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PD - 96132
IRF7380QPbF
l
l
l
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
超低导通电阻
N沟道MOSFET
表面贴装
可在磁带卷&
150 ° C工作温度
汽车[ Q101 ]合格
LEAD -FREE
HEXFET
功率MOSFET
V
DSS
80V
R
DS （ ON）
最大
73m
:
@V
GS
= 10V
I
D
2.2A
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
8
7
6
5
D1
D1
D2
D2
描述
专为汽车应用。另外
这些汽车合格HEXFET功率的特点
MOSFET的是一个150 ℃的结的工作温度，
开关速度快和改进的重复雪崩
投资评级。这些好处结合起来，使该设计的
非常高效，在汽车使用可靠的设备
应用程序和各种各样的其它应用。
高效率的SO -8封装提供了增强的热
特性使其成为理想中的各种力量
应用程序。这种表面安装型SO-8可以大幅
减少电路板空间，也可
在磁带&卷轴。
顶视图
SO-8
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
dv / dt的
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
马克斯。
80
± 20
3.6
2.9
29
2.0
0.02
2.3
-55到+ 150
单位
V
h
A
W
W / ℃，
V / ns的
°C
c
最大功率耗散
线性降额因子
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
e
存储温度范围
热阻
参数
R
θJL
R
θJA
结到漏极引线
结到环境（ PCB安装） *
典型值。
–––
–––
马克斯。
20
50
单位
° C / W
笔记
通过
是第8页
www.irf.com
1
09/14/07
IRF7380QPbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
80
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
–––
0.09
61
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
73
4.0
20
250
200
-200
nA
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 2.2A
f
V
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V
V
DS
= 64V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
4.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
15
2.9
4.5
9.0
10
41
17
660
110
15
710
72
140
–––
23
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
ns
nC
S
I
D
= 2.2A
V
DS
= 40V
V
GS
= 10V
V
DD
= 40V
I
D
= 2.2A
R
G
= 24
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
条件
V
DS
= 25V ，我
D
= 2.2A
f
f
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 64V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至64V
g
雪崩特性
E
AS
I
AR
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
dh
典型值。
–––
–––
马克斯。
75
2.2
单位
mJ
A
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
50
110
3.6
29
1.3
–––
–––
A
A
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
S
D
h
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 2.2A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 2.2A ，V
DD
= 40V
的di / dt = 100A / μs的
f
f
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
2
www.irf.com
IRF7380QPbF
100
顶部
VGS
15V
10V
7.0V
5.0V
4.5V
4.3V
4.0V
3.7V
100
顶部
VGS
15V
10V
7.0V
5.0V
4.5V
4.3V
4.0V
3.7V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
1
底部
底部
0.1
3.7V
1
3.7V
0.01
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
0.001
0.1
1
10
100
1000
0.1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
TJ = 150℃
10
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.5
I
D
= 3.6A
RDS（ON） ，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
ID ，漏 - 源电流
(Α
)
2.0
10
T J = 150℃
1.5
1
T J = 25°C
1.0
VDS = 15V
20μs的脉冲宽度
0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
0.5
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
V
GS
= 10V
120
140
160
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRF7380QPbF
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的，C短路
gs
ds
CRSS = C
gd
COSS =硫化镉+ Cgd的
12
10
8
6
4
2
0
ID = 2.1A
10000
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VDS = 64V
VDS = 40V
VDS = 16V
C，电容（pF ）
1000
西塞
OSS
CRSS
100
10
1
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VDS ，漏极至源极电压（ V）
Q g总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
在这一领域
限于由R DS （ ON）
I
SD
，反向漏电流（ A）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
10
100sec
1
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
1
10
T
J
= 25
°
C
T
J
= 150
°
C
1
1msec
10msec
0.1
0.0
0.5
1.0
V
GS
= 0 V
1.5
2.0
0.1
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRF7380QPbF
4.0
V
DS
V
GS
3.0
R
D
R
G
10V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
D.U.T.
+
I
D
，漏电流（ A）
-
V
DD
2.0
1.0
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
90%
0.0
25
50
75
100
125
150
T
A
，环境温度（ ° C）
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图9 。
最大漏极电流比。
环境温度
图10B 。
开关时间波形
100
(Z
thJA
)
D = 0.50
0.20
10
0.10
热响应
0.05
0.02
1
0.01
P
DM
t
1
t
2
单脉冲
（热反应）
注意事项：
1.占空比系数D =
2.峰值牛逼
t
1
/ t
2
+T
A
10
100
J
= P
DM
X Z
thJA
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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IDT71V421S55J
IRG4RC10S
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联系人：销售部1部
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