添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第111页 > IRF7389
PD - 91645A
IRF7389
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
第五代技术
超低导通电阻
免费半桥
表面贴装
全额定雪崩
S1
G1
S2
G2
N沟道MOSFET
1
8
D1
D1
D2
D2
N沟道
V
DSS
30V
P沟道
-30V
2
7
3
6
4
5
P沟道MOSFET
R
DS （ ON）
0.029 0.058
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率
MOSFET是众所周知的，为设计者提供
用一个非常有效和可靠的装置，用于使用
在各种各样的应用中。
采用SO-8已经通过定制进行了修改
引线框架用于增强热性能和
多模能力使它成为理想的各种
电源应用。有了这些改进，
多个设备可以在一个应用程序中使用
大大减少了电路板空间。该包是
专为气相，红外，或波峰焊
技术。
顶视图
SO-8
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
V
DS
V
GS
N沟道
30
7.3
5.9
30
2.5
2.5
1.6
82
4.0
0.20
3.8
-2.2
-55 + 150 C
140
-2.8
最大
P沟道
-30
± 20
-5.3
-4.2
-30
-2.5
单位
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
T
A
= 25°C
最大功率耗散
T
A
= 70°C
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
I
DM
I
S
A
W
mJ
A
mJ
V / ns的
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J,
T
英镑
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
符号
R
θJA
极限
50
单位
° C / W
www.irf.com
1
02/25/04
IRF7389
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N-P
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
分钟。
30
-30
1.0
-1.0
典型值。马克斯。
0.022
0.022
0.023 0.029
0.032 0.046
0.042 0.058
0.076 0.098
14
7.7
1.0
-1.0
25
-25
±100
22
33
23
34
2.6 3.9
3.8 5.7
6.4 9.6
5.9 8.9
8.1 12
13
19
8.9 13
13
20
26
39
34
51
17
26
32
48
650
710
320
380
130
180
单位
V
V /°C的
V
S
A
nA
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
参考至25℃ ，我
D
= -1mA
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.8A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 4.7A
V
GS
= -10V ，我
D
= -4.9A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -3.6A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
V
DS
= 15V ，我
D
= 5.8A
V
DS
= -15V ，我
D
= -4.9A
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55°C
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55°C
V
GS
= ±20V
N沟道
I
D
= 5.8A ，V
DS
= 15V, V
GS
= 10V
P沟道
I
D
= -4.9A ，V
DS
= -15V, V
GS
= -10V
N沟道
V
DD
= 15V ，我
D
= 1.0A ，R
G
= 6.0,
R
D
= 15
P沟道
V
DD
= -15V ，我
D
= -1.0A ，R
G
= 6.0,
R
D
= 15
N沟道
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， = 1.0MHz的
P沟道
V
GS
= 0V, V
DS
= -25V ， = 1.0MHz的
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
nC
ns
pF
源极 - 漏极额定值和特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
2.5
-2.5
A
30
-30
0.78 1.0
T
J
= 25 ° C，I
S
= 1.7A ，V
GS
= 0V
V
-0.78 -1.0
T
J
= 25 ° C，I
S
= -1.7A ，V
GS
= 0V
45
68
N沟道
ns
44
66
T
J
= 25 ° C，I
F
= 1.7A ，的di / dt = 100A / μs的
58
87
P沟道
nC
T
J
= 25 ° C，I
F
= -1.7A ，的di / dt = 100A / μs的
42
63
重复评价;脉冲宽度有限的
注意事项：
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
最大。结温。 （参见图22）
表面安装在FR- 4电路板，T
≤
10sec.
N沟道我
SD
≤
4.0A ， di / dt的
≤
74A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
150°C
P沟道我
SD
≤
-2.8A ， di / dt的
≤
150A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
150°C
N沟道
起始物为
J
= 25 ° C，L = 10MH
G
= 25, I
AS
= 4.0A 。 （参见图12）
P沟道
起始物为
J
= 25 ° C，L = 35mH
G
= 25, I
AS
= -2.8A.
2
www.irf.com
N沟道
100
IRF7389
VGS
15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
顶部
I D ，漏极 - 源极电流（A ）
10
I D ，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
顶部
100
10
3.0V
3.0V
1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25°C
A
10
1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150°C
A
10
V DS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
10
I
SD
，反向漏电流（ A）
T
J
= 150°C
10
T
J
= 25°C
1
3.0
3.5
4.0
V
DS
= 10V
20μs的脉冲宽度
4.5
5.0
A
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
GS
= 0V
1.4
A
1.6
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
www.irf.com
3
IRF7389
2.0
N沟道
0.040
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 5.8A
R
DS
（上） ，漏极 - 源极导通电阻（ Ω ）
0.036
V
GS
= 4.5V
1.5
0.032
1.0
0.028
0.5
0.024
V
GS
= 10V
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.020
0
10
20
30
40
A
T
J
，结温（
°
C)
I
D
，漏电流（ A）
图5 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
图6 。
典型导通电阻比。漏
当前
R
DS
（上） ，漏极 - 源极导通电阻（ Ω ）
E
AS
，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
0.12
200
顶部
160
0.10
底部
I
D
I
D
1.8A
3.2A
4.0A
0.08
120
0.06
I
D
= 5.8A
0.04
80
40
0.02
0.00
0
3
6
9
12
15
A
0
25
50
75
100
125
A
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
起始物为
J
，结温（ ° C）
图7 。
典型导通电阻比。门
电压
图8 。
最大雪崩能量
与漏电流
4
www.irf.com
N沟道
1200
IRF7389
I
D
= 5.8A
V
DS
= 15V
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
A
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
20
16
C，电容（pF ）
900
C
国际空间站
C
OSS
12
600
8
300
C
RSS
4
0
1
10
100
0
0
10
20
30
40
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图9 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图10 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
热响应（Z
thJA
)
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
单脉冲
（热反应）
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJA
+ T
A
1
10
100
10
1
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
www.irf.com
5
查看更多IRF7389PDF信息
推荐型号
IGW15N120H3
IV2409SA
ISPLSI1016E-80LT44
ISL6612CRZ
IDT7028L15PF
ISPLSI1016E80LT44
IRKUF71-12HP
IDT72201L10PFI
IXDI602D2TR
IH5341MJD
IDTQS32257Q
ISL8104IRZ
IS61C1024L-12KRI
IC42S16100-5TI
IDT54FCT827DTQB
ISL6443_06
IDT70V06L55G
IDT71V2546SA133BQ
IS27HC256-70PL
IDT74FCT162260ET
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IRF7389
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
源辰芯科技（深圳）有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1076493713 复制 点击这里给我发消息 QQ：173779730 复制
电话：0755-82170267
联系人：李经理
地址：深圳市福田区园岭街道上林社区八卦四路2号先科机电大厦1210
IRF7389
IOR
22+
37856
SOP8
【分销系列100%原装★价格绝对优势！】
深圳市恒佳微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1807086236 复制 点击这里给我发消息 QQ：2322757237 复制

