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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第620页 > IRF7488
PD - 94507
IRF7488
HEXFET
功率MOSFET
应用
l
高频DC- DC转换器
好处
l
低栅极 - 漏极电荷降低
开关损耗
l
充分界定电容含
有效的C
OSS
为简化设计， （见
应用程序。注AN1001 ）
l
充分界定雪崩电压
和电流
V
DSS
80V
R
DS （ ON）
最大
29mW@V
GS
=10V
Q
g
38nC
S
S
S
G
1
8
7
A
A
D
D
D
D
2
3
6
4
5
顶视图
SO-8
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
T
J
T
英镑
参数
漏源电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲？
最大功率耗散
最大功率耗散
线性降额因子
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
80
± 20
6.3
5.0
50
2.5
1.6
20
-55到+ 150
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
V
A
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
符号
R
θJL
R
θJA
参数
结到漏极引线
结到环境
典型值。
–––
–––
马克斯。
20
50
单位
° C / W
笔记
通过
9页
www.irf.com
1
9/23/02
IRF7488
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
DSS
I
GSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。
80
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.089
24
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
29
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 3.8A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
20
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 64V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
200
V
GS
= 20V
nA
-200
V
GS
= -20V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
9.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
38
9.1
12
13
12
44
16
1680
270
32
1760
170
340
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 15V ，我
D
= 3.8A
57
I
D
= 3.8A
NC V
DS
= 40V
V
GS
= 10V,
–––
V
DD
= 40V
–––
I
D
= 3.8A
ns
–––
R
G
= 9.1
–––
V
GS
= 10V
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 64V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至64V
雪崩特性
参数
E
AS
I
AR
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
典型值。
–––
–––
马克斯。
96
3.8
单位
mJ
A
二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
65
190
2.3
A
50
1.3
98
290
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 3.8A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 3.8A
的di / dt = 100A / μs的
D
S
2
www.irf.com
IRF7488
100
顶部
V
GS
100
顶部
V
GS
15V
12V
10V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
BOTTOM 4.0V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
1
15V
12V
10V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
BOTTOM 4.0V
10
0.1
4.0V
1
4.0V
0.01
0.001
0.1
1
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
10
100
0.1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
TJ = 150℃
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100.00
2.5
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
ID = 6.3A
VGS = 10V
2.0
ID ，漏 - 源电流
(Α
)
T J = 150℃
10.00
（归一化）
1.00
1.5
T J = 25°C
0.10
1.0
0.01
4.0
5.0
VDS = 25V
20μs的脉冲宽度
6.0
7.0
0.5
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T J ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRF7488
100000
20
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的，光盘短路
gs
CRSS = C
gd
科斯
=硫化镉+ Cgd的
ID = 3.8A
16
10000
VDS = 64V
VDS = 40V
VDS = 16V
C，电容（pF ）
12
西塞
1000
科斯
CRSS
100
8
4
0
10
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
VDS ，漏极至源极电压（ V）
Q g总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100.0
1000
在这一领域
限制根据RDS （ ON）
T J = 150℃
10.0
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
10
100sec
1msec
1
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
1
10
10msec
1.0
T J = 25°C
VGS = 0V
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VSD ，源toDrain电压（ V）
0.1
100
1000
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRF7488
7
6
V
DS
V
GS
R
D
ID ，漏电流（ A）
5
4
R
G
10V
D.U.T.
+
-
V
DD
3
2
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
图10A 。
开关时间测试电路
1
V
DS
0
25
50
75
100
125
150
T C ，外壳温度（ ° C）
90%
图9 。
最大漏极电流比。
环境温度
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
100
D = 0.50
热响应（Z thJC ）
10
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
1
0.1
单脉冲
（热反应）
0.01
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
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PD - 94507
IRF7488
HEXFET
功率MOSFET
应用
l
高频DC- DC转换器
好处
l
低栅极 - 漏极电荷降低
开关损耗
l
充分界定电容含
有效的C
OSS
为简化设计， （见
应用程序。注AN1001 ）
l
充分界定雪崩电压
和电流
V
DSS
80V
R
DS （ ON）
最大
29mW@V
GS
=10V
Q
g
38nC
S
S
S
G
1
8
7
A
A
D
D
D
D
2
3
6
4
5
顶视图
SO-8
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
T
J
T
英镑
参数
漏源电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲？
最大功率耗散
最大功率耗散
线性降额因子
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
80
± 20
6.3
5.0
50
2.5
1.6
20
-55到+ 150
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
V
A
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
符号
R
θJL
R
θJA
参数
结到漏极引线
结到环境
典型值。
–––
–––
马克斯。
20
50
单位
° C / W
笔记
通过
9页
www.irf.com
1
9/23/02
IRF7488
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
DSS
I
GSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。
80
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.089
24
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
29
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 3.8A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
20
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 64V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
200
V
GS
= 20V
nA
-200
V
GS
= -20V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
9.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
38
9.1
12
13
12
44
16
1680
270
32
1760
170
340
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 15V ，我
D
= 3.8A
57
I
D
= 3.8A
NC V
DS
= 40V
V
GS
= 10V,
–––
V
DD
= 40V
–––
I
D
= 3.8A
ns
–––
R
G
= 9.1
–––
V
GS
= 10V
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 64V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至64V
雪崩特性
参数
E
AS
I
AR
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
典型值。
–––
–––
马克斯。
96
3.8
单位
mJ
A
二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
65
190
2.3
A
50
1.3
98
290
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 3.8A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 3.8A
的di / dt = 100A / μs的
D
S
2
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IRF7488
100
顶部
V
GS
100
顶部
V
GS
15V
12V
10V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
BOTTOM 4.0V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
1
15V
12V
10V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
BOTTOM 4.0V
10
0.1
4.0V
1
4.0V
0.01
0.001
0.1
1
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
10
100
0.1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
TJ = 150℃
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100.00
2.5
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
ID = 6.3A
VGS = 10V
2.0
ID ，漏 - 源电流
(Α
)
T J = 150℃
10.00
（归一化）
1.00
1.5
T J = 25°C
0.10
1.0
0.01
4.0
5.0
VDS = 25V
20μs的脉冲宽度
6.0
7.0
0.5
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T J ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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IRF7488
100000
20
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的，光盘短路
gs
CRSS = C
gd
科斯
=硫化镉+ Cgd的
ID = 3.8A
16
10000
VDS = 64V
VDS = 40V
VDS = 16V
C，电容（pF ）
12
西塞
1000
科斯
CRSS
100
8
4
0
10
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
VDS ，漏极至源极电压（ V）
Q g总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100.0
1000
在这一领域
限制根据RDS （ ON）
T J = 150℃
10.0
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
10
100sec
1msec
1
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
1
10
10msec
1.0
T J = 25°C
VGS = 0V
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VSD ，源toDrain电压（ V）
0.1
100
1000
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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7
6
V
DS
V
GS
R
D
ID ，漏电流（ A）
5
4
R
G
10V
D.U.T.
+
-
V
DD
3
2
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
图10A 。
开关时间测试电路
1
V
DS
0
25
50
75
100
125
150
T C ，外壳温度（ ° C）
90%
图9 。
最大漏极电流比。
环境温度
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
100
D = 0.50
热响应（Z thJC ）
10
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
1
0.1
单脉冲
（热反应）
0.01
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
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