PD- 96150A
IRF7755GPbF
HEXFET
功率MOSFET
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超低导通电阻
双P沟道MOSFET
超小型SOIC封装
薄型（ < 1.2毫米）
可在磁带卷&
LEAD -FREE
无卤
V
DSS
-20V
R
DS （ ON）
最大
51m@V
GS
= -4.5V
86m@V
GS
= -2.5V
I
D
-
3.7A
-
2.8A
描述
HEXFET
国际整流器功率MOSFET
利用先进的加工技术，以实现EX-
tremely低导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合加固装置的设计，即间
国家整流器是众所周知的，
提供thedesigner
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用一个非常有效和可靠的装置，用于
电池和负载管理。
采用TSSOP -8封装少45％的占位面积比
标准的SO- 8 。这使得TSSOP - 8的理想
其中，印刷电路板空间设备的应用
是十分宝贵的。低调（ <1.2毫米）允许它适应
易成非常薄的环境中，例如便携
电子和PCMCIA卡。
TSSOP-8
绝对最大额定值
参数
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
V
GS
T
J
, T
英镑
漏源电压
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
漏电流脉冲
最大功率耗散
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
结温和存储温度范围
马克斯。
-20
-3.9
-3.1
-15
1
0.64
0.01
±20
-55到+150
单位
V
A
W
W
W / ℃，
V
°C
热阻
参数
R
θJA
最大结点到环境
马克斯。
125
单位
° C / W
www.irf.com
05/14/09
1
IRF7755GPbF
100
VGS
顶部
-7.5V
-4.5V
-3.5V
-3.0V
-2.5V
-2.0V
-1.75V
BOTTOM -1.5V
100
-ID ，漏极 - 源极电流（A ）
-ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
10
VGS
-7.5V
-4.5V
-3.5V
-3.0V
-2.5V
-2.0V
-1.75V
BOTTOM -1.5V
顶部
1
1
-1.5V
-1.5V
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
0.1
0.1
1
10
100
20μs的脉冲宽度
TJ = 150℃
0.1
0.1
1
10
100
-VDS ，漏极至源极电压（ V）
-VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
100
2.0
I
D
= -3.9A
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
1.5
10
T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C
1.0
1
0.5
0.1
1.0
V DS = -15V
20μs的脉冲宽度
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= -4.5V
0
20 40 60 80 100 120 140 160
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
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