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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第847页 > IRF7433
PD -94056
IRF7433
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
超低导通电阻
P沟道MOSFET
表面贴装
可在磁带卷&
V
DSS
-12V
R
DS （ ON）
最大
24m@V
GS
= -4.5V
30m@V
GS
= -2.5V
46m@V
GS
= -1.8V
I
D
-
8.7A
-
7.4A
-
6.3A
描述
从国际这些P沟道MOSFET
整流器采用先进的加工技术，
实现每个硅极低的导通电阻
区。这样做的好处为设计者提供了一个
非常有效的装置，电池和负载使用
管理应用程序..
采用SO-8已经通过定制进行了修改
引线框架用于增强热性能和
多模能力使它成为理想的各种
电源应用。有了这些改进，多
设备可用于在应用程序中使用显着
减少了电路板空间。该软件包是专为
气相，红外，或波焊工艺。
S
1
8
7
A
D
D
D
D
S
S
G
2
3
6
4
5
T O服务P V IE W
SO-8
绝对最大额定值
参数
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
V
GS
T
J
, T
英镑
漏源电压
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
漏电流脉冲
最大功率耗散
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
结温和存储温度范围
马克斯。
-12
-8.9
-7.1
-36
2.5
1.6
0.02
±8
-55到+150
单位
V
A
W
W
W / ℃，
V
°C
热阻
参数
R
θJA
最大结点到环境
马克斯。
50
单位
° C / W
www.irf.com
1
12/15/00
IRF7433
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
-12
–––
–––
–––
–––
-0.4
22
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.007
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
20
4.5
4.0
8.8
8.2
272
175
1877
512
310
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= -1mA
24
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -8.7A
毫欧V
GS
= -2.5V ，我
D
= -7.4A
30
46
V
GS
= -1.8V ，我
D
= -6.3A
-0.9
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
–––
S
V
DS
= -10V ，我
D
= -8.7A
-1.0
V
DS
= -9.6V, V
GS
= 0V
A
-25
V
DS
= -9.6V, V
GS
= 0V ，T
J
= 70°C
-100
nA的V
GS
= -8V
100
V
GS
= 8V
–––
I
D
= -8.7A
–––
nC
V
DS
= -6V
–––
V
GS
= -4.5V
13
V
DD
= -6V, V
GS
= -4.5V
ns
12
I
D
= -1.0A
408
R
D
= 6
263
R
G
= 6
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= -10V
–––
= 1.0MHz的
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
36
28
-2.5
A
-36
-1.2
54
42
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= -2.5A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= -2.5A
的di / dt = -100A / μs的
D
S
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
当安装在1平方英寸的铜电路板，T < 10秒。
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
2
www.irf.com
IRF7433
100
VGS
顶部
-10.0V
-7.0V
-4.5V
-3.0V
-2.5V
-1.8V
-1.5V
BOTTOM -1.2V
100
VGS
-10.0V
-7.0V
-4.5V
-3.0V
-2.5V
-1.8V
-1.5V
BOTTOM -1.2V
顶部
-ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
-ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
-1.2V
1
1
-1.2V
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
0.1
0.1
1
10
100
0.1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
TJ = 150℃
10
100
-VDS ，漏极至源极电压（ V）
-VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.0
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= -8.7A
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
1.5
T
J
= 150
°
C
10
1.0
T
J
= 25
°
C
V DS = -10V
20μs的脉冲宽度
1.5
2.0
2.5
0.5
1
1.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= -4.5V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRF7433
3200
2800
6
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V中，f = 1兆赫
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = C
gd
COSS =硫化镉+ Cgd的
I
D
=
-8.7A
5
V
DS
=-9.6V
V
DS
=-6V
C，电容（pF ）
2400
2000
1600
1200
800
400
0
1
西塞
4
3
2
科斯
CRSS
1
0
10
100
0
5
10
15
20
25
-VDS ，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
-I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
-I
D
，漏电流（ A）
I
100us
10
T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C
10
1ms
1
10ms
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1
0.1
T
C
= 25 °C
T
J
= 150 °C
单脉冲
1
10
100
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRF7433
9.0
V
DS
7.5
R
D
V
GS
R
G
-I
D
，漏电流（ A）
D.U.T.
