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PD - 94594E

IRF7832

HEXFET

功率MOSFET

应用

同步MOSFET用于笔记本

处理器电源

同步整流MOSFET的

在隔离式DC -DC转换器

网络系统

好处

非常低R

DS （ ON）

在4.5V V

超低栅极阻抗

充分界定雪崩电压

和电流

20V V

马克斯。门评级

100 ％测试RG

DSS

30V

4.0m

= 10V

DS （ ON）

最大

34nC

顶视图

SO-8

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

= 70°C

英镑

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

马克斯。

± 20

160

2.5

1.6

0.02

-55 + 155

单位

W / ℃，

°C

功耗

线性降额因子

工作结

存储温度范围

热阻

参数

θJL

θJA

结到漏极引线

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

单位

° C / W

笔记

通过

在第10页

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06/30/05

IRF7832

静态@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

DSS

ΒV

DSS

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

政府飞行服务队

gs1

gs2

godr

OSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

栅极阈值电压系数

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

正向跨导

总栅极电荷

预Vth的栅极 - 源极充电

后Vth的栅极至源电荷

栅极 - 漏极电荷

栅极电荷过载

切换电荷（Q

gs2

+ Q

)

输出充电

栅极电阻

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

参数

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

1.39

–––

0.023

3.1

3.7

–––

5.7

–––

8.6

2.9

10.5

14.9

1.2

6.7

4310

990

450

–––

4.0

4.8

2.32

–––

1.0

150

100

-100

–––

2.4

–––

典型值。

–––

条件

= 0V时，我

= 250A

V / ℃参考至25℃ ，我

= 1毫安

毫欧V

= 10V ，我

= 20A

= 4.5V ，我

= V

, I

= 250A

= 16A

毫伏/°C的

μA V

= 24V, V

= 0V

= 24V, V

= 0V ，T

= 125°C

= 20V

= -20V

= 15V ，我

= 16A

= 15V

= 4.5V

= 16A

参照图16

= 16V, V

= 0V

= 15V, V

= 4.5V

= 16A

钳位感性负载

= 0V

= 15V

= 1.0MHz的

马克斯。

260

单位

雪崩特性

二极管的特性

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

3.1

160

1.0

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

= 25 ° C，I

= 16A ，V

= 0V

= 25 ° C，I

= 16A ，V

= 10V

的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的

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IRF7832

1000

顶部

VGS

10V

5.0V

4.5V

3.5V

3.0V

2.7V

2.5V

2.25V

1000

顶部

VGS

10V

5.0V

4.5V

3.5V

3.0V

2.7V

2.5V

2.25V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

100

底部

2.25V

0.1

2.25V

20μs的脉冲宽度

TJ = 150℃

0.1

100

1000

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

0.01

0.1

100

1000

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻

2.0

ID ，漏 - 源电流

(Α

)

ID = 16A

VGS = 4.5V

1.5

100

TJ = 150℃

（归一化）

1.0

T J = 25°C

0.5

VDS = 15V

20μs的脉冲宽度

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

0.0

-60 -40 -20

80 100 120 140 160

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T J ，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + C ，C短路

GS GD DS

CRSS = C

COSS =硫化镉+ Cgd的

ID = 16A

VDS = 24V

VDS = 15V

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

100

C，电容（pF ）

10000

西塞

1000

科斯

CRSS

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

QG总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

ISD ，反向漏电流（

)

100

T J = 150℃

T J = 25°C

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

100sec

1msec

TC = 25°C

TJ = 150℃

单脉冲

VDS ，漏极至源极电压（ V）

0.1

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

VGS = 0V

1.2

1.4

1.6

10msec

100

VSD ，源极到漏极电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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VGS （ th）时，栅极阈值电压（ V）

2.5

2.0

ID ，漏电流（ A）

100

125

150

T C ，外壳温度（ ° C）

1.5

ID = 250μA

1.0

0.5

-60 -40 -20

80 100 120 140 160

T J ，温度（° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

阈值电压与温度的关系

100

D = 0.50

热响应（Z thJA ）

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

0.1

单脉冲

（热反应）

0.01

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

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