PD- 91412L
IRF7422D2
FETKY
TM
MOSFET &肖特基二极管
共同封装HEXFET电源
MOSFET和肖特基二极管
理想的降压稳压器的应用
P沟道HEXFET
低V
F
肖特基整流器器
第5代技术
SO- 8封装
描述
该
FETKY
TM
家庭组合包装HEXFETs和
肖特基二极管为设计人员提供一个创新
节省电路板空间解决方案，开关稳压器
和电源管理应用。第5代
HEXFETs利用先进的加工技术
实现极低的导通电阻每硅片面积。
Combinining这项技术与国际
IR的低正向压降肖特基整流器结果
在适合于在使用一个非常有效的装置
各种各样的便携式电子设备的应用程序。
采用SO-8已经通过定制进行了修改
引线框架，增强散热性能。该
SO- 8封装是专为气相，红外或
波峰焊技术。
A
A
S
G
1
8
7
A
A
D
D
D
D
V
DSS
= -20V
R
DS （ ON）
= 0.09
肖特基VF = 0.52V
2
3
6
4
5
顶视图
SO-8
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
V
GS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
最大
-4.3
-3.4
-33
2.0
1.3
16
± 12
-5.0
-55到+150
单位
A
W
毫瓦/°C的
V
V / ns的
°C
热电阻额定值
参数
R
θJA
结到环境
最大
62.5
单位
° C / W
注意事项：
重复评价 - 脉冲宽度有限的最大。结温度（参见图11）
I
SD
≤
-2.2A ， di / dt的
≤
-50A /微秒，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
150°C
脉冲宽度
≤
300μS - 占空比
≤
2%
表面安装在FR- 4电路板，T
≤
10sec.
www.irf.com
1
11/27/01
IRF7422D2
MOSFET电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏极至源极击穿电压
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
参数
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
体二极管正向电压
反向恢复时间（体二极管）
反向RecoveryCharge
参数
马克斯。平均正向电流
马克斯。峰值一个周期非重复性
浪涌电流
分钟。
-20
–––
–––
-0.70
4.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.07
0.115
–––
–––
–––
–––
–––
–––
15
2.2
6.0
8.4
26
51
33
610
310
170
典型值。
–––
–––
–––
56
71
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
0.09
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2.2A
0.14
V
GS
= -2.7V ，我
D
= -1.8A
–––
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
–––
S
V
DS
= -16V ，我
D
= -2.2A
-1.0
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V
A
-25
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
-100
V
GS
= -12V
nA
100
V
GS
= 12V
22
I
D
= -2.2A
3.3
NC V
DS
= -16V
9.0
V
GS
= -4.5V ，参照图6,9
–––
V
DD
= -10V
–––
I
D
= -2.2A
ns
–––
R
G
= 6.0
–––
R
D
= 4.5Ω ，参照图10
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= -15V
–––
= 1.0MHz的，见图。五
MAX 。单位
条件
-2.5
A
-17
-1.0
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= -1.8A ，V
GS
= 0V
84
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= -2.2A
110
NC的di / dt = -100A / μs的
条件
50 ％的占空比。矩形波， TC = 25℃
50 ％的占空比。矩形波， TC = 70℃
5μs的正弦或3μs的矩形。脉冲
以下任何额定
10ms的正弦或6ms的矩形。脉冲负载条件&
与VRRM应用
MOSFET的源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
肖特基二极管的最大额定值
IF（ AV）
I
SM
MAX 。单位
2.8
A
1.8
200
20
A
肖特基二极管电气规格
VFM
参数
马克斯。正向电压降
MAX 。单位
0.57
0.77
V
0.52
0.79
0.13
mA
18
310
pF
4900 V / μs的
条件
如果= 3.0 ， TJ = 25°C
如果= 6.0 ， TJ = 25°C
如果= 3.0 ， TJ = 125°C
如果= 6.0 ， TJ = 125°C 。
VR = 20V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
VR = 5V直流（ 100kHz至1MHz的） 25℃
额定Vr的
IRM
Ct
dv / dt的
马克斯。反向漏电流
马克斯。结电容
马克斯。充电电压率
（ HEXFET是寄存器， TM国际整流器功率MOSFET的）
2
www.irf.com
PD- 91412L
