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PD - 95397
HEXFET
功率MOSFET
第五代技术
l
超低导通电阻
l
双N和P沟道MOSFET
l
超小型SOIC封装
l
薄型（ <1.1毫米）
l
可在磁带卷&
l
快速开关
l
LEAD -FREE
描述
l
S1
G1
S2
G2
N沟道MOSFET
1
8
2
3
4
7
6
5
IRF7509PbF
D1
D1
D2
D2
N沟道
P沟道
V
DSS
30V
-30V
P沟道MOSFET
顶视图
R
DS （ ON）
0.11 0.20
国际整流器第五代HEXFETs利用先进
加工技术，以实现每个硅极低的导通电阻
区。这样做的好处，结合快速开关速度和加固
设备的设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，提供了
设计师用在各种各样的非常有效和可靠的装置，用于使用
的应用程序。
新Micro8封装，与标准SO- 8的一半，占用面积，
提供了采用SOIC大纲可在最小的占用空间。这使得
的应用场合的印刷电路板空间Micro8的理想设备是在
溢价。该Micro8的低调（ <1.1毫米）将允许它轻松地安装到
如便携式电子产品极薄的应用环境和
PCMCIA卡。
Micro8
绝对最大额定值
参数
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
V
GS
V
GSM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
漏源电压
连续漏电流， V
GS
连续漏电流， V
GS
漏电流脉冲
最大功率耗散
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
栅 - 源电压单脉冲tp<10μs
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
焊接温度，持续10秒
N沟道
30
2.7
2.1
21
马克斯。
P沟道
-30
-2.0
-1.6
-16
单位
V
A
W
W
毫瓦/°C的
V
V
V / ns的
°C
1.25
0.8
10
± 20
30
5.0
-55到+ 150
240 （ 1.6毫米从案例）
热阻
参数
R
θJA
最大结点到环境
马克斯。
100
单位
° C / W
www.irf.com
1
6/15/04
IRF7509PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N-P
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
分钟。
30
-30
1.0
-1.0
1.9
0.92
典型值。马克斯。
0.059
-0.039
0.09 0.110
0.14 0.175
0.17 0.20
0.30 0.40
1.0
-1.0
25
-25
±100
7.8 12
7.5 11
1.2 1.8
1.3 1.9
2.5 3.8
2.5 3.7
4.7
9.7
10
12
12
19
5.3
9.3
210
180
80
87
32
42
单位
V
V /°C的
V
S
A
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
参考至25℃ ，我
D
= -1mA
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.7A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 0.85A
V
GS
= -10V ，我
D
=-1.2A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-0.6A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.85A
V
DS
= -10V ，我
D
= -0.6A
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0V
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= ± 20V
N沟道
I
D
= 1.7A ，V
DS
= 24V, V
GS
= 10V
P沟道
I
D
= -1.2A ，V
DS
= -24V, V
GS
= -10V
N沟道
V
DD
= 15V ，我
D
= 1.7A ，R
G
= 6.1,
R
D
= 8.7
P沟道
V
DD
= -15V ，我
D
= -1.2A ，R
G
= 6.2,
R
D
= 12
N沟道
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， = 1.0MHz的
P沟道
V
GS
= 0V, V
DS
= -25V ， = 1.0MHz的
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
nC
ns
pF
源极 - 漏极额定值和特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
1.25
-1.25 A
21
-16
1.2
T
J
= 25 ° C，I
S
= 1.7A ，V
GS
= 0V
V
-1.2
T
J
= 25 ° C，I
S
= -1.8A ，V
GS
= 0V
40
60
N沟道
ns
30
45
T
J
= 25 ° C，I
F
= 1.7A ，的di / dt = 100A / μs的
48
72
P沟道
nC
T
J
= 25 ° C，I
F
= -1.2A ，的di / dt = -100A / μs的
37
55
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图21 ）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
表面安装在FR- 4电路板，T
≤
10sec.
N沟道我
SD
≤
1.7A ， di / dt的
≤
120A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
150°C
P沟道我
SD
≤
-1.2A ， di / dt的
≤
160A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
150°C
2
www.irf.com
N - 通道
100
VGS
15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
顶部
IRF7509PbF
100
I D ，漏极 - 源极电流（A ）
I D ，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
顶部
10
10
1
1
3.0V
3.0V
0.1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25°C
A
10
0.1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150°C
A
10
V DS ，漏极至源极电压（ V）
V DS漏 - 源极电压（ V）
,
图1 。
典型的输出特性
100
图2 。
典型的输出特性
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
I
SD
，反向漏电流（ A）
10
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
1
1
0.1
3.0
3.5
4.0
4.5
V
DS
= 10V
20μs的脉冲宽度
5.0
5.5
6.0
A
0.1
0.4
0.8
1.2
1.6
V
GS
= 0V
A
2.0
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
0.220
2.0
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 1.7A
1.5
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
0.180
VGS = 4.5V
0.140
1.0
0.5
0.100
VGS = 10V
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V
GS
= 10V
100 120 140 160
A
0.060
0
2
4
6
8
10
T
J
，结温（ ° C）
I
D
，漏电流（ A）
图5 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
图6 。
典型导通电阻比。漏
当前
3
IRF7509PbF
0.140
N - 通道
100
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
I
D
，漏电流（ A）
0.120
10
10us
ID = 2.7A
0.100
100us
1
1ms
0.080
0.060
0
4
8
12
16
0.1
T
C
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
1
10
10ms
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型导通电阻比。门
电压
400
图8 。
最大安全工作区
C，电容（pF ）
300
C
国际空间站
C
OSS
200
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
20
I
D
= 1.7A
V
DS
= 24V
V
DS
= 15V
16
12
8
100
C
RSS
4
0
1
10
100
A
0
0
2
4
6
测试电路
参见图9
8
10
12
A
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图9 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图10 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
4
www.irf.com
P - 通道
10
VGS
顶部
- 15V
- 10V
- 7.0V
- 5.5V
- 4.5V
- 4.0V
- 3.5V
BOTTOM - 3.0V
IRF7509PbF
10
-ID ，漏极 - 源极电流（A ）
1
-ID ，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
- 15V
- 10V
- 7.0V
- 5.5V
- 4.5V
- 4.0V
- 3.5V
BOTTOM - 3.0V
顶部
1
-3.0V
-3.0V
0.1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25°C
A
10
0.1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150°C
A
10
-VDS ，漏极至源极电压（ V）
-VDS ，漏极至源极电压（ V）
图11 。
典型的输出特性
10
图12 。
典型的输出特性
10
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
-I
SD
，反向漏电流（ A）
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
1
1
0.1
3.0
4.0
5.0
V
DS
= -10V
20μs的脉冲宽度
6.0
7.0
A
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
V
GS
= 0V
1.2
A
1.4
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图13 。
典型的传输特性
2.0
图14 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
( )
1.5
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= -1.2A
1.5
1.0
VGS = -4.5V
1.0
0.5
0.5
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V
GS
= -10V
VGS = -10V
0.0
0
1
-I
100 120 140 160
A
2
3
4
A
T
J
，结温（ ° C）
,
，漏电流（ A）
图15 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
图16 。
典型导通电阻比。漏
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ISL28107FRTZ-T7
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IDT71P74604S333BQ
IRMCT3UF1P
IDT7134LA35PB
IRLR3715TR
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IS25C08
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