PD- 92005
开关电源MOSFET
IRF740AS/L
HEXFET
功率MOSFET
应用
l
开关模式电源（SMPS ）
l
不间断电源
l
高速电源开关
好处
l
低栅极电荷Qg结果简单
驱动要求
l
改进的门，雪崩和动态
的dv / dt坚固
l
充分界定电容和
雪崩电压和电流
l
有效Coss规定（见AN 1001 ）
V
DSS
400V
RDS（ON）最大值
0.55
I
D
10A
D 2白
T O服务-26 2
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
10
6.3
40
3.1
125
1.0
± 30
5.9
-55到+ 150
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
典型SMPS拓扑：
l
l
单管反激XFMR 。重置
单管正激XFMR 。重置
（无论是对美国的线路输入只）
通过
在第10页
笔记
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IRF740AS/L
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
DSS
I
GSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。
400
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.48
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
–––
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安？
0.55
V
GS
= 10V ，我
D
= 6.0A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
25
V
DS
= 400V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 320V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
100
V
GS
= 30V
nA
-100
V
GS
= -30V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
4.9
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
–––
–––
10
35
24
22
1030
170
7.7
1490
52
61
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 50V ，我
D
= 6.0A
36
I
D
= 10A
9.9
nC
V
DS
= 320V
16
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 200V
–––
I
D
= 10A
ns
–––
R
G
= 10
–––
R
D
= 19.5Ω ，参照图10
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 320V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至320V
雪崩特性
参数
E
AS
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
630
10
12.5
单位
mJ
A
mJ
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（ PCB安装，稳态） *
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
典型值。
–––
–––
马克斯。
1.0
40
单位
° C / W
二极管的特性
分钟。典型值。马克斯。单位
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
条件
D
MOSFET符号
10
––– –––
展示
A
G
整体反转
––– –––
40
S
p-n结二极管。
––– ––– 2.0
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 10A ，V
GS
= 0V
––– 240 360
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 10A
––– 1.9 2.9
μC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
2
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100
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
10
1
1
0.1
4.5V
4.5V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.01
0.1
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
3.0
I
D
= 10A
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.5
10
2.0
T
J
= 150
°
C
1.5
1
1.0
T
J
= 25
°
C
V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
0.5
0.1
4.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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20
100000
I
D
= 10A
V
DS
= 320V
V
DS
= 200V
V
DS
= 80V
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
10000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的，C
gs
DS短路
CRSS = C
gd
COSS = C + C
DS GD
16
C，电容（pF ）
1000
西塞
12
100
科斯
8
10
CRSS
4
1
1
10
100
1000
0
0
10
20
测试电路
见图13
30
40
VDS ，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
I
SD
，反向漏电流（ A）
10us
10
I
D
，漏电流（ A）
T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C
1
100us
10
1ms
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
T
C
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
10
100
10ms
1000
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
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10.0
V
DS
V
GS
R
D
8.0
D.U.T.
