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PD - 96028A
IRF7410PbF
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
超低导通电阻
P沟道MOSFET
表面贴装
可在磁带卷&
LEAD -FREE
V
DSS
-12V
R
DS ( ON)
最大
7m@V
GS
= -4.5V
9m@V
GS
= -2.5V
13m@V
GS
= -1.8V
I
D
-
16A
-
13.6A
-
11.5A
描述
这些P型沟道HEXFET
从功率MOSFET
国际整流器利用先进的加工
技术,以实现非常低的导通电阻
每硅片面积。这样做的好处提供设计师
用一个非常有效的装置,用于在电池使用
和负载管理应用..
采用SO-8已经通过定制进行了修改
引线框架用于增强热性能和
多模能力使它成为理想的各种
电源应用。有了这些改进,多
设备可用于在应用程序中使用显着
减少了电路板空间。该软件包是专为
气相,红外,或波焊工艺。
S
1
8
A
D
D
D
D
S
S
G
2
7
3
6
4
5
顶视图
SO-8
绝对最大额定值
参数
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
V
GS
T
J,
T
英镑
漏源电压
连续漏电流, V
GS
@ -4.5V
连续漏电流, V
GS
@ -4.5V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
结温和存储温度范围
马克斯。
-12
-16
-13
-65
2.5
1.6
20
±8
-55到+150
单位
V
A
W
毫瓦/°C的
V
°C
热阻
参数
R
θJA
最大结点到环境
马克斯。
50
单位
° C / W
www.irf.com
1
8/25/06
IRF7410PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
-12
–––
–––
-0.4
55
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.006
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
91
18
25
13
12
271
200
8676
2344
1604
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= -250A
--- V / ° C参考到25° C,I
D
= -1mA
7
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -16A
毫欧V
GS
= -2.5V ,我
D
= -13.6A
9
13
V
GS
= -1.8V ,我
D
= -11.5A
-0.9
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
–––
S
V
DS
= -10V ,我
D
= -16A
-1.0
V
DS
= -9.6V, V
GS
= 0V
A
-25
V
DS
= -9.6V, V
GS
= 0V ,T
J
= 70°C
-100
nA的V
GS
= -8V
100
V
GS
= 8V
–––
I
D
= -16A
–––
nC
V
DS
= -9.6V
–––
V
GS
= -4.5V
20
V
DD
= -6V, V
GS
= -4.5V
ns
18
I
D
= -1.0A
407
R
D
= 6
300
R
G
= 6
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= -10V
–––
= 1.0MHz的
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
97
134
-2.5
-65
-1.2
145
201
V
ns
C
A
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C,I
S
= -2.5A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C,I
F
= -2.5A
的di / dt = -100A / μs的
D
S
注意事项:
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
表面安装在1平方铜电路板,T
10sec.
脉冲宽度
400μS ;占空比
2%.
2
www.irf.com
IRF7410PbF
100
100
VGS
顶部
-7.0V
-5.0V
-4.5V
-2.5V
-1.8V
-1.5V
-1.2V
BOTTOM -1.0V
VGS
-7.0V
-5.0V
-4.5V
-2.5V
-1.8V
-1.5V
-1.2V
BOTTOM -1.0V
顶部
-ID ,漏极 - 源极电流(A )
10
-ID ,漏极 - 源极电流(A )
10
1
-1.0V
20μs的脉冲宽度
TJ = 150℃
1
-1.0V
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
0.1
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
-VDS漏极至源极电压( V)
,
-VDS漏极至源极电压( V)
,
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
(归一化)
2.0
I
D
= -16A
-I
D
,漏极 - 源极电流(A )
T
J
= 150
°
C
1.5
10
1.0
T
J
= 25
°
C
0.5
1
1.0
V DS = -10V
20μs的脉冲宽度
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= -4.5V
0
20 40 60 80 100 120 140 160
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
J
,结温(
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRF7410PbF
14000
12000
6
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
VGS = 0V中,f = 1兆赫
西塞=的Cgs + Cgd的,光盘短路
CRSS = Cgd的
I
D
=
-16A
V
DS
=-9.6V
5
C,电容(pF )
10000
8000
6000
4000
2000
0
1
西塞
COSS =硫化镉+ Cgd的
4
3
2
科斯
CRSS
1
0
10
100
0
20
40
60
80
100
120
-VDS ,漏极至源极电压( V)
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
1000
-I
SD
,反向漏电流( A)
在这一领域有限
由R
DS ( ON)
T
J
= 150
°
C
-I
D
,漏电流( A)
I
10
100
100us
T
J
= 25
°
C
1
1ms
10
10ms
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.4
0.6
0.8
1.0
1
0.1
T
C
= 25 °C
T
J
= 150 °C
单脉冲
1
10
100
-V
SD
,源极到漏极电压(V )
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRF7410PbF
16
V
DS
V
GS
R
D
-I
D
,漏电流( A)
12
8
V
GS
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
4
图10A 。
开关时间测试电路
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
GS
0
25
50
75
100
125
150
10%
T
C
,外壳温度( ° C)
90%
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
V
DS
图10B 。
开关时间波形
100
D = 0.50
10
0.20
0.10
0.05
1
0.02
0.01
P
DM
t
1
0.1
单脉冲
(热反应)
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJA
+ T
A
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t
2
热响应(Z
thJA
)
0.01
0.00001
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结到环境
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+
-
R
G
D.U.T.
V
DD
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IRF7410PBF
    -
    -
    -
    -
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IRF7410PBF
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SOIC-8
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电话:18922805453
联系人:连
地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
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联系人:郑
地址:中航路新亚洲二期N3D039
IRF7410PBF
IR
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联系人:欧阳
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IRF7410PBF
IR
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IR
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IRF7410PBF
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IR
1420
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IRF7410PBF
IR
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NA
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