基准的MOSFET
产品选择指南
对于IR的MOSFET的完整列表，请访问www.irf.com/product-info/hexfet
电源管理的领先者
基准的MOSFET |选型指南
MOSFET的广泛的产品组合针对多个细分市场
产业
电源
主要区别
行业品牌领导者的MOSFET
领先的高性能MOSFET的
行业质量信誉
广泛的产品组合
最多样化的封装可达250V
消费/数据
处理
主要产品
分立HEXFET
MOSFET的
双HEXFET
MOSFET的
FETKY
对于车用MOSFET的完整列表，请访问www.irf.com
功率QFN
特点
行业的品牌领导者
MOSFET
基准热
性能
低R
DS （ ON）
的DirectFET
大罐
的DirectFET
介质
的DirectFET
大30 ％
死了比
D
2
PAK
和60％的
在还原
电路板空间
同一芯片
大小
D-白，
54%
在还原
电路板空间
D
2
PAK
D- PAK
PQFN 5×6
小可
的DirectFET
小40 ％
脚印
比
SO-8
SO-8
国际整流器公司的DirectFET
功率封装是一个突破
表面贴装功率MOSFET封装技术设计
高效的顶部冷却，结合改进的底侧
冷却后，将新的程序包可以在两侧切割部分被冷却
算由最高达60％ ，并且多达50 ％，相比之下，电路板空间
设备在标准或增强型SO - 8封装。
红外优势
有竞争力的
DS （ ON）
相比第四季度取得了09
国际整流器公司将发布一个广阔
投资组合在早期CY10 PQFN基准MOSFET的。
提高电流密度
由60 ％减少MOSFET的元件数量
降低50％的PCB空间
高达50 ℃的较低的操作温度
提高可靠性
更低的系统总成本
超低封装电阻和
电感
业界最低的导通电阻
兼容现有的表面贴装
技术
双面冷却出众
热性能
有关国际整流器公司的MOSFET和其他产品的其他信息，请致电+1.800.981.8699或+49.6102.884.311或访问我们的
www.irf.com
N沟道MOSFET
电压
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40
40
R
DS （ ON）
@10Vgs
最大
(mΩ)
4.0
4.4
5.7
6.0
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8.4
11
11
15
16
1.0
1.5
1.65
1.15
1.25
1.6
1.6
2.1
2.7
3.0
4.9
5.7
5.9
6.0
7.8
8.7
1.4
1.7
1.7
1.85
2.1
2.2
2.4
2.5
2.8
3.1
3.2
3.3
3.3
3.5
3.8
4.8
4.8
4.8
5.8
6.0
6.3
7.1
7.3
7.7
7.7
8.0
8.1
8.4
8.5
8.5
8.7
8.7
8.9
9.5
11.9
12.4
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1.0
1.4
R
DS （ ON）
@4.5Vgs
最大
(mΩ)
5.5
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7.3
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15.5
15.5
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I
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@
T
C
=
25°C
(A)
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I
D
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@
@
T
A
=
25℃ 10Vgs 4.5Vgs
(A)
（ NC ） （ NC ）
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18
16
8.7
9.3
7.2
7.0
4.5
4.8
180
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160
110
的DirectFET
PQFN 5×6
产品型号
布局
2
SO-8
D- PAK
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D
2
PAK
D
2
PAK-7
TO-220
TO-247
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IRL3715ZPBF
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2.1
2.6
2.7
3.4
3.7
4.6
8.7
8.5
11.9
10.9
13.5
12.9
7.4
2.1
2.4
2.4
2.9
3.5
3.2
3.5
3.8
3.9
4.2
3.9
4.5
5.1
4.5
6.8
6.8
6.8
8.0
7.1
7.8
11.8
10.9
10.8
10.8
12.8
13.3
11.8
12.5
12.5
13
16
11.9
12.5
17.5
17.9
18.2
1.7
100
38
39
34
29
25
22
17
12
14.5
12
52
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25
21
12
10
8.8
8.1
6.8
IRFH5250TRPBF
1
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MX
MX
MX
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SQ
MP
ST
S1
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1
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32
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24
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49
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33
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39
36
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20
32
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17
15
15
23
17
9.6
11
11
11
7.9
78
8.5
8.3
9.3
8.1
7.6
10
9.7
6.2
5.4
7.0
24
21
24
18
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14
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13
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这些部件是沟道MOSFET和应在开关电源的应用中使用。有关IR的包的更多信息，请访问www.irf.com/package
1
新产品
2
有关完整的安装指南，请参考应用笔记AN- 1035的DirectFET布局在www.irf.com/package
3
PQFN 3x3的
N沟道MOSFET
电压
(V)
40
40
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40
40
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75
75
