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PD - 95243
IRF7530PbF
HEXFET
功率MOSFET
沟槽技术
l
超低导通电阻
l
双N沟道MOSFET
l
超小型SOIC封装
l
薄型（ <1.1毫米）
l
可在磁带卷&
l
LEAD -FREE
l
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
8
7
D1
D1
D2
D2
V
DSS
= 20V
R
DS （ ON）
= 0.030
6
5
描述
新沟HEXFET
从国际的功率MOSFET
整流器采用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合坚固耐用的设备的设计， HEXFET
功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供
以在很宽的一个非常有效和可靠的装置，用于使用
各种应用程序。
新Micro8 封装有一半的占位面积
标准的SO- 8 。这使得Micro8的理想设备
其中，印刷电路板空间的应用是十分宝贵的。
该Micro8的低调（ <1.1毫米）将允许它适合轻松
成如便携式极薄的应用环境
电子和PCMCIA卡。
顶视图
Micro8
绝对最大额定值
参数
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
E
AS
V
GS
T
J,
T
英镑
漏源电压
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量？
栅极 - 源极电压
结温和存储温度范围
马克斯。
20
5.4
4.3
40
1.3
0.80
10
33
± 12
-55到+ 150
单位
V
A
W
毫瓦/°C的
mJ
V
°C
热阻
参数
R
θJA
最大结点到环境
马克斯。
100
单位
° C / W
www.irf.com
1
5/13/04
IRF7530PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
20
–––
–––
–––
0.60
13
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.01
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
18
3.4
3.4
8.5
11
36
16
1310
180
150
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
0.030
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5.4A
0.045
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 4.6A
1.2
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 10V ，我
D
= 5.4A
1.0
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
A
25
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 70°C
100
V
GS
= 12V
nA
-100
V
GS
= -12V
26
I
D
= 5.4A
5.1
nC
V
DS
= 16V
5.1
V
GS
= 4.5V
–––
V
DD
= 10V
–––
I
D
= 1.0A
ns
–––
R
G
= 6.0
–––
R
D
= 10
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= 15V
–––
= 1.0MHz的
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
19
13
1.3
A
40
1.2
29
20
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 1.3A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 1.3A
的di / dt = 100A / μs的
D
S
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
当安装在1平方英寸的铜板， t<10秒
起始物为
J
= 25℃时，L = 2.6mH
R
G
= 25, I
AS
= 5.0A 。 （参见图10 ）
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
2
www.irf.com
IRF7530PbF
100
VGS
7.00V
5.00V
4.50V
3.50V
3.00V
2.70V
2.50V
BOTTOM 2.25V
顶部
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.25V
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
7.00V
5.00V
4.50V
3.50V
3.00V
2.70V
2.50V
BOTTOM 2.25V
顶部
2.25V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
10
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
10
0.1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.0
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 5.0A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 25
°
C
T
J
= 150
°
C
1.5
1.0
0.5
10
2.0
V DS = 15V
20μs的脉冲宽度
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 4.5V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRF7530PbF
2000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
1600
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
GD ，
C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
10
I
D
=
5.4A
5.0A
V
DS
= 16V
V
DS
= 10V
V
DS
= 4V
8
C，电容（pF ）
西塞
1200
6
800
4
400
2
0
科斯
CRSS
1
10
100
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
1000
I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
T
J
= 150
°
C
10
I
D
，漏电流（ A）
100
10us
10
100us
1ms
1
10ms
T
J
= 25
°
C
1
0.5
V
GS
= 0 V
1.0
1.5
2.0
0.1
0.1
T
A
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
1
10
100
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRF7530PbF
5.0
80
E
AS
，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
顶部
60
4.0
底部
ID
2.2A
4.0A
5.0A
I
D
，漏电流（ A）
3.0
40
2.0
1.0
20
0.0
25
50
T
C
，外壳温度（ ° C）
75
100
125
150
0
25
起始物为
J
，结温（
°
C)
50
75
100
125
150
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
最大雪崩能量
与漏电流
1000
热响应（Z
thJA
)
100
D = 0.50
0.20
10
0.10
0.05
0.02
1
0.01
单脉冲
（热反应）
0.1
0.00001
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJA
+ T
A
0.001
0.01
0.1
1
10
0.0001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
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IDTQS3VH16212
IDT6198S35Y
IDT23S08T-1DC
IR2233J
IMBD4448-V-GS08
IRKKF111-04DN
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    IRF7530TRPBF
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IR
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联系人：吴小姐
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