IRF7422D2
FETKY
TM
MOSFET &肖特基二极管
共同封装HEXFET电源
MOSFET和肖特基二极管
理想的降压稳压器的应用
P沟道HEXFET
低V
F
肖特基整流器器
第5代技术
SO- 8封装
描述
该
FETKY
TM
家庭组合包装HEXFETs和
肖特基二极管为设计人员提供一个创新
节省电路板空间解决方案，开关稳压器
和电源管理应用。第5代
HEXFETs利用先进的加工技术
实现极低的导通电阻每硅片面积。
Combinining这项技术与国际
IR的低正向压降肖特基整流器结果
在适合于在使用一个非常有效的装置
各种各样的便携式电子设备的应用程序。
采用SO-8已经通过定制进行了修改
引线框架，增强散热性能。该
SO- 8封装是专为气相，红外或
波峰焊技术。
A
A
S
G
1
8
7
A
A
D
D
D
D
V
DSS
= -20V
R
DS （ ON）
= 0.09
肖特基VF = 0.52V
2
3
6
4
5
顶视图
SO-8
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
V
GS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
最大
-4.3
-3.4
-33
2.0
1.3
16
± 12
-5.0
-55到+150
单位
A
W
毫瓦/°C的
V
V / ns的
°C
热电阻额定值
参数
R
θJA
结到环境
最大
62.5
单位
° C / W
注意事项：
重复评价 - 脉冲宽度有限的最大。结温度（参见图11）
I
SD
≤
-2.2A ， di / dt的
≤
-50A /微秒，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
150°C
脉冲宽度
≤
300μS - 占空比
≤
2%
表面安装在FR- 4电路板，T
≤
10sec.
www.irf.com
1
11/27/01
IRF7422D2
MOSFET电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏极至源极击穿电压
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
参数
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
体二极管正向电压
反向恢复时间（体二极管）
反向RecoveryCharge
参数
马克斯。平均正向电流
马克斯。峰值一个周期非重复性
浪涌电流
分钟。
-20
–––
–––
-0.70
4.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.07
0.115
–––
–––
–––
–––
–––
–––
15
2.2
6.0
8.4
26
51
33
610
310
170
典型值。
–––
–––
–––
56
71
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
0.09
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2.2A
0.14
V
GS
= -2.7V ，我
D
= -1.8A
–––
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
–––
S
V
DS
= -16V ，我
D
= -2.2A
-1.0
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V
A
-25
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
-100
V
GS
= -12V
nA
100
V
GS
= 12V
22
I
D
= -2.2A
3.3
NC V
DS
= -16V
9.0
V
GS
= -4.5V ，参照图6,9
–––
V
DD
= -10V
–––
I
D
= -2.2A
ns
–––
R
G
= 6.0
–––
R
D
= 4.5Ω ，参照图10
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= -15V
–––
= 1.0MHz的，见图。五
MAX 。单位
条件
-2.5
A
-17
-1.0
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= -1.8A ，V
GS
= 0V
84
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= -2.2A
110
NC的di / dt = -100A / μs的
条件
50 ％的占空比。矩形波， TC = 25℃
50 ％的占空比。矩形波， TC = 70℃
5μs的正弦或3μs的矩形。脉冲
以下任何额定
10ms的正弦或6ms的矩形。脉冲负载条件&
与VRRM应用
MOSFET的源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
肖特基二极管的最大额定值
IF（ AV）
I
SM
MAX 。单位
2.8
A
1.8
200
20
A
肖特基二极管电气规格
VFM
参数
马克斯。正向电压降
MAX 。单位
0.57
0.77
V
0.52
0.79
0.13
mA
18
310
pF
4900 V / μs的
条件
如果= 3.0 ， TJ = 25°C
如果= 6.0 ， TJ = 25°C
如果= 3.0 ， TJ = 125°C
如果= 6.0 ， TJ = 125°C 。
VR = 20V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
VR = 5V直流（ 100kHz至1MHz的） 25℃
额定Vr的
IRM
Ct
dv / dt的
马克斯。反向漏电流
马克斯。结电容
马克斯。充电电压率
（ HEXFET是寄存器， TM国际整流器功率MOSFET的）
2
www.irf.com
PD- 91412L
