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PD - 94174
IRF7757
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
超低导通电阻
双N沟道MOSFET
超小型SOIC封装
薄型（ < 1.2毫米）
可在磁带卷&
常见的漏配置
V
DSS
20V
R
DS （ ON）
MAX（ MΩ）
)
35@V
GS
= 4.5V
40@V
GS
= 2.5V
I
D
4.8A
3.8A
描述
HEXFET
国际整流器功率MOSFET
利用先进的加工技术，以实现EX-
tremely低导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合加固装置的设计，即间
国家整流器是众所周知的，
提供DE-
1
2
3
4
1=
2=
3=
4=
S1
G1
S2
G2
8=
7=
6=
5=
D
D
D
D
8
7
6
5
签名者有一个非常有效和可靠的设备
用于电池和负载管理。
采用TSSOP -8封装少45％的占位面积比
标准的SO- 8 。这使得TSSOP - 8的理想
其中，印刷电路板空间设备的应用
是十分宝贵的。低调（ <1.2毫米）允许它适应
易成非常薄的环境中，例如便携
电子和PCMCIA卡。
TSSOP-8
绝对最大额定值
参数
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
V
GS
T
J,
T
英镑
漏源电压
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
结温和存储温度范围
马克斯。
20
4.8
3.9
19
1.2
0.76
9.5
± 12
-55到+ 150
单位
V
A
W
毫瓦/°C的
V
°C
热阻
参数
R
θJA
最大结点到环境
马克斯。
105
单位
° C / W
www.irf.com
1
05/03/01
IRF7757
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
20
–––
–––
–––
0.60
11
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.013
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
15
2.5
4.8
9.5
9.2
36
14
1340
180
132
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
35
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 4.8A
m
40
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 3.8A
1.2
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 10V ，我
D
= 4.8A
1.0
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
A
25
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 70°C
100
V
GS
= 12V
nA
-100
V
GS
= -12V
23
I
D
= 4.8A
–––
NC V
DS
= 16V
–––
V
GS
= 4.5V
–––
V
DD
= 10V
–––
I
D
= 1.0A
ns
–––
R
G
= 6.2
–––
V
GS
= 4.5V
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= 15V
–––
= 1.0MHz的
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
20
10
1.2
A
19
1.2
30
15
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 1.2A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 1.2A
的di / dt = 100A / μs的
D
S
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
表面安装在1平方铜电路板
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
2
www.irf.com
IRF7757
1000
VGS
顶部
7.5V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.5V
2.0V
BOTTOM 1.5V
100
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
10
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
7.5V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.5V
2.0V
BOTTOM 1.5V
顶部
10
1
1.5V
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
1.5V
20μs的脉冲宽度
TJ = 150℃
0.1
1
10
100
0.1
0.1
1
10
100
1
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100.00
2.0
I
D
= 4.8A

R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
ID ，漏 - 源电流
(Α
)
1.5
10.00
T J = 150℃
1.0
T J = 25°C
VDS = 15V
20μs的脉冲宽度
1.5
2.0
2.5
3.0
0.5
1.00
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 4.5V

0
20
40
60
80 100 120 140 160
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRF7757
10000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的，C
gs
DS短路
CRSS = C
gd
COSS = C + C
ds
gd
5
I
D
=
4.8A


V
DS
= 16V
V
DS
= 10V
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
4
C，电容（pF ）
西塞
1000
3
2
科斯
CRSS
100
1
10
100
1
0
0
4
8
12
16
20
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100.00
100
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
10.00
T J = 150℃
10
100sec
1msec
1
10msec
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
0
1
10
100
1.00
T J = 25°C
VGS = 0V
0.10
0.1
0.5
0.9
1.2
1.6
2.0
VSD ，源toDrain电压（ V）
0.1
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRF7757
5.0
V
DS
4.0
R
D
V
GS
R
G
I
D
，漏电流（ A）
D.U.T.
+
3.0
-
V
DD
V
GS
2.0
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
图10A 。
开关时间测试电路
1.0
V
DS
90%
0.0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
1000
热响应（Z
thJC
)
100
D = 0.50
0.20
10
0.10
0.05
0.02
0.01
1

单脉冲
（热反应）
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.1
0.00001

注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
1
10

P
DM
t
1
t
2
100
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
典型的有效瞬态热阻抗，结到环境
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