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80
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100
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100
100
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100
100
100
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1.7
1.7
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3.4
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5.0
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5.5
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2.6
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11
11
8.0
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58
1.5
1.75
1.9
2.1
2.4
3.0
4.2
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8.4
9.4
11
15.8
1.85
2.3
2.6
3.0
3.3
3.8
4.1
4.5
5.8
9.0
16
22
9.5
13.4
15
15
2.6
3.5
3.9
4.0
4.3
4.5
4.7
6.0
9.0
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14
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R
DS （ ON）
@4.5Vgs
最大
(mΩ)
I
D
@
T
C
=
25°C
(A)
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350
343
340
270
270
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150
180
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119
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77
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89
60
51
30
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170
170
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80
53
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I
D
@典型的Qg典型的Qg
@
@
T
A
=
25℃ 10Vgs 4.5Vgs
(A)
（ NC ） （ NC ）
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220
108
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160
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23
100
18
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6.6
33
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160
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200
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85
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360
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150
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8.3
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1
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IRL1404ZSPBF
的DirectFET
产品型号
布局
2
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SO-8
D- PAK
D
2
PAK
D
2
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TO-220
TO-247
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100
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2.8
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26
12
10
9.3
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16
55
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124
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190
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10.3
这些部件是沟道MOSFET和应在开关电源的应用中使用。有关IR的包的更多信息，请访问www.irf.com/package
新产品
2
有关完整的安装指南，请参考应用笔记AN- 1035的DirectFET布局在www.irf.com/package
1
N沟道MOSFET
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
I
D
@
电压@ 10Vgs @ 4.5Vgs牛逼
C
=
(V)
最大
最大
25°C
(mΩ)
(mΩ)
(A)
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200
200
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200
200
200
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250
250
250
250
250
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18
22
22
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62
62
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11
11
11.8
12.1
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43
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95
9.7
20
22
25
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60