IRF7422D2
FETKY
TM
MOSFET &肖特基二极管
共同封装HEXFET电源
MOSFET和肖特基二极管
理想的降压稳压器的应用
P沟道HEXFET
低V
F
肖特基整流器器
第5代技术
SO- 8封装
描述
该
FETKY
TM
家庭组合包装HEXFETs和
肖特基二极管为设计人员提供一个创新
节省电路板空间解决方案，开关稳压器
和电源管理应用。第5代
HEXFETs利用先进的加工技术
实现极低的导通电阻每硅片面积。
Combinining这项技术与国际
IR的低正向压降肖特基整流器结果
在适合于在使用一个非常有效的装置
各种各样的便携式电子设备的应用程序。
采用SO-8已经通过定制进行了修改
引线框架，增强散热性能。该
SO- 8封装是专为气相，红外或
波峰焊技术。
A
A
S
G
1
8
7
A
A
D
D
D
D
V
DSS
= -20V
R
DS （ ON）
= 0.09
肖特基VF = 0.52V
2
3
6
4
5
顶视图
SO-8
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
V
GS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
最大
-4.3
-3.4
-33
2.0
1.3
16
± 12
-5.0
-55到+150
单位
A
W
毫瓦/°C的
V
V / ns的
°C
热电阻额定值
参数
R
θJA
结到环境
最大
62.5
单位
° C / W
注意事项：
重复评价 - 脉冲宽度有限的最大。结温度（参见图11）
I
SD
≤
-2.2A ， di / dt的
≤
-50A /微秒，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
150°C
脉冲宽度
≤
300μS - 占空比
≤
2%
表面安装在FR- 4电路板，T
≤
10sec.
www.irf.com
1
11/27/01
IRF7422D2
MOSFET电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏极至源极击穿电压
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
参数
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
体二极管正向电压
反向恢复时间（体二极管）
反向RecoveryCharge
参数
马克斯。平均正向电流
马克斯。峰值一个周期非重复性
浪涌电流
分钟。
-20
–––
–––
-0.70
4.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.07
0.115
–––
–––
–––
–––
–––
–––
15
2.2
6.0
8.4
26
51
33
610
310
170
典型值。
–––
–––
–––
56
71
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
0.09
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2.2A
0.14
V
GS
= -2.7V ，我
D
= -1.8A
–––
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
–––
S
V
DS
= -16V ，我
D
= -2.2A
-1.0
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V
A
-25
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
-100
V
GS
= -12V
nA
100
V
GS
= 12V
22
I
D
= -2.2A
3.3
NC V
DS
= -16V
9.0
V
GS
= -4.5V ，参照图6,9
–––
V
DD
= -10V
–––
I
D
= -2.2A
ns
–––
R
G
= 6.0
–––
R
D
= 4.5Ω ，参照图10
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= -15V
–––
= 1.0MHz的，见图。五
MAX 。单位
条件
-2.5
A
-17
-1.0
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= -1.8A ，V
GS
= 0V
84
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= -2.2A
110
NC的di / dt = -100A / μs的
条件
50 ％的占空比。矩形波， TC = 25℃
50 ％的占空比。矩形波， TC = 70℃
5μs的正弦或3μs的矩形。脉冲
以下任何额定
10ms的正弦或6ms的矩形。脉冲负载条件&
与VRRM应用
MOSFET的源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
肖特基二极管的最大额定值
IF（ AV）
I
SM
MAX 。单位
2.8
A
1.8
200
20
A
肖特基二极管电气规格
VFM
参数
马克斯。正向电压降
MAX 。单位
0.57
0.77
V
0.52
0.79
0.13
mA
18
310
pF
4900 V / μs的
条件
如果= 3.0 ， TJ = 25°C
如果= 6.0 ， TJ = 25°C
如果= 3.0 ， TJ = 125°C
如果= 6.0 ， TJ = 125°C 。
VR = 20V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
VR = 5V直流（ 100kHz至1MHz的） 25℃
额定Vr的
IRM
Ct
dv / dt的
马克斯。反向漏电流
马克斯。结电容
马克斯。充电电压率
（ HEXFET是寄存器， TM国际整流器功率MOSFET的）
2
www.irf.com
QQ：2881677436 复制
