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PD-94079

IRF7807VD2

FETKY MOSFET /肖特基二极管

共同包N沟道HEXFET

功率MOSFET

和肖特基二极管

适用于同步整流器的DC-DC

转换器高达5A的输出

低传导损耗

低开关损耗

低VF肖特基整流器

描述

该FETKY

家庭联合包HEXFET

MOSFET和

肖特基二极管提供设计师一个创新，板

用于开关稳压器和功率节省空间的解决方案

管理应用程序。 HEXFET功率MOSFET

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。结合

这项技术与国际整流器公司的低正向

降肖特基整流器产生一个非常有效的

装置适用于各种便携式的使用

电子应用。

采用SO-8已经通过定制进行了修改

引线框架，增强散热性能。在SO-

8封装是专为气相，红外或波

焊接技术。

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏极或源极

电流（V

≥

4.5V)

脉冲漏CurrentQ

功率耗散

肖特基体二极管

平均ForwardCurrentT

25°C

70°C

25°C

70°C

, T

英镑

（AV）

25°C

70°C

符号

马克斯。

±20

8.3

6.6

2.5

1.6

3.7

2.3

-55到150

°C

单位

A / S

K /

SO-8

顶视图

设备CHARACTERISTICSU

IRF7807VD2

（上）

OSS

17m

9.5nC

3.4nC

12nC

结&存储温度范围

热阻

参数

最大结到用环境

最大结对铅

θJA

θJL

马克斯。

单位

° C / W

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03/05/01

IRF7807VD2

电气特性

参数

漏 - 源

击穿电压

静态漏源

抗性

栅极阈值电压

漏源漏

当前

DSS

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

1.0

6.0

GSS

GS1

GS2

OSS

D（上）

（关闭）

民

典型值

–

最大

–

单位

条件

= 0V时，我

= 250A

= 4.5V ，我

= 7.0AR

= V

= 250A

= 24V, V

= 0

= 24V, V

= 0,

TJ = 100℃

= ±20V

= 4.5V ，我

=7.0A

= 16V

目前*

栅源漏

目前*

总栅极电荷*

预Vth的

栅极 - 源电荷

后Vth的

栅极 - 源电荷

栅漏电荷

切换变动（Q

gs2

+ Q

)

输出电荷*

栅极电阻

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

±100

9.5

2.3

1.0

2.4

3.4

2.0

6.3

1.2

2.2

5.2

16.8

= 16V, V

= 0

= 16V ，我

= 7.0A

= 5V ，R

= 2

阻性负载

肖特基二极管&体二极管额定值和特性

参数

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

民

TRR

QRR

典型值

最大

0.54

0.43

单位

条件

V T，

= 25 ° C，I

= 3.0A ，V

=0V

≤ 125 ° C，I

= 3.0A ，V

=0V

NS牛逼

= 25 ° C，I

= 7.0A ，V

= 16V

的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

)

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。

脉冲宽度

≤

400微秒;占空比

≤

2%.

当安装在1英寸方形铜板

50％的占空比，矩形

的R的典型值

（上）在V测

= 4.5V ，Q

, Q

和Q

OSS

测量V

= 5.0V ，我

= 7.0A.

设备都经过100％测试这些参数。

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IRF7807VD2

功率MOSFET选择的DC / DC

转换器

控制用FET

特别注意了对功率损耗

在电路中的开关元件 - Q1和Q2 。

在高侧开关Q1的功率损耗，也称为

的控制用FET ，被上述R的影响

DS （ ON）

的

MOSFET的，但这些传导损耗只有约

二分之一的总损耗。

在控制开关Q1的功率损耗给出

通过;

漏电流

栅极电压

GTH

GS1

GS2

漏极电压

损失

= P

传导

+ P

开关

+ P

DRIVE

+ P

产量

这可以被扩展和通过近似;

损失

(

RMS

DS （ ON）

)

图1：典型MOSFET的开关波形

gs2

(

)

OSS

同步FET

为Q2的功率损耗公式近似

通过;