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79
100
100
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33
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48
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59
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14.4
19
18
8.7
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104
105
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83
78
56
35
35
33
7.3
8.3
5.7
4.1
4.2
I
D
@典型的Qg典型的Qg
@
@
T
A
=
25℃ 10Vgs 4.5Vgs
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77
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26
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100
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70
70
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34
25
25
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26
99
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110
72
72
72
的DirectFET
产品型号
布局
2
PQFN 5×6
SO-8
D- PAK
IRFR3710ZPBF
D
2
PAK
D
2
PAK-7
TO-220
TO-247
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IRF7495PBF
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SH
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IRF540ZPBF
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IRFS4115-7PPBF
IRFS4115PBF
IRFS4321PBF
IRFH5015TRPBF
1
IRFB4321PBF
IRFP4321PBF
10
6.2
IRF6643TRPBF
MZ
IRFB4615PBF
IRFR4615PBF
IRF7815TRPBF
1
IRF7494PBF
IRFS4615PBF
28
17
130
76
72
65
62
43
26
25
24
18
19
57
60
35
44
46
45
5.1
5.1
4.9
IRF6775MTRPBF
MZ
IRFB4019PBF
IRFP4668PBF
IRFB4127PBF
IRFS4127PBF
IRFP4227PBF
IRFS4227PBF
IRFH5020TRPBF
1
IRFB4227PBF
5.1
4.6
IRF6641TRPBF
MZ
IRFB4620PBF
IRFR4620PBF
IRF7492PBF
IRFB4020PBF
IRFS4620PBF
3.7
2.7
IRF6785MTRPBF
MZ
IRFP4332PBF
IRFB4332PBF
6.6
IRF7799L2TRPBF
1
L8
IRFP4229PBF
IRFB4229PBF
IRFS4229PBF
双N沟道MOSFET
电压
(V)
25
30
30
30
60
RDS （ ON） @ 10Vgs最大
(mΩ)
11.3
3.0
8.6
12.7
15.5
15.5
17.8
RDS （ ON） @ 4.5Vgs最大
(mΩ)
15.4
4.0
14.5
16.9
22.2
21.6
CON组fi guration
独立的对称
非对称半桥
非对称半桥
独立非对称
独立的对称
QG典型值
（ NC ）
9.5
34
8.3
7.6
5.7
6.0
24
PQFN 5×6
SO-8
TSSOP-8
IRF8852TRPBF
1
IRFH7911TRPBF
1
IRF8513PBF
IRF8313PBF
IRF7351PBF
1
N沟道MOSFET SOT- 23
电压
(V)
30
30
60
60
100
RDS （ ON） @ 10Vgs最大
(mΩ)
27
100
92
460
220
RDS （ ON） @ 4.5Vgs最大
(mΩ)
40
154
116
620
235
I
D
@ TA = 25℃
(A)
5.2
2.7
2.7
1.5
1.6
QG典型值
（ NC ）
2.6
1.0
2.5
0.4
2.5
SOT-23
IRLML0030TRPBF
1
IRLML2030TRPBF
1
IRLML0060TRPBF
1
IRLML2060TRPBF
1
IRLML0100TRPBF
1
对于SOT- 23器件的完整列表，请访问www.irf.com
这些部件是沟道MOSFET和应在开关电源的应用中使用。有关IR的包的更多信息，请访问www.irf.com/package
1
新产品
2
有关完整的安装指南，请参考应用笔记AN- 1035的DirectFET布局在www.irf.com/package
PD - 96266
IRF7799L2TRPbF
IRF7799L2TR1PbF
符合RoHS ，无卤素
l
无铅（合格高达260 °C回流温度）
l
非常适用于高性能隔离式转换器
主开关插座
l
优化同步整流
l
低传导损耗
l
高与Cdv / dt抗扰性
l
薄型（ <0.7毫米）
l
双面冷却兼容
l
兼容现有的表面贴装技术
l
工业合格
l
典型值（除非另有规定）
的DirectFET ？功率MOSFET
V
DSS
Q
g
合计
V
GS
Q
gd
39nC
R
DS （ ON）
32mΩ @ 10V
250V分钟± 30V最大
110nC
V
GS （ TH）
4.0V
S
S
S
S
S
S
D
G
S
S
D
适用的DirectFET外形及其基材大纲
SB
SC
M2
M4
L8
的DirectFET ？等距
L4
L6
L8
描述
该IRF7799L2TR / TR1PbF结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装
实现最低的通态电阻，其具有足迹比D小的软件包
2
PAK只有0.7毫米轮廓。 DirectFET封装
是与在功率应用中使用的现有布局的几何形状，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流兼容
焊接技术中，当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。 DirectFET封装
允许双面冷却，最大限度地电力系统的热传递。
该IRF7799L2TR / TR1PbF优化高频开关和同步整流应用。减少总损失
在加上热性能的高层次的设备实现了高效率和低的温度，这是关键的系统
可靠性改进，使该器件非常适用于高性能电源转换器。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
E
AS
I
AR
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（M
)
马克斯。
250
±30
35
25
6.6
375
140
325
21
60
T J = 25°C
单位
V
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（硅有限公司）
f
