PD -96176
IRF7524D1GPbF
FETKY
TM
MOSFET &肖特基二极管
l
l
l
l
l
l
l
共同封装HEXFET电源
MOSFET和肖特基二极管
P沟道HEXFET
低V
F
肖特基整流器器
第5代技术
Micro8
TM
脚印
LEAD -FREE
无卤
A
A
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
K
K
D
D
V
DSS
= -20V
R
DS （ ON）
= 0.27
肖特基VF = 0.39V
顶视图
描述
该
FETKY
TM
家族的共同封装HEXFETs和肖特基二极管提供
用于开关稳压器设计创新的电路板空间节省解决方案
应用程序。第5代HEXFETs利用先进的加工技术，
实现极低的导通电阻每硅片面积。结合这一技术
与国际整流器公司的低正向压降肖特基整流器产生的
适用于各种各样的便携式电子设备的使用效率非常高的设备
像蜂窝电话，PDA等的应用
新Micro8封装，与标准SO- 8的一半的占位面积，提供了
TM
采用SOIC大纲可在最小的占用空间。这使得Micro8理想
其中，印刷电路板空间设备的应用是十分宝贵的。低
TM
在Micro8的个人资料（ <1.1毫米）将允许它轻松地安装到非常薄的应用
环境中，例如便携式电子设备和PCMCIA卡。
TM
Micro8
TM
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
V
GS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
最大
-1.7
-1.4
-14
1.25
0.8
10
± 12
-5.0
-55到+150
单位
A
W
毫瓦/°C的
V
V / ns的
°C
热电阻额定值
参数
R
θJA
结到环境
最大
100
单位
° C / W
注意事项：
重复评价 - 脉冲宽度有限的最大。结温度（参照图9）
I
SD
≤
-1.2A ， di / dt的
≤
100A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
150°C
脉冲宽度
≤
300μS - 占空比
≤
2%
当安装在1英寸见方的铜板来近似典型的多层印刷电路板的耐热性
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1
09/16/08
IRF7524D1GPbF
MOSFET电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏极至源极击穿电压
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
参数
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
体二极管正向电压
反向恢复时间（体二极管）
反向恢复电荷
参数
马克斯。平均正向电流
马克斯。峰值一个周期非重复性
浪涌电流
分钟。
-20
–––
–––
-0.70
1.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.17
0.28
–––
–––
–––
–––
–––
–––
5.4
0.96
2.4
9.1
35
38
43
240
130
64
典型值。
–––
–––
–––
52
63
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
0.27
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -1.2A
0.40
V
GS
= -2.7V ，我
D
= -0.60A
–––
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
–––
S
V
DS
= -10V ，我
D
= -0.60A
-1.0
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V
A
-25
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
-100
V
GS
= -12V
nA
100
V
GS
= 12V
8.2
I
D
= -1.2A
1.4
NC V
DS
= -16V
3.6
V
GS
= -4.5V ，参照图6
–––
V
DD
= -10V
–––
I
D
= -1.2A
ns
–––
R
G
= 6.0
–––
R
D
= 8.3,
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= -15V
–––
= 1.0MHz的，见图。五
MAX 。单位
条件
-1.25
A
-9.6
-1.2
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= -1.2A ，V
GS
= 0V
78
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= -1.2A
95
NC的di / dt = 100A / μs的
条件
50 ％的占空比。矩形波，T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
见图14
5μs的正弦或3μs的矩形。脉冲
以下任何额定
10ms的正弦或6ms的矩形。脉冲负载条件&
随着V
RRM
应用的
条件
I
F
≤ 1.0A ，T
J
= 25°C
I
F
= 2.0A ，T
J
= 25°C
I
F
≤ 1.0A ，T
J
= 125°C
I
F
= 2.0A ，T
J
= 125°C .
V
R
= 20V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
R
= 5V直流（ 100kHz至1MHz的） 25℃
为V
R
MOSFET的源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
肖特基二极管的最大额定值
I
F（ AV ）
I
SM
MAX 。单位
1.9
A
1.4
120
11
A
肖特基二极管电气规格
V
FM
参数
马克斯。正向电压降
MAX 。单位
0.50
0.62
V
0.39
0.57
0.02
mA
8
92
pF
3600 V / μs的
I
RM
C
t
dv / dt的
马克斯。反向漏电流
马克斯。结电容
马克斯。充电电压率
（ HEXFET是寄存器， TM国际整流器功率MOSFET的）
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