PD - 97172
IRF7854PbF
应用
l
在大桥或双初级侧开关
使用48V开关正激拓扑结构
（ ± 10 ％）或36V至60V范围内ETSI投入。
l
次级侧同步
整流开关的12VOUT
l
适用于48V非隔离
同步降压DC- DC应用
好处
l
低栅极到漏极电荷降低
开关损耗
l
充分界定电容含
有效的C
OSS
为简化设计，
（见附录说明AN1001 ）
l
充分界定雪崩电压
和电流
HEXFET
功率MOSFET
V
DSS
80V
R
DS （ ON）
最大
13.4米： @VGS = 10V
I
D
10A
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
A
A
D
D
D
D
6
5
顶视图
SO-8
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
dv / dt的
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
最大功率耗散
线性降额因子
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
马克斯。
80
± 20
10
7.9
79
2.5
0.02
11
-55到+ 150
单位
V
A
c
W
W / ℃，
V / ns的
°C
h
存储温度范围
热阻
参数
R
θJL
R
θJA
结到漏极引线
结到环境（印刷电路板安装）
典型值。
马克斯。
20
50
单位
° C / W
ei
–––
–––
笔记
通过
是第8页
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1
01/05/06
IRF7854PbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
80
–––
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
0.095
11
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
13.4
4.9
20
250
100
-100
nA
V
m
V
A
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
f
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
分钟。典型值。马克斯。单位
12
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
27
7.7
8.7
9.4
8.5
15
8.6
1620
350
86
1730
230
410
–––
41
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
pF
ns
nC
S
I
D
= 6.0A
V
DS
= 40V
V
GS
= 10V
V
DD
= 40V
I
D
= 6.0A
R
G
= 6.2
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
条件
V
DS
= 25V ，我
D
= 6.0A
f
f
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 64V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至64V
马克斯。
110
6.0
g
雪崩特性
E
AS
I
AR
d
单位
mJ
A
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
43
76
2.3
A
79
1.3
65
110
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
S
D
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 6.0A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 6.0A ，V
DD
= 25V
的di / dt = 100A / μs的
f
f
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
2
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IRF7854PbF
100
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
100
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
10
底部
1
底部
0.1
1
5.0V
0.01
5.0V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
0.001
0.1
1
10
100
1000
V DS ，漏极至源极电压（ V）
0.1
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
10
100
1000
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID = 10A
VGS = 10V
10
T J = 150℃
1.5
T J = 25°C
1
VDS = 25V
≤60s
脉冲宽度
0.1
4
5
6
7
8
1.0
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
T J ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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