【PD- 94024AIRF7424HEXFET功率MOSFETllll超低导通电阻P沟道MOSFET】,IC型号IRF7424,IRF7424 PDF资料,IRF7424经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13751165337

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第794页 > IRF7424

PD- 94024A

IRF7424

HEXFET

功率MOSFET

l

l

l

l

超低导通电阻

P沟道MOSFET

表面贴装

可在磁带卷&

V

DSS

-30V

R

DS （ ON）

MAX（ MΩ）

)

13.5@V

GS

= -10V

22@V

GS

= -4.5V

I

D

-11A

-8.8A

描述

从国际这些P沟道MOSFET

整流器采用先进的加工技术，

实现每个硅极低的导通电阻

区。这样做的好处为设计者提供了一个

非常有效的装置，电池和负载使用

管理应用程序..

采用SO-8已经通过定制进行了修改

引线框架用于增强热性能和

多模能力使它成为理想的各种

电源应用。有了这些改进，多

设备可用于在应用程序中使用显着

减少了电路板空间。该软件包是专为

气相，红外，或波焊工艺。

S

1

8

7

A

D

D

D

D

S

S

G

2

3

6

4

5

T O服务P V IE W

SO-8

绝对最大额定值

参数

V

DS

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

A

= 70°C

V

GS

T

J,

T

英镑

漏源电压

连续漏电流， V

GS

@ -10V

连续漏电流， V

GS

@ -10V

漏电流脉冲

功耗

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

结温和存储温度范围

马克斯。

-30

-11

-9.3

-47

2.5

1.6

20

± 20

-55到+ 150

单位

V

A

W

毫瓦/°C的

V

°C

热阻

参数

R

θJA

最大结点到环境

马克斯。

50

单位

° C / W

www.irf.com

1

3/29/01

IRF7424

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

分钟。

-30

–––

–––

–––

-1.0

17

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

0.019

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

75

14

12

15

23

150

76

4030

580

410

MAX 。单位

条件

–––

V

V

GS

= 0V时，我

D

= -250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= -1mA

13.5

V

GS

= -10V ，我

D

= -11A

m

22

V

GS

= -4.5V ，我

D

= -8.8A

-2.5

V

V

DS

= V

GS

, I

D

= -250A

–––

S

V

DS

= -10V ，我

D

= -11A

-15

V

DS

= -24V, V

GS

= 0V

A

-25

V

DS

= -24V, V

GS

= 0V ，T

J

= 70°C

-100

V

GS

= -20V

nA

100

V

GS

= 20V

110

I

D

= -11A

21

NC V

DS

= -15V

18

V

GS

= -10V

–––

V

DD

= -15V

–––

I

D

= -1.0A

ns

–––

R

G

= 6.0

–––

V

GS

= -10V

–––

V

GS

= 0V

–––

pF

V

DS

= -25V

–––

= 1.0kHz

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

40

47

-2.5

A

-47

-1.2

60

71

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

G

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= -2.5A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= -2.5A

的di / dt = -100A / μs的

D

S

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。

表面安装在1平方铜电路板

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

2

www.irf.com

IRF7424

1000

VGS

顶部

-10V

-4.5V

-3.7V

-3.5V

-3.3V

-3.0V

-2.7V

BOTTOM -2.5V

1000

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

100

10

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

-10V

-4.5V

-3.7V

-3.5V

-3.3V

-3.0V

-2.7V

BOTTOM -2.5V

顶部

100

10

1

-2.5V

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

-2.5V

1

0.1

0.1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 150

°

C

1

10

100

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.0

T

J

= 150

°

C

10

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= -11A

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

1.5

1.0

T

J

= 25

°

C

1

0.5

0.1

2.5

V DS = -15V

20μs的脉冲宽度

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= -10V

0

20

40

60

80 100 120 140 160

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRF7424

6000

5000

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

=

C

国际空间站

=

C

RSS

=

C

OSS

=

0V,

F = 1MHz的

C

gs

+ C

GD ，

C

ds

短

C

gd

C

ds

+ C

gd

12

I

D

=

-11A

V

DS

=-24V

V

DS

=-15V

10

C，电容（pF ）

C

国际空间站

4000

8

3000

6

2000

4

1000

C

OSS

C

RSS

2

0

1

10

100

0

0

20

40

60

80

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

100

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

-I

SD

，反向漏电流（ A）

10

-I

D

，漏电流（ A）

I

T

J

= 150

°

C

100us

10

1ms

1

T

J

= 25

°

C

T

A

= 25 ° C

T

J

= 150 ° C

单脉冲

1

10

10ms

0.1

0.4

V

GS

= 0 V

0.6

0.8

1.0

1.2

1

0.1

100

-V

SD

，源极到漏极电压（V ）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRF7424

12

V

DS

10

R

D

V

GS

R

G

D.U.T.