+
6.0
4.5
V
GS
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
3.0
图10A 。
开关时间测试电路
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
1.5
V
GS
0.0
25
50
75
100
125
150
10%
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
90%
V
DS
图10B 。
开关时间波形
100
热响应（Z
thJA
)
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
单脉冲
（热反应）
0.1
0.00001
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJA
+ T
A
0.01
0.1
1
10
100
10
1
0.0001
0.001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
www.irf.com
-
V
DD
5
PD -94056
IRF7433
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
超低导通电阻
P沟道MOSFET
表面贴装
可在磁带卷&
V
DSS
-12V
R
DS （ ON）
最大
24m@V
GS
= -4.5V
30m@V
GS
= -2.5V
46m@V
GS
= -1.8V
I
D
-
8.7A
-
7.4A
-
6.3A
描述
从国际这些P沟道MOSFET
整流器采用先进的加工技术，
实现每个硅极低的导通电阻
区。这样做的好处为设计者提供了一个
非常有效的装置，电池和负载使用
管理应用程序..
采用SO-8已经通过定制进行了修改
引线框架用于增强热性能和
多模能力使它成为理想的各种
电源应用。有了这些改进，多
设备可用于在应用程序中使用显着
减少了电路板空间。该软件包是专为
气相，红外，或波焊工艺。
S
1
8
7
A
D
D
D
D
S
S
G
2
3
6
4
5
T O服务P V IE W
SO-8
绝对最大额定值
参数
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
V
GS
T
J
, T
英镑
漏源电压
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
漏电流脉冲
最大功率耗散
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
结温和存储温度范围
马克斯。
-12
-8.9
-7.1
-36
2.5
1.6
0.02
±8
-55到+150
单位
V
A
W
W
W / ℃，
V
°C
热阻
参数
R
θJA
最大结点到环境
马克斯。
50
单位
° C / W
www.irf.com
1
12/15/00
IRF7433
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
-12
–––
–––
–––
–––
-0.4
22
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.007
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
20
4.5
4.0
8.8
8.2
272
175
1877
512
310
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= -1mA
24
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -8.7A
毫欧V
GS
= -2.5V ，我
D
= -7.4A
30
46
V
GS
= -1.8V ，我
D
= -6.3A
-0.9
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
–––
S
V
DS
= -10V ，我
D
= -8.7A
-1.0
V
DS
= -9.6V, V
GS
= 0V
A
-25
V
DS
= -9.6V, V
GS
= 0V ，T
J
= 70°C
-100
nA的V
GS
= -8V
100
V
GS
= 8V
–––
I
D
= -8.7A
–––
nC
V
DS
= -6V
–––
V
GS
= -4.5V
13
V
DD
= -6V, V
GS
= -4.5V
ns
12
I
D
= -1.0A
408
R
D
= 6
263
R
G
= 6
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= -10V
–––
= 1.0MHz的
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
36
28
-2.5
A
-36
-1.2
54
42
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= -2.5A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= -2.5A
的di / dt = -100A / μs的
D
S
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
当安装在1平方英寸的铜电路板，T < 10秒。
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
2
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IRF7433
100
VGS
顶部
-10.0V
-7.0V
-4.5V
-3.0V
-2.5V
-1.8V
-1.5V
BOTTOM -1.2V
100
VGS
-10.0V
-7.0V
-4.5V
-3.0V
-2.5V
-1.8V
-1.5V
BOTTOM -1.2V
顶部
-ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
-ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
-1.2V
1
1
-1.2V
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
0.1
0.1
1
10
100
0.1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
TJ = 150℃
10
100
-VDS ，漏极至源极电压（ V）
-VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.0
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= -8.7A
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
1.5
T
J
= 150
°
C
10
1.0
T
J
= 25
°
C
V DS = -10V
20μs的脉冲宽度
1.5
2.0
2.5
0.5
1
1.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= -4.5V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRF7433
3200
2800
6
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V中，f = 1兆赫
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = C
gd
COSS =硫化镉+ Cgd的
I
D
=
-8.7A
5
V
DS
=-9.6V
V
DS
=-6V
C，电容（pF ）
2400
2000
1600
1200
800
400
0
1
西塞
4
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科斯
CRSS
1
0
10
100
0
5
10
15
20
25
-VDS ，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
-I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
-I
D
，漏电流（ A）
I
100us
10
T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C
10
1ms
1
10ms
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1
0.1
T
C
= 25 °C
T
J
= 150 °C
单脉冲
1
10
100
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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9.0
V
DS
7.5
R
D
V
GS
R
G
-I
D
，漏电流（ A）
D.U.T.
+
6.0
4.5
V
GS
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
3.0
图10A 。
开关时间测试电路
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
1.5
V
GS
0.0
25
50
75
100
125
150
10%
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
90%
V
DS
图10B 。
开关时间波形
100
热响应（Z
thJA
)
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
单脉冲
（热反应）
0.1
0.00001
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJA
+ T
A
0.01
0.1
1
10
100
10
1
0.0001
0.001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
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V
DD
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