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PD - 95505

应用

高频DC- DC转换器

UPS和电机控制

LEAD -FREE

开关电源MOSFET

IRF8010PbF

HEXFET

功率MOSFET

DSS

100V

DS （ ON）

最大

15m

80A

好处

低栅极 - 漏极电荷降低

开关损耗

充分界定电容含

有效的C

OSS

为简化设计，（见

应用程序。注AN1001 ）

充分界定雪崩电压

和电流

典型

DS （ ON）

= 12m

TO-220AB

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

马克斯。

320

260

1.8

± 20

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

-55 + 175

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

300 （ 1.6毫米从案例）

1.1(10)

牛顿米（磅英寸）

热阻

参数

θJC

θCS

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

0.57

–––

单位

° C / W

笔记

通过

是第8页

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07/06/04

IRF8010PbF

静态@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

（ BR ） DSS

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。典型值。马克斯。单位

100

–––

2.0

–––

0.11

–––

4.0

250

200

-200

条件

= 0V时，我

= 250A

V / ℃参考至25℃ ，我

= 1毫安

毫欧V

= 10V ，我

= 45A

= V

, I

= 250A

= 100V, V

= 0V

= 100V, V

= 0V ，T

= 125°C

= 20V

= -20V

动态@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

政府飞行服务队

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

OSS

EFF 。

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

130

120

3830

480

3830

280

530

–––

120

–––

= 80A

= 80V

= 10V

= 50V

= 80A

= 39

= 10V

= 0V

= 25V

条件

= 25V ，我

= 45A

= 1.0MHz的

= 0V, V

= 1.0V ， = 1.0MHz的

= 0V, V

= 80V ， = 1.0MHz的

= 0V, V

= 0V至80V

雪崩特性

参数

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

典型值。

–––

马克斯。

310

单位

重复性雪崩能量

–––

460

二极管的特性

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

320

1.3

150

700

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

= 25 ° C，I

= 80A ，V

= 0V

= 150℃，我

= 80A ，V

= 50V

的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的

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IRF8010PbF

10000

顶部

VGS

15V

12V

10V

6.0V

5.5V

5.0V

4.5V

4.0V

1000

顶部

VGS

15V

12V

10V

6.0V

5.5V

5.0V

4.5V

4.0V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

1000

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

100

底部

4.0V

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

0.1

100

20μs的脉冲宽度

TJ = 175℃

0.1

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

3.5

= 80A

ID ，漏 - 源电流

(Α

)

T J = 175℃

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

3.0

2.5

100

（归一化）

2.0

T J = 25°C

1.5

1.0

VDS = 50V

20μs的脉冲宽度

2.0

4.0

6.0

8.0

10.0

12.0

14.0

16.0

0.5

= 10V

0.0

-60

-40

-20

100 120 140 160 180

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

，结温

(

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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IRF8010PbF

100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C GS + Cgd的，C DS短路

CRSS = Cgd的

COSS =硫化镉+ Cgd的

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

ID = 80A

VDS = 80V

VDS = 50V

VDS = 20V

10000

C，电容（pF ）

西塞

1000

科斯

100

CRSS

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q g总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

10000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100

= 175

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

1000

，反向漏电流（ A）

100

100sec

1msec

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

10msec

= 25

= 0 V

0.1

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

0.1

100

1000

VDS ，漏极至源极电压（ V）

，源极到漏极电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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不限按包

10V

D.U.T.

，漏电流（ A）

脉冲宽度

≤ 1

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

90%

100

125

150

175

，外壳温度（ ° C）

10%

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

D（上）

D（关闭）

图10B 。

开关时间波形

thJC

)

热响应

D = 0.50

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.占空比系数D =

2.峰值牛逼

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

/ t

= P

X Z

thJC

0.1

0.20

0.1

0.10

0.05

0.02

0.01

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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