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PD - 97173
IRF7855PbF
应用
l
在桥拓扑初级侧开关
在通用输入（ 36-75Vin ）隔离
DC- DC转换器
l
在推挽式初级侧开关
拓扑18-36Vin隔离DC -DC
转换器
l
次级侧同步
整流开关的15Vout
l
适用于48V非隔离
同步降压DC- DC应用
好处
l
低栅极到漏极电荷降低
开关损耗
l
充分界定电容含
有效的C
OSS
为简化设计， （见
应用程序。注AN1001 ）
l
充分界定雪崩电压
和电流
HEXFET
功率MOSFET
V
DSS
60V
R
DS （ ON）
最大
9.4米： @VGS = 10V
I
D
12A
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
A
A
D
D
D
D
6
5
顶视图
SO-8
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
dv / dt的
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
最大功率耗散
线性降额因子
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
马克斯。
60
± 20
12
8.7
97
2.5
0.02
9.9
-55到+ 150
单位
V
A
c
e
W
W / ℃，
V / ns的
°C
h
存储温度范围
热阻
参数
R
θJL
R
θJA
结到漏极引线
结到环境（印刷电路板安装）
典型值。
马克斯。
20
50
单位
° C / W
ei
–––
–––
笔记
通过
是第8页
www.irf.com
1
01/05/06
IRF7855PbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
60
–––
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
72
7.4
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
9.4
4.9
20
250
100
-100
nA
V
m
V
A
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 12A
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
毫伏/ ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
f
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
分钟。典型值。马克斯。单位
14
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
26
6.8
9.6
8.7
13
16
12
1560
440
120
1910
320
520
–––
39
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
pF
ns
nC
S
I
D
= 7.2A
V
DS
= 30V
V
GS
= 10V
V
DD
= 30V
I
D
= 7.2A
R
G
= 6.2
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
条件
V
DS
= 25V ，我
D
= 7.2A
f
f
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 48V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至48V
马克斯。
540
7.2
g
雪崩特性
E
AS
I
AR
d
单位
mJ
A
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
33
38
2.3
A
97
1.3
50
57
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
S
D
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 7.2A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 7.2A ，V
DD
= 25V
的di / dt = 100A / μs的
f
f
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
2
www.irf.com
IRF7855PbF
100
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
100
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
底部
1
4.5V
1
0.1
4.5V
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS ，漏极至源极电压（ V）
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
0.1
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
10
100
1000
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID = 12A
VGS = 10V
10
T J = 150℃
1.5
1
T J = 25°C
1.0
VDS = 15V
≤60s
脉冲宽度
0.1
3
4
5
6
7
8
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
T J ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRF7855PbF
10000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C GS + Cgd的，C DS短路
CRSS = C GD
COSS =硫化镉+ Cgd的
12.0
ID = 7.2A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
C，电容（pF ）
西塞
1000
科斯
VDS = 48V
VDS = 30V
VDS = 12V
CRSS
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
5
10
15
20
25
30
QG ，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100sec
10
T J = 150℃
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
10
1msec
T J = 25°C
1
1
0.1
VGS = 0V
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VSD ，源极到漏极电压（V ）
T A = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
0
1
10
10msec
100
1000
0.01
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRF7855PbF
12
V
DS
R
D
10
ID ，漏电流（ A）
V
GS
R
G
10V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
D.U.T.
+
8
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
10%
V
GS
-
V
DD
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
90%
T A ，环境温度（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
环境温度
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
100
10
热响应（Z thJA ）
1
0.1
0.01
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
τ
J
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
τ
A
τ
A
RI（ ° C / W）
τi
（秒）
6.734
0.027848
27.268
16.003
1.3813
53
τ
1
τ
2
τ
3
CI-
τi /日
CI-
τi /日
0.001
单脉冲
（热反应）
0.0001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
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5
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IS621K20
IR1176SS
IRKN71-16A
IDT74FCT574CTSO
ISD17210XY01
IPP062NE7N3
IS62WV20488ALL
ICS477R-05I
IT8705AF
ISD17120SYIR01
ISL3179EIRZ
IDT74FCT16543ETPFB
IXFN32N80P
ILC6380CP-25
IRKK91-04
IDT7217L35F
IS80LV51-24WI
IDT54FCT541ATLB
ICL3222EIB
IRHG58110
供货商
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批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    IRF7855PBF
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IRF7855PBF
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SOIC-8
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江苏芯钻时代电子科技有限公司
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联系人：陈先生
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IRF7855PBF
Infineon Technologies
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5000
8-SOIC (0.154\
原装正品现货
深圳市银芯龙科技有限公司
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电话：13510131896
联系人：欧阳
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IRF7855PBF
IR
20+
20500
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只做原装公司现货
深圳市向鸿伟业电子有限公司
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联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
IRF7855PBF
INFINEON/英飞凌
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9580
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十年芯路！只有原装！优势MOS场效应管
深圳市晶美隆科技有限公司销售一部
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电话：0755-83209630 82519391
联系人：许小姐
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
IRF7855PBF
IR
24+
15372
SO-8
全新原装正品现货热卖
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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10000
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IR
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一级代理专营，原装现货，价格优势
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电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IRF7855PBF
INF
24+
8420
SOIC8
全新原装现货，原厂代理。
深圳市深科创科技有限公司
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电话：0755-83247290
联系人：吴先生/吴小姐/李小姐
地址：深圳市福田区航都大厦17F1
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INTERNATIONAL RECTIFIER
23+
4530
原厂原封装
绝对进口原装，公司现货
深圳市裕硕科技有限公司
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电话：0755-23613962/82706142
联系人：雷小姐
地址：深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
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