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首字符I的型号第655页
> IRF7329TRPBF
PD - 95042
IRF7329PbF
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
沟槽技术
超低导通电阻
双P沟道MOSFET
薄型( <1.8毫米)
可在磁带卷&
LEAD -FREE
V
DSS
-12V
R
DS ( ON)
最大值( mW)的
17@V
GS
= -4.5V
21@V
GS
= -2.5V
30@V
GS
= -1.8V
I
D
±
9.2A
±
7.4A
±
4.6A
描述
新的P沟道HEXFET
从功率MOSFET
国际整流器利用先进的加工
技术,以实现极低的导通电阻元
硅片面积。这样做的好处,并结合所述加固
设备的设计,HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知,为设计者提供了一个非常有效的
和可靠的装置,用于在各种各样的应用中使用。
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
8
7
D1
D1
D2
D2
6
5
采用SO-8已经通过定制进行了修改
引线框架用于增强热性能和
多模能力使它成为理想的各种
电源应用。有了这些改进,多
设备可用于在应用程序中使用显着
减少了电路板空间。该软件包是专为
气相,红外,或波焊工艺。
顶视图
SO-8
绝对最大额定值
参数
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
V
GS
T
J,
T
英镑
漏源电压
连续漏电流, V
GS
@ -4.5V
连续漏电流, V
GS
@ -4.5V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
结温和存储温度范围
马克斯。
-12
-9.2
-7.4
-37
2.0
1.3
16
± 8.0
-55到+ 150
单位
V
A
W
毫瓦/°C的
V
°C
热阻
符号
R
θJL
R
θJA
参数
结到漏极引线
结到环境
典型值。
–––
–––
马克斯。
20
62.5
单位
° C / W
www.irf.com
1
10/7/04
IRF7329PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
-12
–––
–––
-0.40
25
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.007
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
38
6.8
8.1
10
8.6
340
260
3450
1000
640
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= -250A
--- V / ° C参考到25° C,I
D
= -1mA
17
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -9.2A
毫欧V
GS
= -2.5V ,我
D
= -7.4A
21
30
V
GS
= -1.8V ,我
D
= -4.6A
-0.90
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
–––
S
V
DS
= -10V ,我
D
= -9.2A
-1.0
V
DS
= -9.6V, V
GS
= 0V
A
-25
V
DS
= -9.6V, V
GS
= 0V ,T
J
= 70°C
-100
nA的V
GS
= -8.0V
100
V
GS
= 8.0V
57
I
D
= -9.2A
10
nC
V
DS
= -6.0V
12
V
GS
= -4.5V
–––
V
DD
= -6.0V
ns
–––
I
D
= -1.0A
–––
R
D
= 6.0
–––
V
GS
= -4.5V
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= -10V
–––
= 1.0MHz的
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
50
48
-2.0
A
-37
-1.2
75
72
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C,I
S
= -2.0A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C,I
F
= -2.0A
的di / dt = -100A / μs的
D
S
注意事项:
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
当安装在1平方英寸的铜板。
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
2
www.irf.com
IRF7329PbF
100
VGS
-10V
-7.0V
-4.5V
-3.0V
-2.5V
-1.8V
-1.5V
BOTTOM -1.2V
顶部
100
-I
D
,漏极 - 源极电流(A )
10
-I
D
,漏极 - 源极电流(A )
VGS
-10V
-7.0V
-4.5V
-3.0V
-2.5V
-1.8V
-1.5V
BOTTOM -1.2V
顶部
10
1
-1.2V
-1.2V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
1
0.1
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.0
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
(归一化)
I
D
= -9.2A
-I D,漏 - 源电流
(Α
)
1.5
T J = 150℃
10
1.0
T J = 25°C
VDS = -10V
20μs的脉冲宽度
1.0
1.4
1.8
2.2
0.5
1
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= -4.5V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
-VGS ,栅 - 源极电压( V)
T
J
,结温(
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRF7329PbF
5000
10
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
4000
VGS = 0V,
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的,C
gs
DS短路
CRSS = C
gd
I
D
=
-9.2A
V
DS
=-9.6V
V
DS
=-6V
C,电容(pF )
西塞
3000
COSS = C + C
DS GD
8
6
2000
4
科斯
1000
CRSS
2
0
1
10
100
0
0
10
20
30
40
50
60
70
-V DS ,漏极至源极电压( V)
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
-I
SD
,反向漏电流( A)
在这一领域有限
由R
DS ( ON)
10
T
J
= 150
°
C
-I
D
,漏电流( A)
I
100us
10
1ms
1
T
J
= 25
°
C
10ms
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.4
0.6
0.8
1.0
1
0.1
T
A
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
1
10
100
-V
SD
,源极到漏极电压(V )
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRF7329PbF
10.0
V
DS
8.0
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-I
D
,漏电流( A)
6.0
V
GS
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
4.0
图10A 。
开关时间测试电路
2.0
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
GS
0.0
25
50
75
100
125
150
10%
T
C
,外壳温度( ° C)
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
90%
V
DS
图10B 。
开关时间波形
100
热响应(Z
thJA
)
D = 0.50
0.20
10
0.10
0.05
0.02
1
0.01
P
DM
t
1
t
2
单脉冲
(热反应)
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJA
+ T
A
1
10
100
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结到环境
www.irf.com
-
V
DD
5
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IRF7329TRPBF
PDF信息
推荐型号
IRF530R
IRF3415SPBF
IRFF120R
IPG20N04S4-09
IDT71V3577SA80PFGI
IRG4PG40FD
IS61WV3216BLL-12TLI
ISO722D
IRKKF111-04DM
I74F777AB
IRFI9Z34GPBF
IS45S32200E-7TLA2
IDT71V416VL10BEG
ISL21080CIH320Z-TK
ICL7642AMSE
IDT7140LA20TF
IS42S32160B-6TLI
IMP708TCPA
IRKKF131-08CP
IDT7164L35YB
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型号
厂家
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数量
封装
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操作
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联系人:杨小姐
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IRF7329TRPBF
-
-
-
-
终端采购配单精选
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
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-
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IRF7329TRPBF
INFINEON/英飞凌
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9000
SOP-8
正规报关原装现货系列订货技术支持
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电话:13510131896
联系人:欧阳
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IRF7329TRPBF
IR
15+
4000
SOP-8
原装正品优质供应,商假一赔十
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SOIC-8
代理Infineon Technologies专营,原装现货优势
深圳市众诚发电子有限公司
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联系人:张
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IR_F
2020+
7500
原厂标准包装
全新原装正品,可售样,可开13%增值税
北京元坤国际科技有限公司
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联系人:何小姐
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IRF7329TRPBF
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全新原装正品/质量有保证
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QQ:3004264855
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电话:075582788161
联系人:王小姐
地址:深圳市华强北世纪汇都会轩4507
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INFINEON/英飞凌
24+
30000
优质供应商,代理功率器件
瀚佳科技(深圳)有限公司
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QQ:3539722974
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QQ:3449124707
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电话:0755-23915992/23140719
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
IRF7329TRPBF
INFINEON
24+
68500
SOP-8
一级代理/放心采购
深圳市华创欧科技有限公司
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QQ:3065848471
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QQ:1391615788
复制
QQ:2319599090
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电话:0755-23945755 83248872
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
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22+
22600
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原装正品,公司现货库存假一罚十,电话:0755-23945755 QQ:3065848471
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联系人:李
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INFINEON
22+
4000
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进口原装
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QQ:1245773710
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电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园3栋东座10楼A2室(本公司为一般纳税人,可开增票)
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IR
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