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

15

V

DS

t

p

V

DS

L

司机

R

G

20

V

t

p

D.U.T.

I

AS

0.01

Ω

+

A

-

V

DD

I

AS

图。 12A - 非钳位感应测试电路

图。 12B - 松开电感的波形

文档编号： 91062

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