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PD - 95344

开关电源MOSFET

应用

IRF7468PbF

HEXFET

功率MOSFET

高频隔离DC- DC

转换器的同步整流

对于电信和工业应用

高频降压转换器的

计算机处理器电源

LEAD -FREE

DSS

40V

DS （ ON）

最大值（ mW）的

15.5@V

= 10V

9.4A

好处

超低栅极阻抗

非常低R

DS （ ON）

在4.5V V

充分界定雪崩电压

和电流

顶视图

SO-8

绝对最大额定值

符号

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

= 70°C

, T

英镑

参数

漏源电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

最大功率耗散

线性降额因子

结温和存储温度范围

马克斯。

± 12

9.4

7.5

2.5

1.6

0.02

-55到+ 150

单位

毫瓦/°C的

°C

热阻

符号

θJL

θJA

参数

结到漏极引线

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

单位

° C / W

笔记

通过

是第8页

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8/17/04

IRF7468PbF

静态@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

（ BR ） DSS

击穿电压温度。系数

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

分钟。

–––

静态漏 - 源极导通电阻

–––

栅极阈值电压

0.8

–––

漏极至源极漏电流

–––

栅 - 源正向漏

–––

栅 - 源反向漏

–––

典型值。

–––

0.025

11.7

13.0

18.0

–––

MAX 。单位

条件

–––

= 0V时，我

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

= 1毫安

15.5

= 10V ，我

= 9.4A

17.0毫欧V

= 4.5V ，我

= 7.5A

35.0

= 4.5V ，我

= 4.7A

2.0

= V

, I

= 250A

= 32V, V

= 0V

100

= 32V, V

= 0V ，T

= 125°C

200

= 12V

-200

= -12V

动态@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

符号

OSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

输出栅极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

–––

典型值。

–––

6.4

6.7

7.6

2.3

3.8

2460

490

MAX 。单位

条件

–––

= 20V ，我

= 8.0A

9.6

NC V

= 20V

= 4.5V,

= 0V, V

= 16V

–––

= 20V

–––

= 8.0A

–––

= 1.8

–––

= 4.5V

–––

= 0V

–––

= 20V

–––

= 1.0MHz的

雪崩特性

符号

参数

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

典型值。

–––

马克斯。

160

8.0

单位

二极管的特性

符号

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向

恢复

时间

收费

时间

收费

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

0.81

0.65

110

2.3

1.3

–––

110

160

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

= 25 ° C，I

= 8.0A ，V

= 0V

≤ 125 ° C，I

= 8.0A ，V

= 0V

= 25 ° C，I

= 8.0A ，V

=20V

的di / dt = 100A / μs的

≤ 125 ° C，I

= 8.0A ，V

=20V

的di / dt = 100A / μs的

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IRF7468PbF

1000

VGS

15V

10V

4.50V

3.00V

2.70V

2.50V

2.25V

BOTTOM 2.00V

顶部

1000

，漏极 - 源极电流（A ）

100

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

4.50V

3.00V

2.70V

2.50V

2.25V

BOTTOM 2.00V

顶部

100

2.0V

20μs的脉冲宽度

= 25

100

2.0V

0.1

20μs的脉冲宽度

= 150

100

0.1

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.0

= 150

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

= 10A

，漏极 - 源极电流（A ）

1.5

= 25

1.0

0.5

0.1

2.0

V DS = 15V

20μs的脉冲宽度

2.4

2.8

3.2

3.6

0.0

-60 -40 -20

= 4.5V

80 100 120 140 160

，栅 - 源极电压（ V）

，结温（

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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IRF7468PbF

100000

，栅 - 源极电压（ V）

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

DS短路

CRSS = C

COSS = C + C

DS GD

8.0A

= 32V

= 20V

10000

C，电容（pF ）

西塞

1000

科斯

100

CRSS

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

1000

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

，漏电流（ A）

= 150

100

10us

100us

1ms

= 25

= 25 ° C

= 150 ° C

单脉冲

10ms

100

0.1

0.4

= 0 V

0.6

0.8

1.0

1.2

，源极到漏极电压（V ）

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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图6 。

导通电阻与漏电流

IRF7468PbF

10.0

8.0

，漏电流（ A）

D.U.T.

6.0

4.5V

4.0

脉冲宽度

≤ 1

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

2.0

90%

0.0

100

125

150

，外壳温度（ ° C）

10%

D（上）

D（关闭）

图10B 。

开关时间波形

100

热响应（Z

thJA

)

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

/ t

2.峰值牛逼

= P

X Z

thJA

+ T

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

0.1

0.01

0.00001

，矩形脉冲持续时间（秒）

图10 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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