【PD - 94761IRF7834HEXFET功率MOSFET应用l同步MOSFET用于笔记本处理器】,IC型号IRF7834,IRF7834 PDF资料,IRF7834经销商,ic,电子元器件-51电子网

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PD - 94761

IRF7834

HEXFET

功率MOSFET

应用

l

同步MOSFET用于笔记本

处理器电源

l

同步整流MOSFET的

在隔离式DC -DC转换器

网络系统

好处

l

非常低R

DS （ ON）

在4.5V V

GS

l

超低栅极阻抗

l

充分界定雪崩电压

和电流

l

20V V

GS

马克斯。门评级

V

DSS

R

DS （ ON）

最大

QG （典型值）。

29nC

30V 4.5米： @V

GS

= 10V

S

S

S

G

1

8

A

A

D

D

D

D

2

7

3

6

4

5

顶视图

SO-8

绝对最大额定值

参数

V

DS

V

GS

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

A

= 70°C

T

J

T

英镑

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

马克斯。

30

± 20

19

16

160

2.5

1.6

0.02

-55到+ 150

单位

V

f

功耗

f

功耗

c

A

W

线性降额因子

工作结

存储温度范围

W / ℃，

°C

热阻

R

θJL

R

θJA

g

结到环境

fg

结到漏极引线

参数

典型值。

–––

–––

马克斯。

20

50

单位

° C / W

笔记

通过

在第10页

www.irf.com

1

2/26/04

IRF7834

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

BV

DSS

ΒV

DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

政府飞行服务队

Q

g

Q

gs1

Q

gs2

Q

gd

Q

godr

Q

sw

Q

OSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

栅极阈值电压系数

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

正向跨导

总栅极电荷

预Vth的栅极 - 源极充电

后Vth的栅极至源电荷

栅极 - 漏极电荷

栅极电荷过载

切换电荷（Q

gs2

+ Q

gd

)

输出充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。典型值。马克斯。单位

30

–––

–––

–––

1.35

–––

–––

–––

–––

–––

85

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

0.023

3.6

4.4

–––

- 5.2

–––

–––

–––

–––

–––

29

7.5

2.7

9.8

9.0

12.5

19

13.7

14.3

18

5.0

3710

810

350

–––

–––

4.5

5.5

2.25

–––

1.0

150

100

-100

–––

44

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

pF

V

GS

= 0V

V

DS

= 15V

ns

nC

nC

V

DS

= 15V

V

GS

= 4.5V

I

D

= 16A

S

nA

V

毫伏/°C的

A

V

m

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 19A

V

GS

= 4.5V ，我

D

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

e

= 16A

e

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

V

DS

= 15V ，我

D

= 16A

参照图16

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V

V

DD

= 15V, V

GS

= 4.5V

I

D

= 16A

钳位感性负载

e

= 1.0MHz的

雪崩特性

E

AS

I

AR

参数

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

d

典型值。

–––

–––

马克斯。

25

16

单位

mJ

A

二极管的特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

21

13

3.1

A

160

1.0

32

20

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 16A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 16A ，V

DD

= 15V

的di / dt = 100A / μs的

e

e

2

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IRF7834

1000

VGS

10V

4.5V

3.8V

3.5V

3.3V

3.0V

2.8V

BOTTOM 2.5V

顶部

1000

VGS

10V

4.5V

3.8V

3.5V

3.3V

3.0V

2.8V

BOTTOM 2.5V

顶部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

10

10

2.5V

1

2.5V

>为60μs脉冲宽度

TJ = 25°C

>为60μs脉冲宽度

TJ = 150℃

1

0.1

1

10

100

0.1

0.1

1

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000.00

1.5

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

ID ，漏 - 源电流

(Α)

ID = 20A

VGS = 10V

100.00

T J = 150℃

10.00

1.0

1.00

T J = 25°C

0.10

VDS = 10V

>为60μs脉冲宽度

0.01

2.0

3.0

4.0

0.5

-60 -40 -20

0

20

40

60

80 100 120 140 160

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T J ，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRF7834

