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PD - 95290

HEXFET

芯片组为DC- DC转换器

N沟道专用的MOSFET

非常适合移动DC- DC转换器

低传导损耗

低开关损耗

LEAD -FREE

IRF7807PbF

IRF7807APbF

描述

这些新器件采用先进的HEXFET

功率MOSFET技术来实现的

前所未有的导通电阻和栅极的平衡

费。减少传导损耗和开关损耗

使它们非常适用于高效率的DC -DC

转换器提供动力的新一代移动的

微处理器。

一对IRF7807器件提供最佳的成本/

为系统电压，如3.3V性能溶液

和5V 。

SO-8

T O服务P V IE W

设备特点

IRF7807 IRF7807A

VDS

30V

RDS（ON） 25MΩ

25m

17nC

QSW

5.2nC

QOSS

16.8nC 16.8nC

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏极或源极

电流（V

≥

4.5V)

漏电流脉冲？

功耗

25°C

70°C

结&存储温度范围

连续源电流（体二极管）？

脉冲源电流

, T

英镑

2.5

25°C

70°C

符号

8.3

6.6

2.5

1.6

-55到150

2.5

°C

IRF7807

±12

8.3

6.6

IRF7807A

单位

热阻

参数

最大结点到环境？

θJA

马克斯。

单位

° C / W

www.irf.com

09/22/04

IRF7807/APbF

电气特性

参数

漏 - 源

击穿电压*

静态漏源

在性*

栅极阈值电压*

漏源漏

目前*

（ BR ） DSS

（上）

（ TH ）

DSS

1.0

150

GSS

gs1

gs2

OSS

（上）

（关闭）

2.1

0.76

2.9

3.66

1.2

5.2

16.8

±100

2.1

0.76

2.9

3.66

1.2

16.8

= 16V

= 7A

= 2

= 4.5V

阻性负载

条件

= 7A ?? ，V

= 0V

的di / dt = 700A / μs的

= 16V, V

= 0V时，我

= 7A

的di / dt = 700A / μs的

（有10BQ040 ）

= 16V, V

= 0V时，我

= 7A

= 16V, V

= 0

IRF7807

最小典型最大

–

1.0

150

±100

IRF7807A

最小典型最大单位

–

条件

= 0V时，我

= 250A

= 4.5V ，我

= 7A

= V

, I

= 250A

= 24V, V

= 0

= 24V, V

= 0,

TJ = 100℃

= ±12V

= 5V ，我

= 7A

= 16V ，我

= 7A

栅源漏

目前*

总栅极电荷*

预Vth的

栅极 - 源电荷

后Vth的

栅极 - 源电荷

栅漏电荷

转换费*

gs2

+ Q

)

输出电荷*

栅极电阻

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源极 - 漏极评级&特点

参数

二极管正向

电压*

反向恢复

充电？

反向恢复

充电（与并行

Schotkky ）？

注意事项：

民

RR （S ）

TYP MAX

1.2

民

典型值最大值单位

1.2

重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。

脉冲宽度

≤

300微秒;占空比

≤

2%.

当安装在1平方英寸的铜电路板，T < 10秒。

典型值=测量 - Q

OSS

设备是经过100％测试这些参数。

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IRF7807/APbF

功率MOSFET选择的DC / DC

转换器

控制用FET

特别注意了对功率损耗

在电路中的开关元件 - Q1和Q2 。

在高侧开关Q1的功率损耗，也被称为

控制用FET ，被上述R的影响

DS （ ON）

MOSFET的，

但这些传导损耗是只有约一半的

总的损失。

在控制开关Q1的功率损耗由下式给出;

漏电流

栅极电压

GTH

GS1

GS2

损失

= P

传导

+ P

开关

+ P

DRIVE

+ P

产量

这可以被扩展和通过近似;

漏极电压

图1：典型MOSFET的开关波形

损失

(

RMS 2

DS （ ON）

)

gs2

(

)

OSS

同步FET

为Q2的功率损耗公式近似

通过;

损失

传导

DRIVE

产量

损失

RMS

DS （ ON）

(

)

(

)

这种简化的损耗计算公式包含的条款Q

gs2

和Q

OSS

这是新的功率MOSFET的数据表。

gs2

是传统的栅极 - 源极电荷的子元素

包含在所有的MOSFET数据表。在祁门功夫，功夫

分裂的tance此栅极 - 源极电荷为两个子

元素，Q

gs1

和Q

gs2

可从图1中可以看出。

gs2

表示必须由被供给的电荷

时，阈值电压之间的栅极驱动器

年龄已达到（ t1）的和时间的漏极电流

房租上升到我

DMAX

（ t2的），其时的漏极电压

开始改变。最小化Q

gs2

是一个关键因素

降低Q1的开关损耗。

OSS

是，必须提供到输出的电荷

MOSFET的每个开关中的电容

周期。图2示出了如何Q

OSS

由paral-形成

的电压依赖的（非线性）的LEL的组合

电容的C语言

和C

当由功率乘以

提供输入总线电压。

OSS

(

)

*消耗主要是在第一季度。

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IRF7807/APbF

对于同步MOSFET Q2 ，R

DS （ ON）

是一种重

portant特征;然而，再次祁门功夫，功夫

栅极电荷的距离，必须不能因为它忽视

影响的三个关键领域。在轻载下的

MOSFET仍然必须由CON组来接通和关断

控制集成电路这样的栅极驱动损耗变得更加

显著。其次，输出电荷Q

OSS

并重新

诗句恢复电荷Q

双方产生的损失

被转移到Q1和增加耗散

该设备。第三，栅极电荷将会影响

MOSFET的易感性与Cdv / dt的开启。

Q2的漏极连接到该交换节点

所述转换器，并且因此认为过渡BE-

吐温地面和V

。作为Q1导通和关断有

漏极电压的dV / dt的变化率是钙

pacitively耦合到Q2的栅极和可诱导

在栅极的电压尖峰，足以使

典型的移动PC应用程序

这些新设备的性能进行了测试

在电路和性能predic-很好的相关性

由系统生成的模型系统蒸发散。优势

这种新技术的平台是使MOSFET

它产生既适用于控制用FET和同步

异步的FET应用。这一直demon-

strated与3.3V和5V的转换器。（图3和

图4）。在这些应用中，相同的MOSFET IRF7807

被同时用于控制场效应晶体管（ Q1）和所述同步

异步的FET（ Q2 ）。这提供了一种非常有效的

成本/性能的解决方案。

在MOSFET上，导致贯通电流。

Q的比

gs1

必须最小化，以减少

潜在的犬瘟热病毒/ DT打开。

Spice模型的IRF7807可在马下载

在www.irf.com脊可读的格式。

图2 ：Q

OSS

特征

3.3V供电： Q1 = Q2 = IRF7807

效率（％）

5V电源： Q1 = Q2 = IRF7807

1.5

2.5

3.5

负载电流（A ）

4.5

VIN = 10V

VIN = 14V

VIN = 24V

VIN = 10V

1.5

2.5

3.5

负载电流（A ）

4.5

VIN = 14V

Vin=24V

科幻gure 3

图4

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IRF7807/APbF

典型特征

IRF7807

IRF7807A

图5.归一导通电阻与温度的关系

图6.归一导通电阻与温度的关系

图7.典型栅极电荷与栅极至源极电压

图8.典型栅极电荷与栅极至源极电压

图9.典型的RDS（ON）与栅极至源极电压

图10.典型的RDS（ON）与栅极至源极电压