PD - 96266
IRF7799L2TRPbF
IRF7799L2TR1PbF
符合RoHS ，无卤素
l
无铅（合格高达260 °C回流温度）
l
非常适用于高性能隔离式转换器
主开关插座
l
优化同步整流
l
低传导损耗
l
高与Cdv / dt抗扰性
l
薄型（ <0.7毫米）
l
双面冷却兼容
l
兼容现有的表面贴装技术
l
工业合格
l
典型值（除非另有规定）
的DirectFET ？功率MOSFET
V
DSS
Q
g
合计
V
GS
Q
gd
39nC
R
DS （ ON）
32mΩ @ 10V
250V分钟± 30V最大
110nC
V
GS （ TH）
4.0V
S
S
S
S
S
S
D
G
S
S
D
适用的DirectFET外形及其基材大纲
SB
SC
M2
M4
L8
的DirectFET ？等距
L4
L6
L8
描述
该IRF7799L2TR / TR1PbF结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装
实现最低的通态电阻，其具有足迹比D小的软件包
2
PAK只有0.7毫米轮廓。 DirectFET封装
是与在功率应用中使用的现有布局的几何形状，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流兼容
焊接技术中，当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。 DirectFET封装
允许双面冷却，最大限度地电力系统的热传递。
该IRF7799L2TR / TR1PbF优化高频开关和同步整流应用。减少总损失
在加上热性能的高层次的设备实现了高效率和低的温度，这是关键的系统
可靠性改进，使该器件非常适用于高性能电源转换器。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
E
AS
I
AR
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（M
)
马克斯。
250
±30
35
25
6.6
375
140
325
21
60
T J = 25°C
单位
V
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（硅有限公司）
f
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（硅有限公司）
f
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（硅有限公司）
e
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（包装有限公司）
f
漏电流脉冲
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
A
g
g
h
55
典型的RDS（on ） （MW ）
mJ
A
200
180
160
ID = 21A
50
45
40
35
30
140
120
100
80
60
40
20
4
8
12
16
20
TJ = 125°C
T J = 25°C
VGS = 7.0V
VGS = 8.0V
VGS = 10V
VGS = 15V
25
0
20
40
60
80
100
VGS ，门-to - 源电压（V ）
ID ，漏电流（ A）
图1 。
典型导通电阻与栅极电压
注意事项：
图2 。
典型导通电阻与漏电流
点击此部分链接到相应的技术文件。
点击此部分链接到的DirectFET网站。
表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。
www.irf.com
T
C
用热电偶测量安装在顶部的一部分（漏） 。
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
起始物为
J
= 25℃时，L = 1.42mH ，R
G
= 25, I
AS
= 21A.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
1
08/31/09
IRF7799L2TR/TR1PbF
绝对最大额定值
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
P
D
@T
A
= 25°C
T
P
T
J
T
英镑
功耗
功耗
功耗
峰值焊接温度
工作结
存储温度范围
f
f
c
参数
马克斯。
125
63
4.3
270
-55 + 175
单位
W
°C
热阻
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJ -CAN
R
θJ -PCB
结到环境
结到环境
结到环境
结至灿
结到PCB安装
fl
e
j
k
参数
典型值。
–––
12.5
20
–––
–––
马克斯。
35
–––
–––
1.2
0.5
单位
° C / W
10
热响应（Z thJC ）
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
τ
J
τ
J
τ
1
0.1
R
1
R
1
τ
2
R
2
R
2
RI（ ° C / W）
τ
C
0.38829
τ
0.8117
τi
（秒）
0.000787
0.006586
τ
1
0.01
τ
2
CI-
τi /日
次I /日
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.01
0.1
1
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图3 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
注意事项：
安装在最小的占用空间全尺寸板金属化
表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。
T
C
同的部分热电偶inContact公司与顶部（漏极）进行测定。背部和小夹散热器。
R
θ
的测量是在
T
J
大约90 ℃。
二手双面散热，安装垫大的散热器。
表面安装1英寸方铜
板（静止空气中） 。
安装在最小的占用空间全尺寸板金属化
背部和小夹散热器。 （静止空气中）
www.irf.com
3
IRF7799L2TR/TR1PbF
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
5.0V
10
10
1
5.0V
Tj
≤
在60μs脉冲宽度
= 25°C
0.1
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
1
Tj
≤
在60μs脉冲宽度
= 175°C
0.1
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图4 。
典型的输出特性
1000
图5 。
典型的输出特性
3.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
VDS = 50V
≤60s
脉冲宽度
100
T J = 175℃
TJ = 25°C
TJ = -40°C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
ID = 21A
VGS = 10V
10
1
0.1
3
4
5
6
7
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，结温（ ° C）
图6 。
典型的传输特性
100000
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图7 。
归一化的导通电阻与温度的关系
14.0
ID = 21A
VDS = 200V
VDS = 125V
VDS = 50V
OSS = C DS + C GD
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
C，电容（pF ）
10000
西塞
1000
科斯
CRSS
100
1
10
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
0
20
40
60
80
100 120 140 160
QG ，总栅极电荷（ NC）
图8 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图9 。
典型的总栅极电荷VS
栅极 - 源极电压
4
www.irf.com
IRF7799L2TR/TR1PbF
1000
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100
TJ = 175℃
TJ = 25°C
TJ = -40°C
10
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
10
DC
1msec
100sec
1
VGS = 0V
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
10msec
0.1
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
VSD ，源极到漏极电压（V ）
1
0.1
1
10
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图10 。
典型的源漏二极管正向电压
40
VGS （ th）时，栅极阈值电压（ V）
Fig11.
最大安全工作区
6.0
ID ，漏电流（ A）
30
5.0
4.0
20
3.0
ID = 250μA
2.0
ID = 1.0毫安
ID = 1.0A
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
1.0
-75 -50 -25
0
25 50 75 100 125 150 175
T J ，温度（° C）
图12 。
最大漏极电流与外壳温度
1400
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
图13 。
典型的阈值电压 -
结温
ID
顶部
1.33A
2.53A
BOTTOM 21A
1200
1000
800
600
400
200
0
25
50
75
100
125
150
175
开始T J ，结温（ ° C）
图14 。
最大雪崩能量与漏电流
www.irf.com
5
QQ：2881677436 复制