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（硅有限公司）
f
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（硅有限公司）
e
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（包装有限公司）
f
漏电流脉冲
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
A
g
g
h
55
典型的RDS（on ） （MW ）
mJ
A
200
180
160
ID = 21A
50
45
40
35
30
140
120
100
80
60
40
20
4
8
12
16
20
TJ = 125°C
T J = 25°C
VGS = 7.0V
VGS = 8.0V
VGS = 10V
VGS = 15V
25
0
20
40
60
80
100
VGS ，门-to - 源电压（V ）
ID ，漏电流（ A）
图1 。
典型导通电阻与栅极电压
注意事项：
图2 。
典型导通电阻与漏电流
点击此部分链接到相应的技术文件。
点击此部分链接到的DirectFET网站。
表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。
www.irf.com
T
C
用热电偶测量安装在顶部的一部分（漏） 。
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
起始物为
J
= 25℃时，L = 1.42mH ，R
G
= 25, I
AS
= 21A.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
1
08/31/09
IRF7799L2TR/TR1PbF
绝对最大额定值
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
P
D
@T
A
= 25°C
T
P
T
J
T
英镑
功耗
功耗
功耗
峰值焊接温度
工作结
存储温度范围
f
f
c
参数
马克斯。
125
63
4.3
270
-55 + 175
单位
W
°C
热阻
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJ -CAN
R
θJ -PCB
结到环境
结到环境
结到环境
结至灿
结到PCB安装
fl
e
j
k
参数
典型值。
–––
12.5
20
–––
–––
马克斯。
35
–––
–––
1.2
0.5
单位
° C / W
10
热响应（Z thJC ）
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
τ
J
τ
J
τ
1
0.1
R
1
R
1
τ
2
R
2
R
2
RI（ ° C / W）
τ
C
0.38829
τ
0.8117
τi
（秒）
0.000787
0.006586
τ
1
0.01
τ
2
CI-
τi /日
次I /日
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.01
0.1
1
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图3 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
注意事项：
安装在最小的占用空间全尺寸板金属化
表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。
T
C
同的部分热电偶inContact公司与顶部（漏极）进行测定。背部和小夹散热器。
R
θ
的测量是在
T
J
大约90 ℃。
二手双面散热，安装垫大的散热器。
表面安装1英寸方铜
板（静止空气中） 。
安装在最小的占用空间全尺寸板金属化
背部和小夹散热器。 （静止空气中）
www.irf.com
3
IRF7799L2TR/TR1PbF
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
5.0V
10
10
1
5.0V
Tj
≤
在60μs脉冲宽度
= 25°C
0.1
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
1
Tj
≤
在60μs脉冲宽度
= 175°C
0.1
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图4 。
典型的输出特性
1000
图5 。
典型的输出特性
3.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
VDS = 50V
≤60s
脉冲宽度
100
T J = 175℃
TJ = 25°C
TJ = -40°C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
ID = 21A
VGS = 10V
10
1
0.1
3
4
5
6
7
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，结温（ ° C）
图6 。
典型的传输特性
100000
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图7 。
归一化的导通电阻与温度的关系
14.0
ID = 21A
VDS = 200V
VDS = 125V
VDS = 50V
OSS = C DS + C GD
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
C，电容（pF ）
10000
西塞
1000
科斯
CRSS
100
1
10
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
0
20
40
60
80
100 120 140 160
QG ，总栅极电荷（ NC）
图8 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图9 。
典型的总栅极电荷VS
栅极 - 源极电压
4
www.irf.com
IRF7799L2TR/TR1PbF
1000
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100
TJ = 175℃
TJ = 25°C
TJ = -40°C
10
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
10
DC
1msec
100sec
1
VGS = 0V
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
10msec
0.1
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
VSD ，源极到漏极电压（V ）
1
0.1
1
10
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图10 。
典型的源漏二极管正向电压
40
VGS （ th）时，栅极阈值电压（ V）
Fig11.
最大安全工作区
6.0
ID ，漏电流（ A）
30
5.0
4.0
20
3.0
ID = 250μA
2.0
ID = 1.0毫安
ID = 1.0A
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
1.0
-75 -50 -25
0
25 50 75 100 125 150 175
T J ，温度（° C）
图12 。
最大漏极电流与外壳温度
1400
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
图13 。
典型的阈值电压 -
结温
ID
顶部
1.33A
2.53A
BOTTOM 21A
1200
1000
800
600
400
200
0
25
50
75
100
125
150
175
开始T J ，结温（ ° C）
图14 。
最大雪崩能量与漏电流
www.irf.com
5
QQ：2880707522 复制