+

-I

D

，漏电流（ A）

8

V

GS

6

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

4

图10A 。

开关时间测试电路

2

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

0

25

50

75

100

125

150

10%

T

C

，外壳温度（ ° C）

90%

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

V

DS

图10B 。

开关时间波形

100

D = 0.50

热响应（Z

thJA

)

10

0.20

0.10

0.05

1

0.02

0.01

P

DM

单脉冲

（热反应）

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJA

+ T

A

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

0.1

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

www.irf.com

-

V

DD

5

PD- 94024A

IRF7424

HEXFET

功率MOSFET

l

l

l

l

超低导通电阻

P沟道MOSFET

表面贴装

可在磁带卷&

V

DSS

-30V

R

DS （ ON）

MAX（ MΩ）

)

13.5@V

GS

= -10V

22@V

GS

= -4.5V

I

D

-11A

-8.8A

描述

从国际这些P沟道MOSFET

整流器采用先进的加工技术，

实现每个硅极低的导通电阻

区。这样做的好处为设计者提供了一个

非常有效的装置，电池和负载使用

管理应用程序..

采用SO-8已经通过定制进行了修改

引线框架用于增强热性能和

多模能力使它成为理想的各种

电源应用。有了这些改进，多

设备可用于在应用程序中使用显着

减少了电路板空间。该软件包是专为

气相，红外，或波焊工艺。

S

1

8

7

A

D

D

D

D

S

S

G

2

3

6

4

5

T O服务P V IE W

SO-8

绝对最大额定值

参数

V

DS

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

A

= 70°C

V

GS

T

J,

T

英镑

漏源电压

连续漏电流， V

GS

@ -10V

连续漏电流， V

GS

@ -10V

漏电流脉冲

功耗

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

结温和存储温度范围

马克斯。

-30

-11

-9.3

-47

2.5

1.6

20

± 20

-55到+ 150

单位

V

A

W

毫瓦/°C的

V

°C

热阻

参数

R

θJA

最大结点到环境

马克斯。

50

单位

° C / W

www.irf.com

1

3/29/01

IRF7424

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

分钟。

-30

–––

–––

–––

-1.0

17

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

0.019

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

75

14

12

15

23

150

76

4030

580

410

MAX 。单位

条件

–––

V

V

GS

= 0V时，我

D

= -250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= -1mA

13.5

V

GS

= -10V ，我

D

= -11A

m

22

V

GS

= -4.5V ，我

D

= -8.8A

-2.5

V

V

DS

= V

GS

, I

D

= -250A

–––

S

V

DS

= -10V ，我

D

= -11A

-15

V

DS

= -24V, V

GS

= 0V

A

-25

V

DS

= -24V, V

GS

= 0V ，T

J

= 70°C

-100

V

GS

= -20V

nA

100

V

GS

= 20V

110

I

D

= -11A

21

NC V

DS

= -15V

18

V

GS

= -10V

–––

V

DD

= -15V

–––

I

D

= -1.0A

ns

–––

R

G

= 6.0

–––

V

GS

= -10V

–––

V

GS

= 0V

–––

pF

V

DS

= -25V

–––

= 1.0kHz

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

40

47

-2.5

A

-47

-1.2

60

71

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

G

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= -2.5A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= -2.5A