100000

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

ISS = C GS + C GD ，C DS短路

RSS = C GD

OSS = C DS + C GD

12

ID = 16A

10

8

6

4

2

0

VDS = 24V

VDS = 15V

C，电容（pF ）

10000

西塞

1000

科斯

CRSS

100

1

10

100

0

10

20

30

40

50

60

70

VDS ，漏极至源极电压（ V）

QG总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.0

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

100.0

T J = 150℃

10.0

100

10

1.0

T J = 25°C

VGS = 0V

1

TC = 25°C

TJ = 150℃

单脉冲

0.1

0

1

10

100sec

1msec

10msec

100

1000

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

VSD ，源极到漏极电压（V ）

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRF7834

20

2.2

16

VGS （ TH）栅极阈值电压（ V）

ID ，漏电流（ A）

1.8

12

ID = 250μA

1.4

8

4

0

25

50

75

100

125

150

1.0

-75

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

T J ，结温（ ° C）

T J ，温度（° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

阈值电压与温度的关系

100

D = 0.50

热响应（Z thJA ）

10

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

τ

J

τ

J

τ

1

1

R

1

R

1

τ

2

R

2

R

2

R

3

R

3

τ

3

R

4

R

4

τ

C

τ

τ

4

RI（ ° C / W）

1.1659

9.9439

25.520

13.380

τi

（秒）

0.000184

0.153919

1.7486

49

0.1

τ

1

τ

2

τ

3

τ

4

0.01

单脉冲

（热反应）

CI-

τi /日

次I /日

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthja +锝

0.01

0.1

1

10

100

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

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5

PD - 94761

IRF7834

HEXFET

功率MOSFET

应用

l

同步MOSFET用于笔记本

处理器电源

l

同步整流MOSFET的

在隔离式DC -DC转换器

网络系统

好处

l

非常低R

DS （ ON）

在4.5V V

GS

l

超低栅极阻抗

l

充分界定雪崩电压

和电流

l

20V V

GS

马克斯。门评级

V

DSS

R

DS （ ON）

最大

QG （典型值）。

29nC

30V 4.5米： @V

GS

= 10V

S

S

S

G

1

8

A

A

D

D

D

D

2

7

3

6

4

5

顶视图

SO-8

绝对最大额定值

参数

V

DS

V

GS

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

A

= 70°C

T

J

T

英镑

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

马克斯。

30

± 20

19

16

160

2.5

1.6

0.02

-55到+ 150

单位

V

f

功耗

f

功耗

c

A

W

线性降额因子

工作结

存储温度范围

W / ℃，

°C

热阻

R

θJL

R

θJA

g

结到环境

fg

结到漏极引线

参数

典型值。

–––

–––

马克斯。

20

50

单位

° C / W

笔记

通过

在第10页

www.irf.com

1

2/26/04

IRF7834

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

BV

DSS

ΒV

DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

政府飞行服务队

Q

g

Q

gs1

Q

gs2

Q

gd

Q

godr

Q

sw

Q

OSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

栅极阈值电压系数

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

正向跨导

总栅极电荷

预Vth的栅极 - 源极充电

后Vth的栅极至源电荷

栅极 - 漏极电荷

栅极电荷过载

切换电荷（Q

gs2

+ Q

gd

)

输出充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。典型值。马克斯。单位

30

–––

–––

–––

1.35

–––

–––

–––

–––

–––

85

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

0.023

3.6

4.4

–––

- 5.2

–––

–––

–––

–––

–––

29

7.5

2.7

9.8

9.0

12.5

19

13.7

14.3

18

5.0

3710

810

350

–––

–––

4.5

5.5

2.25

–––

1.0

150

100

-100

–––

44

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

pF

V

GS

= 0V

V

DS

= 15V

ns

nC

nC

V

DS

= 15V

V

GS

= 4.5V

I

D

= 16A

S

nA

V

毫伏/°C的

A

V

m

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 19A

V

GS

= 4.5V ，我

D

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

e

= 16A

e

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

V

DS

= 15V ，我

D

= 16A

参照图16

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V

V

DD

= 15V, V

GS

= 4.5V

I

D

= 16A

钳位感性负载

e

= 1.0MHz的

雪崩特性

E

AS

I

AR

参数

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

d

典型值。

–––

–––

马克斯。

25

16

单位

mJ

A

二极管的特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

21

13

3.1

A

160

1.0

32

20

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 16A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 16A ，V

DD

= 15V

的di / dt = 100A / μs的

e

e

2

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IRF7834

1000

VGS

10V

4.5V

3.8V

3.5V

3.3V

3.0V

2.8V

BOTTOM 2.5V

顶部

1000

VGS

10V

4.5V

3.8V

3.5V

3.3V

3.0V

2.8V

BOTTOM 2.5V

顶部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

10

10

2.5V

1

2.5V

>为60μs脉冲宽度

TJ = 25°C

>为60μs脉冲宽度

TJ = 150℃

1

0.1

1

10

100

0.1

0.1

1

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000.00

1.5

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

ID ，漏 - 源电流

(Α)

ID = 20A

VGS = 10V

100.00

T J = 150℃

10.00

1.0

1.00

T J = 25°C

0.10

VDS = 10V

>为60μs脉冲宽度

0.01

2.0

3.0

4.0

0.5

-60 -40 -20

0

20

40

60

80 100 120 140 160

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T J ，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRF7834

100000

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

ISS = C GS + C GD ，C DS短路

RSS = C GD

OSS = C DS + C GD

12

ID = 16A

10

8

6

4

2

0

VDS = 24V

VDS = 15V

C，电容（pF ）

10000

西塞

1000

科斯

CRSS

100

1

10

100

0

10

20

30

40

50

60

70

VDS ，漏极至源极电压（ V）

QG总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.0

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

100.0

T J = 150℃

10.0

100

10

1.0

T J = 25°C

VGS = 0V

1

TC = 25°C

TJ = 150℃

单脉冲

0.1

0

1

10

100sec

1msec

10msec

100

1000

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

VSD ，源极到漏极电压（V ）

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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20

2.2

16

VGS （ TH）栅极阈值电压（ V）

ID ，漏电流（ A）

1.8

12

ID = 250μA

1.4

8

4

0

25

50

75

100

125

150

1.0

-75

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

T J ，结温（ ° C）

T J ，温度（° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

阈值电压与温度的关系

100

D = 0.50

热响应（Z thJA ）

10

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

τ

J

τ

J

τ

1

1

R

1

R

1

τ

2

R

2

R

2

R

3

R

3

τ

3

R

4

R

4

τ

C

τ

τ

4

RI（ ° C / W）

1.1659

9.9439

25.520

13.380

τi

（秒）

0.000184

0.153919

1.7486

49

0.1

τ

1

τ

2

τ

3

τ

4

0.01

单脉冲

（热反应）

CI-

τi /日

次I /日

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthja +锝

0.01

0.1

1

10

100

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

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