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PD - 95203
第五代技术
l
超低导通电阻
l
P沟道MOSFET
l
表面贴装
l
可在磁带卷&
l
动态的dv / dt额定值
l
快速开关
l
LEAD -FREE
描述
l
HEXFET
功率MOSFET
S
1
2
3
4
8
7
IRF7404PbF
A
D
D
D
D
S
S
G
V
DSS
= -20V
R
DS ( ON)
= 0.040
6
5
顶视图
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术,实现了
尽可能低的导通电阻每硅片面积。这
益处,结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计,HEXFET功率
MOSFET是众所周知的,为设计者提供
以在很宽的一个非常有效的装置,用于使用
各种应用程序。
采用SO-8已经通过定制进行了修改
引线框架用于增强热性能和
多模能力使它成为理想的各种
电源应用。有了这些改进,多
设备可用于在应用程序中使用显着
减少了电路板空间。该软件包是专为
气相,红外,或波峰焊技术。
大于0.8W的功耗有可能在
一个典型的印刷电路板安装的应用程序。
SO-8
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
10秒。漏电流脉冲,V
GS
@ -4.5V
连续漏电流, V
GS
@ -4.5V
连续漏电流, V
GS
@ -4.5V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
马克斯。
-7.7
-6.7
-5.4
-27
2.5
0.02
± 12
-5.0
-55到+ 150
单位
A
W
W / ℃,
V
V / ns的
°C
热电阻额定值
参数
R
θJA
最大结点到环境?
典型值。
马克斯。
50
单位
° C / W
www.irf.com
1
9/30/04
IRF7404PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
-20
-0.70
6.8
TYP 。 MAX 。单位
条件
V
V
GS
= 0V ,ID = -250μA
-0.012 --- V / ° C参考到25° C,I
D
= -1mA
0.040
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -3.2A
0.060
V
GS
= -2.7V ,我
D
= -2.7A
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
S
V
DS
= -15V ,我
D
= -3.2A
-1.0
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V
A
-25
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125°C
-100
V
GS
= -12V
nA
100
V
GS
= 12V
50
I
D
= -3.2A
5.5
NC V
DS
= -16V
21
V
GS
= -4.5V ,参照图6和12
14
V
DD
= -10V
32
I
D
= -3.2A
ns
100
R
G
= 6.0
65
R
D
= 3.1Ω ,参照图10
2.5
4.0
nH
pF
D
与无铅烙铁头
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= -15V
= 1.0MHz的,见图。五
G
S
1500
730
340
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
69
71
-3.1
A
-27
-1.0
100
110
V
ns
C
条件
D
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
S
T
J
= 25 ° C,I
S
= -2.0A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C,I
F
= -3.2A
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的(导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项:
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 (参见图11)
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
I
SD
-3.2A , di / dt的
-65A /微秒,V
DD
V
( BR ) DSS
,
T
J
150°C
表面安装在FR- 4电路板,T
10sec.
2
www.irf.com
IRF7404PbF
1000
VGS
- 7.5V
- 5.0V
- 4.0V
- 3.5V
- 3.0V
- 2.5V
- 2.0V
BOTTOM - 1.5V
顶部
1000
-I D,漏极 - 源极电流(A )
-ID ,漏极 - 源极电流(A )
100
100
VGS
- 7.5V
- 5.0V
- 4.0V
- 3.5V
- 3.0V
- 2.5V
- 2.0V
BOTTOM - 1.5V
顶部
10
10
-1.5V
1
1
-1.5V
0.1
0.01
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25°C
A
0.1
1
10
100
0.1
0.01
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150°C
0.1
1
10
100
A
-VDS ,漏极至源极电压( V)
-VDS ,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.0
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
(归一化)
I
D
= -5.3A
-I
D
,漏极 - 源极电流(A )
1.5
10
1.0
0.5
1
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
= -15V
20μs的脉冲宽度
3.5
4.0
4.5
5.0
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V
GS
= -4.5V
100 120 140 160
A
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
J
,结温( ° C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRF7404PbF
3000
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
10
I
D
= -3.2A
V
DS
= -16V
8
C,电容(pF )
2000
C
国际空间站
C
OSS
6
4
1000
C
RSS
2
0
1
10
100
A
0
0
10
20
30
测试电路
见图12
40
50
60
A
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
-I
SD
,反向漏电流( A)
在这一领域有限
由R
DS ( ON)
10
T
J
= 25°C
-I
D
,漏电流( A)
I
T
J
= 150°C
10
1ms
1
10ms
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
GS
= 0V
1.4
1.6
1
0.1
T
A
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
1
10
100
-V
SD
,源极到漏极电压(V )
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRF7404PbF
8.0
V
DS
V
GS
R
D
D.U.T.
-
V
+ DD
-I
D
,漏电流( A)
6.0
R
G
-4.5V
A
4.0
脉冲宽度
1s
占空比
0.1%
图10A 。
开关时间测试电路
2.0
V
DS
90%
0.0
25
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度( ° C)
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
图9 。
最大漏极电流比。
环境温度
图10B 。
开关时间波形
100
热响应(Z
thJA
)
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
1
0.01
单脉冲
(热反应)
P
DM
t
1
t
2
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJA
+ T
A
0.01
0.1
1
10
100
10
0.1
0.0001
0.001
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结到环境
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    联系人:杨小姐
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    IRF7404TRPBF
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
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IR(国际整流器)
22+
11631
原装原厂公司现货
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电话:0755-23051326
联系人:张先生
地址:深圳市福田区华强北佳和大厦A座11B03室
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2023+
6845
SOP8
专注进口原装,公司现货出售
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电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
IRF7404TRPBF
INFINEON/英飞凌
21+
20000
SOP-8
只做原装实单申请
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电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
IRF7404TRPBF
INFINEON
21+
12000
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只做原装实单申请
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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INFINEON
2020+
32000
SOP8
只做原装实单申请
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电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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IR
1115+
1717
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只做原装实单申请
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
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IRF7404TRPBF
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7890
SOIC-8
代理Infineon Technologies专营,原装现货优势
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电话:13316817713
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地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西6楼
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IR
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电话:0755-23991909
联系人:林裕忠
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