PD - 93812
PD - 93813
IRF7809/IRF7811
IRF7809/IRF7811
临时数据表
N沟道特定应用的MOSFET
HEXFET
芯片组为DC- DC转换器
S
S
S
G
1
8
7
适用于CPU内核的DC -DC转换器
新
CopperStrap
TM
互连低
电阻和热阻
低传导损耗
低开关损耗
最小化并行MOSFET的高
目前的应用
描述
这些新器件采用先进的HEXFET
动力
MOSFET技术，实现了前所未有的
导通电阻和栅极电荷平衡的。减少
传导和开关损耗使它们非常适用于
高效率的DC- DC转换器供电的最新
代移动微处理器。
该IRF7809 / IRF7811采用了新的
CopperStrap
TM
互连技术率先通过国际
整流器极大地提高了电气&热
封装的电阻贡献。新
CopperStrap
SO- 8功率MOSFET能够
额定电流超过3.5W的17A和功耗
@ 25 ℃的环境条件下，由此减少了需要
对于并联器件，提高效率和
可靠性并降低电路板空间。
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏极或源极
电流（V
GS
≥
4.5V)
漏电流脉冲？
功耗
T
A
= 25°C
T
L
= 90°C
结&存储温度范围
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流？
热阻
参数
最大结点到环境？
最大结对铅
R
θJA
R
θJL
马克斯。
35
20
T
J
, T
英镑
I
S
I
SM
2.5
50
T
A
= 25°C
T
L
= 90°C
I
DM
P
D
符号
V
DS
V
GS
I
D
17.6
16.3
100
3.5
3.0
-55到150
IRF7809
30
±12
A
A
D
D
D
D
2
3
6
4
5
SO-8
T O服务P V IE W
设备额定值
IRF7809
V
DS
R
DS
（上）
Q
G
Q
sw
Q
OSS
30V
7.5 m
77.5 NC
23.9 NC
30 NC
IRF7811
28V
11 m
23 NC
7 NC
31 NC
IRF7811
28
14
13
100
单位
V
A
W
°C
2.5
50
A
单位
° C / W
° C / W
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IRF7809/IRF7811
电气特性
参数
漏 - 源
击穿电压*
静态漏源
在性*
栅极阈值电压*
漏源漏
目前*
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
1.0
30
150
I
GSS
Q
G
Q
G
Q
GS1
Q
GS2
Q
GD
Q
sw
Q
OSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
–
–
–
66.7
59.6
14
4
12.2
18.4
25
1.5
17
10
39
19
7300
900
350
–
–
–
–
–
–
24
30
±100
86.6
77.5
19
17
2.7
1.3
4.5
5.8
26
1.9
10
5
19
8
1800
900
60
–
–
–
pF
V
DS
= 16V, V
GS
= 0
ns
7.0
31
V
DD
= 16V ，我
D
= 15A
V
GS
= 5V
钳位感性负载
V
DS
= 16V, V
GS
= 0
nC
民
30
IRF7809
典型值
–
6
最大
–
7.5
1.0
民
28
IRF7811
典型值
–
9
最大单位
–
11
V
m
V
30
150
±100
23
20.5
nA
A
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 15A
V
DS
= V
GS
,I
D
= 250A
V
DS
= 24V, V
GS
= 0
V
DS
= 24V, V
GS
= 0,
TJ = 100℃
V
GS
= ±12V
V
GS
= 5V ，我
D
= 15A ，V
DS
=16V
V
GS
= 5V, V
DS
＆ LT ; 100mV的
V
DS
= 16V ，我
D
= 15A
目前*
栅源漏
目前*
总闸门变动续FET *
总闸门变动同步FET *
预Vth的
栅极 - 源电荷
后Vth的
栅极 - 源电荷
栅漏电荷
切换变动（Q
gs2
+ Q
gd
)*
输出电荷*
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容C
RSS
源极 - 漏极评级&特点
参数
二极管正向
电压*
反向恢复
充电？
反向恢复
充电（与并行
肖特基） ？
*
民
V
SD
Q
rr
Q
RR （S ）
典型值
最大
1.0
民
典型值
最大单位
1.0
V
nC
条件
I
S
= 15A ?? ，V
GS
= 0V
的di / dt
~
700A/s
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V时，我
S
= 15A
94
82
87
74
的di / dt = 700A / μs的
（有10BQ040 ）
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V时，我
S
= 15A
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2%.
当安装在1平方英寸的铜电路板，T < 10秒。
典型值=测量 - Q
OSS
设备是经过100％测试这些参数。
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SO - 8封装外形
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IRF7809/IRF7811
SO- 8磁带&卷轴信息
尺寸以毫米（英寸）
T E R M IN A L N个U M B ，R 1
1 2.3 ( .4 84 )
1 1.7 ( .4 61 )
8 .1 ( .31 8 )
7 .9 ( .31 2 )
F E E D D IR权证牛逼IO
N 2 O TE S：
1 。 CONTROLL IN GD IM ENS IO N：M IL L IM安静。
2 。 ALLD IM ENS IO NSARESHOWN以M IL L IM ETERS （IN CHES ） 。
3 。 OUTL在ECONFORMSTOE IA -4 8 1 & IA -5 4 1 。
33 0.0 0
(12 .9 92 )
马克斯。
14 .4 0 ( .5 6 6 )
12 .4 0 ( .4 8 8 )
注释：
1 。控制LIN GD IM ENS IO N：M IL L IM安静。
2 。 OUTL在ECON FO RMSTOE IA -48 1 & IA -54 1 。
全球总部：
233堪萨斯街El Segundo的加州90245 ，电话： （ 310 ） 252-7105
IR英国：
赫斯特绿色， Oxted ，萨里RH8 9BB ，英国电话： + 44 1883 732020
IR加拿大：
15林肯苑，宾顿，安大略L6T 3Z2 ，电话： （ 905 ） 453 2200
IR德国：
Saalburgstrasse 157 ， 61350巴特洪堡电话： + 49 6172 96590
IR意大利：
通过利古里亚49 ， 10071保尔格罗，都灵电话： + 39 11 451 0111
IR日本：
。 K&H大厦2楼， 3-30-4西池袋3丁目，丰岛区，东京171-0021日本电话： 81 3 3983 0086
IR东南亚： 1
金声长廊，世界城西塔， 13-11 ，新加坡237994电话： 65 838 4630
IR台湾： 16F ，套房B， 319 ，第2节，敦化南路，台北10673 ，台湾， ROC电话： 886-2-2739-4230
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