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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第470页 > IRF7389TR
PD - 91645A
IRF7389
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
第五代技术
超低导通电阻
免费半桥
表面贴装
全额定雪崩
S1
G1
S2
G2
N沟道MOSFET
1
8
D1
D1
D2
D2
N沟道
V
DSS
30V
P沟道
-30V
2
7
3
6
4
5
P沟道MOSFET
R
DS （ ON）
0.029 0.058
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率
MOSFET是众所周知的，为设计者提供
用一个非常有效和可靠的装置，用于使用
在各种各样的应用中。
采用SO-8已经通过定制进行了修改
引线框架用于增强热性能和
多模能力使它成为理想的各种
电源应用。有了这些改进，
多个设备可以在一个应用程序中使用
大大减少了电路板空间。该包是
专为气相，红外，或波峰焊
技术。
顶视图
SO-8
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
V
DS
V
GS
N沟道
30
7.3
5.9
30
2.5
2.5
1.6
82
4.0
0.20
3.8
-2.2
-55 + 150 C
140
-2.8
最大
P沟道
-30
± 20
-5.3
-4.2
-30
-2.5
单位
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
T
A
= 25°C
最大功率耗散
T
A
= 70°C
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
I
DM
I
S
A
W
mJ
A
mJ
V / ns的
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J,
T
英镑
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
符号
R
θJA
极限
50
单位
° C / W
www.irf.com
1
02/25/04
IRF7389
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N-P
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
分钟。
30
-30
1.0
-1.0
典型值。马克斯。
0.022
0.022
0.023 0.029
0.032 0.046
0.042 0.058
0.076 0.098
14
7.7
1.0
-1.0
25
-25
±100
22
33
23
34
2.6 3.9
3.8 5.7
6.4 9.6
5.9 8.9
8.1 12
13
19
8.9 13
13
20
26
39
34
51
17
26
32
48
650
710
320
380
130
180
单位
V
V /°C的
V
S
A
nA
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
参考至25℃ ，我
D
= -1mA
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.8A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 4.7A
V
GS
= -10V ，我
D
= -4.9A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -3.6A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
V
DS
= 15V ，我
D
= 5.8A
V
DS
= -15V ，我
D
= -4.9A
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55°C
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55°C
V
GS
= ±20V
N沟道
I
D
= 5.8A ，V
DS
= 15V, V
GS
= 10V
P沟道
I
D
= -4.9A ，V
DS
= -15V, V
GS
= -10V
N沟道
V
DD
= 15V ，我
D
= 1.0A ，R
G
= 6.0,
R
D
= 15
P沟道
V
DD
= -15V ，我
D
= -1.0A ，R
G
= 6.0,
R
D
= 15
N沟道
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， = 1.0MHz的
P沟道
V
GS
= 0V, V
DS
= -25V ， = 1.0MHz的
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
nC
ns
pF
源极 - 漏极额定值和特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
2.5
-2.5
A
30
-30
0.78 1.0
T
J
= 25 ° C，I
S
= 1.7A ，V
GS
= 0V
V
-0.78 -1.0
T
J
= 25 ° C，I
S
= -1.7A ，V
GS
= 0V
45
68
N沟道
ns
44
66
T
J
= 25 ° C，I
F
= 1.7A ，的di / dt = 100A / μs的
58
87
P沟道
nC
T
J
= 25 ° C，I
F
= -1.7A ，的di / dt = 100A / μs的
42
63
重复评价;脉冲宽度有限的
注意事项：
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
最大。结温。 （参见图22）
表面安装在FR- 4电路板，T
≤
10sec.
N沟道我
SD
≤
4.0A ， di / dt的
≤
74A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
150°C
P沟道我
SD
≤
-2.8A ， di / dt的
≤
150A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
150°C
N沟道
起始物为
J
= 25 ° C，L = 10MH
G
= 25, I
AS
= 4.0A 。 （参见图12）
P沟道
起始物为
J
= 25 ° C，L = 35mH
G
= 25, I
AS
= -2.8A.
2
www.irf.com
N沟道
100
IRF7389
VGS
15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
顶部
I D ，漏极 - 源极电流（A ）
10
I D ，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
顶部
100
10
3.0V
3.0V
1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25°C
A
10
1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150°C
A
10
V DS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
10
I
SD
，反向漏电流（ A）
T
J
= 150°C
10
T
J
= 25°C
1
3.0
3.5
4.0
V
DS
= 10V
20μs的脉冲宽度
4.5
5.0
A
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
GS
= 0V
1.4
A
1.6
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
www.irf.com
3
IRF7389
2.0
N沟道
0.040
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 5.8A
R
DS
（上） ，漏极 - 源极导通电阻（ Ω ）
0.036
V
GS
= 4.5V
1.5
0.032
1.0
0.028
0.5
0.024
V
GS
= 10V
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.020
0
10
20
30
40
A
T
J
，结温（
°
C)
I
D
，漏电流（ A）
图5 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
图6 。
典型导通电阻比。漏
当前
R
DS
（上） ，漏极 - 源极导通电阻（ Ω ）
E
AS
，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
0.12
200
顶部
160
0.10
底部
I
D
I
D
1.8A
3.2A
4.0A
0.08
120
0.06
I
D
= 5.8A
0.04
80
40
0.02
0.00
0
3
6
9
12
15
A
0
25
50
75
100
125
A
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
起始物为
J
，结温（ ° C）
图7 。
典型导通电阻比。门
电压
图8 。
最大雪崩能量
与漏电流
4
www.irf.com
N沟道
1200
IRF7389
I
D
= 5.8A
V
DS
= 15V
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
A
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
20
16
C，电容（pF ）
900
C
国际空间站
C
OSS
12
600
8
300
C
RSS
4
0
1
10
100
0
0
10
20
30
40
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图9 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图10 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
热响应（Z
thJA
)
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
单脉冲
（热反应）
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJA
+ T
A
1
10
100
10
1
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
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ICS511-DPK
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IDT74FCT810BTD
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    电话：0755-82780082
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    IRF7389TR
    -
    -
    -
    -
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IR
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IR
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IR
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