的di / dt = -100A / μs的

D

S

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。

表面安装在1平方铜电路板

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

2

www.irf.com

IRF7424

1000

VGS

顶部

-10V

-4.5V

-3.7V

-3.5V

-3.3V

-3.0V

-2.7V

BOTTOM -2.5V

1000

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

100

10

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

-10V

-4.5V

-3.7V

-3.5V

-3.3V

-3.0V

-2.7V

BOTTOM -2.5V

顶部

100

10

1

-2.5V

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

-2.5V

1

0.1

0.1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 150

°

C

1

10

100

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.0

T

J

= 150

°

C

10

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= -11A

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

1.5

1.0

T

J

= 25

°

C

1

0.5

0.1

2.5

V DS = -15V

20μs的脉冲宽度

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= -10V

0

20

40

60

80 100 120 140 160

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRF7424

6000

5000

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

=

C

国际空间站

=

C

RSS

=

C

OSS

=

0V,

F = 1MHz的

C

gs

+ C

GD ，

C

ds

短

C

gd

C

ds

+ C

gd

12

I

D

=

-11A

V

DS

=-24V

V

DS

=-15V

10

C，电容（pF ）

C

国际空间站

4000

8

3000

6

2000

4

1000

C

OSS

C

RSS

2

0

1

10

100

0

0

20

40

60

80

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

100

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

-I

SD

，反向漏电流（ A）

10

-I

D

，漏电流（ A）

I

T

J

= 150

°

C

100us

10

1ms

1

T

J

= 25

°

C

T

A

= 25 ° C

T

J

= 150 ° C

单脉冲

1

10

10ms

0.1

0.4

V

GS

= 0 V

0.6

0.8

1.0

1.2

1

0.1

100

-V

SD

，源极到漏极电压（V ）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRF7424

12

V

DS

10

R

D

V

GS

R

G

D.U.T.

+

-I

D

，漏电流（ A）

8

V

GS

6

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

4

图10A 。

开关时间测试电路

2

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

0

25

50

75

100

125

150

10%

T

C

，外壳温度（ ° C）

90%

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

V

DS

图10B 。

开关时间波形

100

D = 0.50

热响应（Z

thJA

)

10

0.20

0.10

0.05

1

0.02

0.01

P

DM

单脉冲

（热反应）

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJA

+ T

A

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

0.1

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

www.irf.com

-

V

DD

5

查看更多IRF7424PDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2880707522 复制

点击这里给我发消息

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

IRF7424

-

-

-

-

终端采购配单精选

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

IRF7424

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

源辰芯科技（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1076493713 复制

点击这里给我发消息

QQ：173779730 复制

电话：0755-82170267

联系人：李经理

地址：深圳市福田区园岭街道上林社区八卦四路2号先科机电大厦1210

IRF7424

IOR

22+

37856

SOP8

【分销系列100%原装★价格绝对优势！】

江苏芯钻时代电子科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1316996791 复制

电话：18913062888

联系人：陈先生

地址：江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号

IRF7424

Infineon

24+

5200

SO8

原装正品现货

深圳市银芯龙科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1184826453 复制

电话：13510131896

联系人：欧阳

地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514

IRF7424

IR

20+

20500

SOP-8

只做原装公司现货

深圳市向鸿伟业电子有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2110158237 复制

点击这里给我发消息

QQ：316279873 复制

点击这里给我发消息

QQ：1298863740 复制

点击这里给我发消息

QQ：932480677 复制

电话：0755-82561519

联系人：李先生

地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室

IRF7424

IR

2402+

8324

SOP-8

原装正品！实单价优！

深圳市晶美隆科技有限公司销售一部

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2885348317 复制

点击这里给我发消息

QQ：2885348339 复制

电话：0755-83209630 82519391

联系人：许小姐

地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

IRF7424

IOR

24+

11880

SOP8

优势现货，只做原装正品

深圳市晶美隆科技有限公司销售一部

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2885348317 复制

点击这里给我发消息

QQ：2885348339 复制

电话：0755-83209630 82519391

联系人：许小姐

地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

IRF7424

IR

24+

15372

SOP-8

全新原装正品现货热卖

深圳市鑫远鹏科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2885741998 复制

点击这里给我发消息

QQ：2885742022 复制

电话：15112667855

联系人：谌小姐

地址：深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E

IRF7424

IR

18+

16000

SOP8

深圳市创芯联盈电子有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

IRF7424

IR

2443+

23000

SOP-8

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市诺洋电子科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881501652 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003

联系人：朱

地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316

IRF7424

IR(国际整流器)

24+

30000

全新原装现货，原厂代理。

深圳市华斯顿电子科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1002316308 复制

点击这里给我发消息

QQ：515102657 复制

电话：0755-83777708/83777607/82799993

联系人：朱咸华

地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

IRF7424

IR

25+23+

21500

SOIC-8

绝对全新原装现货！原装原标原包渠道优势！

查询更多IRF7424供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计

复制成功！