损失

传导

产量

DRIVE

损失

RMS

DS （ ON）

这种简化的损耗计算公式包含的条款Q

gs2

和Q

OSS

这是新的功率MOSFET的数据表。

gs2

是传统的栅极 - 源极的一个子元素

收费中包括的所有MOSFET数据表。

分裂的重要性这栅极 - 源极电荷

成两个子元素，Q

gs1

和Q

gs2

可从可见

图1 。

gs2

表示必须由被供给的电荷

的时间，该阈值之间的栅极驱动器

电压已达到（ t1）的和时间的漏极

电流上升到我

DMAX

（ t2的），其时的漏极电压

年龄开始变化。最小化Q

gs2

是一个关键的外交事务委员会

器在降低Q1的开关损耗。

OSS

是必须要提供给输出的电荷

把MOSFET的电容中每隔开关

荷兰国际集团循环。图2示出了如何Q

OSS

是由形成

电压依赖的并联组合（非

线性）电容?? S·C

和C

当乘

电源输入总线的电压。

(

)

(

)

OSS

(

)

*消耗主要是在第一季度。

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IRF7807VD2

对于同步MOSFET Q2 ，R

DS （ ON）

是一种重

portant特征;然而，再次im-

栅极电荷portance不能因为忽视

它会影响三个关键领域。在轻载下的

MOSFET仍然必须由CON组来接通和关断

控制集成电路这样的栅极驱动损耗变得更加

显著。其次，输出电荷Q

OSS

并重新

诗句恢复电荷Q

双方产生的损失

被转移到Q1和增加耗散

该设备。第三，栅极电荷将会影响

MOSFET的易感性与Cdv / dt的开启。

Q2的漏极连接到该交换节点

所述转换器，并且因此认为过渡BE-

吐温地面和V

。作为Q1导通和关断有

漏极电压的dV / dt的变化率是钙

pacitively耦合到Q2的栅极和可诱导

在栅极的电压尖峰，足以使

典型的移动PC应用程序

这些新设备的性能进行了测试

在电路和性能predic-很好的相关性

由系统生成的模型系统蒸发散。的优点

这种新技术的平台是使MOSFET它

生产是适合于控制用FET和同步的

理性FET应用。这已被证明与

3.3V和5V的转换器。（图3和图4）。在这些

应用相同的MOSFET IRF7807V用于

两个控制FET （Q1）和同步FET

（ Q2 ）。这提供了一种非常有效的成本/性能

的解决方案。

在MOSFET上，导致贯通电流。

Q的比

gs1

必须最小化，以减少

潜在的犬瘟热病毒/ DT打开。

Spice模型的IRF7807V可下载

在www.irf.com机器可读的格式。

图2 ：Q

OSS

特征

3.3V供电： Q1 = Q2 = IRF7807V

效率（％）

负载电流（A ）

Vin=24V

5.0V供应： Q1 = Q2 = IRF7807V

Vin=24V

Vin=14V

Vin=10V

Vin=14V

Vin=10V

负载电流（A ）

科幻gure 3

图4

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IRF7807VD2

RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（

)

2.0

= 7.0A

0.030

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

1.5

0.025

1.0

0.020

ID = 7.0A

0.015

0.5

0.0

-60 -40 -20

= 4.5V

80 100 120 140 160

0.010

2.0

4.0

6.0

8.0

10.0

12.0

14.0

16.0

，结温（

VGS ，门-to - 源电压（V ）

图5 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

图7 。

导通电阻比。栅极电压

VGS

4.5V

3.5V

3.0V

2.5V

2.0V

BOTTOM 0.0V

顶部

0.2

0.4

0.6

0.8

0.2

0.4

0.6

0.8

VGS

4.5V

3.5V

3.0V

2.5V

2.0V

BOTTOM 0.0V

顶部

IS ，源极到漏极电流（A ）

0.0 V

380μs脉宽

TJ = 25°C

IS ，源极到漏极电流（A ）

O.OV

380μs脉宽

TJ = 150℃

VSD ，源极到漏极电压（V ）

图7 。

典型的反向输出特性

图8 。

典型的反向输出特性