电话：0755-82533156 82710336
联系人：朱经理、张小姐
地址：深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
IRF7389
IOR
2019+
65555
SOP
十年专营，供应原装正品！热卖现货！
江苏芯钻时代电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1316996791 复制

电话：18913062888
联系人：陈先生
地址：江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IRF7389
Infineon Technologies
24+
5000
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
原装正品现货
深圳市银芯龙科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004330546 复制

电话：13510131896
联系人：欧阳
地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
IRF7389
IOR
20+
8090
SOP
原装进口可样品可出
深圳市品惠科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：153461020 复制

电话：0755-23996734
联系人：李先生
地址：深圳市福田区华航社区中航路4号都会100大厦A座11C
IRF7389
原厂原装
20+
9600
N.A
品惠只有原装原包现货特价热卖
深圳市欧立现代科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004385547 复制 点击这里给我发消息 QQ：1950791264 复制

电话：0755-83222787/23999932
联系人：林小姐 胡先生 张先生
地址：深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
IRF7389
IOR
24+
4000
SOP8
授权分销 现货热卖
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
IRF7389
Infineon Technologies
24+
10000
8-SO
原厂一级代理，原装现货
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IRF7389
INTERNATIONALRECTIFIER
2443+
23000
NA
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IRF7389
IR
24+
12300
SOP-8
全新原装现货，原厂代理。
深圳市金嘉锐电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2581021098 复制

电话：0755-22929859
联系人：朱先生
地址：深圳福田区振兴路华康大厦211
IRF7389
Infineon
2025+
26820
8-SOIC
【原装优势★★★绝对有货】
查询更多IRF7389供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！