+
R
G
I
D
，漏电流（ A）
-
V
DD
6.0
10V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
4.0
图10A 。
开关时间测试电路
2.0
V
DS
90%
0.0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度
( °C)
10%
V
GS
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
10
热响应（Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.001
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
36
9.9
16
单身
D
特点
400
0.55
低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
需求
改进的门，雪崩和动态dv / dt的
耐用性
全
特征
电容
和
雪崩电压和电流
有效的C
OSS
指定（ AN 1001 ）
铅（Pb） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
I
2
PAK
(TO-262)
D
2
PAK
(TO-263)
应用
开关模式电源（SMPS ）
·不间断电源
高速电源开关
G
D
S
G
典型SMPS拓扑
S
N沟道
MOSFET
单管反激XFMR 。重置
单管正激XFMR 。重置
（无论是对美国的线路输入专用）
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF740ASPbF
SiHF740AS-E3
IRF740AS
SiHF740AS
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF740ASTRLPbF
a
SiHF740ASTL-E3
a
IRF740ASTRL
a
SiHF740ASTL
a
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF740ASTRRPbF
a
SiHF740ASTR-E3
a
IRF740ASTRR
a
SiHF740ASTR
a
I
2
PAK （ TO- 262 ）
IRF740ALPbF
SiHF740AL-E3
IRF740AL
SiHF740AL
记
一。请参阅设备的方向。
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
e
漏电流脉冲
A，E
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
B，E
雪崩电流
a
Repetiitive雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
C，E
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
极限
400
± 30
10
6.3
40
1.0
630
10
12.5
3.1
125
5.9
- 55至+ 150
300
d
单位
V
A
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 12.6 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 10 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
10 A ， di / dt的
≤
330 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
。使用IRF740A / SiHF740A数据和试验条件。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91052
S-挂起-REV 。 A， 19军08
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WORK -IN -PROGRESS
IRF740AS ， IRF740AL ， SiHF740AS ， SiHF740AL
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结到环境（PCB
安装，稳态）
a
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJC
典型值。
-
-
马克斯。
40
1.0
单位
° C / W
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
d
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 320 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.0 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 6.0 A
d
400
-
2.0
-
-
-
-
4.9
-
0.48
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.55
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
d
V
DS
= 1.0 V，F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V
V
DS
= 320 V，F = 1.0 MHz的
V
DS
= 0 V至400 V
C，D
V
GS
= 10 V
I
D
= 10 A，V
DS
= 320 V,
参见图。 6和13
B，D
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1030
170
7.7
1490
52
61
-
-
-
10
35
24
22
-
-
-
-
-
-
36
9.9
16
-
-
-
-
ns
nC
pF
V
DD
= 200 V，I
D
= 10 A,
R
G
= 10
Ω,
R
D
= 19.5
Ω,
参见图。 10
B，D
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
240
1.9
10
A
40
2.0
360
2.9
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 10 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 10 A， di / dt的= 100 A / μs的
B，D
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
c. C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DS
.
。使用IRF740A / SiHF740A数据和试验条件。
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IRF740AS ， IRF740AL ， SiHF740AS ， SiHF740AL
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
T
J
= 150
°
C
1
1
0.1
4.5V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
T
J
= 25
°
C
V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
0.01
0.1
0.1
4.0
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 1 - 典型的输出特性
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图。 3 - 典型的传输特性
100
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
3.0
I
D
= 10A
2.5
10
2.0
1.5
1
1.0
4.5V
0.5
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 2 - 典型的输出特性
T
J
，结温（
°
C)
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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3
IRF740AS ， IRF740AL ， SiHF740AS ， SiHF740AL
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100000
10000
COSS = C + Cgd的
ds
I
SD
，反向漏电流（ A）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的，C
gs
DS短路
CRSS = C
gd
100
C，电容（pF ）
10
1000
西塞
T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C
1
100
科斯
10
CRSS
1
1
10
100
1000
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
VDS ，漏极至源极电压（ V）
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
20
I
D
= 10A
V
DS
= 320V
V
DS
= 200V
V
DS
= 80V
100
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
10us
16
12
I
D
，漏电流（ A）
100us
10
8
1ms
4
0
0
10
20
测试电路
见图13
30
40
1
T
C
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
10
100
10ms
1000
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 8 - 最高安全工作区
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R
D
10.0
V
GS
V
DS
D.U.T.
+
-
V
DD
8.0
R
G
I
D
，漏电流（ A）
10
V
6.0
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
4.0
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
2.0
90
%
0.0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
10
%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 10B - 开关时间波形
10
热响应（Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
P
DM
单脉冲
（热反应）
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.001
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
15
V
V
DS
t
p
V
DS
L
司机
R
G
20
V
t
p
D.U.T
I
AS
0.01
Ω
+
A
-
V
DD
I
AS
图。 12A - 非钳位感应测试电路
图。 12B - 松开电感的波形
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