【PD - 94707AIRF7807ZHEXFET功率MOSFET应用l控制用FET用于笔记本处理器】,IC型号IRF7807ZTR,IRF7807ZTR PDF资料,IRF7807ZTR经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 94707A

IRF7807Z

HEXFET

功率MOSFET

应用

控制用FET用于笔记本处理器电源

同步整流MOSFET的

显卡POL转换器在

网络与电信

系统

好处

非常低R

DS （ ON）

在4.5V V

超低栅极阻抗

充分界定雪崩电压

和电流

100％测试的R

DSS

30V

DS （ ON）

最大

QG （典型值）。

13.8米： @V

= 10V 7.2nC

顶视图

SO-8

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

= 70°C

英镑

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

马克斯。

± 20

8.7

2.5

1.6

0.02

-55到+ 150

单位

功耗

W / ℃，

°C

线性降额因子

工作结

存储温度范围

热阻

参数

θJL

θJA

结到漏极引线

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

单位

° C / W

笔记

通过

在第10页

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7/1/05

IRF7807Z

DSS

ΒV

DSS

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

政府飞行服务队

gs1

gs2

godr

OSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

静态@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

栅极阈值电压系数

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

正向跨导

总栅极电荷

预Vth的栅极 - 源极充电

后Vth的栅极至源电荷

栅极 - 漏极电荷

栅极电荷过载

切换电荷（Q

gs2

+ Q

)

输出充电

栅极电阻

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

1.35

–––

0.023

14.5

1.8

- 4.7

–––

7.2

2.1

0.7

2.7

1.7

3.4

2.8

2.5

6.9

6.2

3.1

770

190

100

–––

13.8

18.2

2.25

–––

1.0

150

100

-100

–––

4.8

–––

= 0V

= 15V

= 4.5V

= 8.8A

毫伏/°C的

条件

= 0V时，我

= 250A

= 10V ，我

= 11A

= 4.5V ，我

V / ℃参考至25℃ ，我

= 1毫安

= 8.8A

= V

, I

= 250A

= 24V, V

= 0V

= 24V, V

= 0V ，T

= 125°C

= 20V

= -20V

= 15V ，我

= 8.8A

参照图16

= 15V, V

= 0V

= 15V, V

= 4.5V

= 8.8A

钳位感性负载

= 1.0MHz的

雪崩特性

参数

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

典型值。

–––

马克斯。

8.8

单位

二极管的特性

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

3.1

1.0

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

= 25 ° C，I

= 8.8A ，V

= 0V

= 25 ° C，I

= 8.8A ，V

= 15V

的di / dt = 100A / μs的

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IRF7807Z

100

顶部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

10V

8.0V

4.5V

3.8V

3.3V

3.0V

2.8V

BOTTOM 2.5V

100

顶部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

10V

8.0V

4.5V

3.8V

3.3V

3.0V

2.8V

BOTTOM 2.5V

2.5V

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

2.5V

20μs的脉冲宽度

TJ = 150℃

0.1

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100.0

2.0

T J = 150℃

10.0

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

ID ，漏 - 源电流

(Α

)

ID = 11A

VGS = 10V

1.5

T J = 25°C

VDS = 15V

20μs的脉冲宽度

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

（归一化）

1.0

0.5

-60 -40 -20

80 100 120 140 160

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T J ，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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10000

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞=的Cgs + Cgd的，C DS短路

CRSS = Cgd的

COSS =硫化镉+ Cgd的

ID = 8.8A

VDS = 24V

VDS = 15V

C，电容（pF ）

1000

西塞

科斯

100

CRSS

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q g总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100.0

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

ISD ，反向漏电流（ A）

T J = 150℃

10.0

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

100sec

1.0

T J = 25°C

TC = 25°C

TJ = 150℃

单脉冲

0.1

1.0

10.0

1msec

10msec

VGS = 0V

0.1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

VSD ，源toDrain电压（ V）

0.1

100.0

1000.0

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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2.2

VGS （ TH）栅极阈值电压（ V）

2.0

ID ，漏电流（ A）

1.8

ID = 250μA

1.6

1.4

1.2

100

125

150

1.0

-75

-50

-25

100

125

150

T J ，结温（ ° C）

T J ，温度（° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

阈值电压与温度的关系

100

热响应（Z thJA ）

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

0.1

RI（ ° C / W）

τi

（秒）

0.002691

5.770

24.37

19.86

0.54585

7.25

0.01

单脉冲

（热反应）

CI-

τi /日

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthja +锝

0.1

100

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

0.01

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

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