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PD- 91667D
IRF7321D2
FETKY
MOSFET &肖特基二极管
l
l
l
l
l
l
TM
共同封装HEXFET电源
MOSFET和肖特基二极管
理想的降压稳压器的应用
P沟道HEXFET
低V
F
肖特基整流器器
第5代技术
SO- 8封装
A
A
S
G
1
8
K
K
D
D
V
DSS
= -30V
R
DS （ ON）
= 0.062
肖特基VF = 0.52V
2
7
3
6
4
5
顶视图
描述
该
FETKY
TM
家庭组合包装HEXFETs和
肖特基二极管为设计人员提供一个创新板
用于开关稳压器，节省空间的解决方案，并
电源管理应用。第5代
HEXFETs利用先进的加工技术
实现极低的导通电阻每硅片面积。
Combinining这项技术与国际
IR的低正向压降肖特基整流器结果
适合于在广泛使用一种极其有效的装置
各种便携式电子设备的应用程序。
采用SO-8已经通过定制进行了修改
引线框架，增强散热性能。该
SO- 8封装是专为气相，红外或
波峰焊技术。
SO-8
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
V
GS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ -10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
最大
-4.7
-3.8
-38
2.0
1.3
16
± 20
-5.0
-55到+150
单位
A
W
毫瓦/°C的
V
V / ns的
°C
热电阻额定值
参数
R
θJA
结到环境
最大
62.5
单位
° C / W
注意事项：
重复评价 - 脉冲宽度有限的最大。结温度（参见图11）
I
SD
≤
-2.9A ， di / dt的
≤
-77A /微秒，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
150°C
脉冲宽度
≤
300μS - 占空比
≤
2%
表面安装在FR- 4电路板，T
≤
10sec.
1
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10/15/04
IRF7321D2
MOSFET电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏极至源极击穿电压
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
-30
–––
–––
-1.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.042
0.076
–––
7.7
–––
–––
–––
–––
23
3.8
5.9
13
13
34
32
710
380
180
典型值。
–––
–––
-0.78
44
42
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
0.062
V
GS
= -10V ，我
D
= -4.9A
0.098
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -3.6A
–––
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
–––
S
V
DS
= -15V ，我
D
= -4.9A
-1.0
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
A
-25
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55°C
100
V
GS
= -20V
nA
-100
V
GS
= 20V
34
I
D
= -4.9A
5.7
NC V
DS
= -15V
8.9
V
GS
= -10V ，见图。 6
19
V
DD
= -15V
20
I
D
= -1.0A
ns
51
R
G
= 6.0
48
R
D
= 15,
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= -25V
–––
= 1.0MHz的，见图。五
MAX 。单位
条件
-2.5
A
-30
-1.0
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= -1.7A ，V
GS
= 0V
66
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= -1.7A
63
NC的di / dt = 100A / μs的
条件
50 ％的占空比。矩形波， TC = 25℃
见图14
TC = 70℃
5μs的正弦或3μs的矩形。脉冲
以下任何额定
10ms的正弦或6ms的矩形。脉冲负载条件&
与VRRM应用
MOSFET的源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
分钟。
连续源电流（体二极管） ---
脉冲源电流（体二极管）
–––
体二极管正向电压
–––
反向恢复时间（体二极管） ---
反向恢复电荷
–––
参数
马克斯。平均正向电流
马克斯。峰值一个周期非重复性
浪涌电流
肖特基二极管的最大额定值
IF（ AV）
I
SM
MAX 。单位
3.2
A
2.0
200
20
A
肖特基二极管电气规格
VFM
参数
马克斯。正向电压降
MAX 。单位
0.57
0.77
V
0.52
0.79
0.30
mA
37
310 pF的
4900 V / μs的
条件
如果= 3.0 ， TJ = 25°C
如果= 6.0 ， TJ = 25°C
如果= 3.0 ， TJ = 125°C
如果= 6.0 ， TJ = 125°C 。
VR = 30V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
VR = 5V直流（ 100kHz至1MHz的） 25℃
额定Vr的
IRM
Ct
dv / dt的
马克斯。反向漏电流
马克斯。结电容
马克斯。充电电压率
（ HEXFET是寄存器， TM国际整流器功率MOSFET的）
2
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IRF7321D2
功率MOSFET特性
100
VGS
- 15V
- 10V
- 7.0V
- 5.5V
- 4.5V
- 4.0V
- 3.5V
BOTTOM - 3.0V
顶部
100
-I D，漏极 - 源极电流（A ）
10
-I D，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
- 15V
- 10V
- 7.0V
- 5.5V
- 4.5V
- 4.0V
- 3.5V
BOTTOM - 3.0V
顶部
10
-3.0V
-3.0V
1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25°C
A
10
1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150°C
A
10
-VDS ，漏极至源极电压（ V）
-VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
100
2.0
-
4.9A
I
D
=
-
4.9A
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
1.5
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
10
1.0
0.5
1
3.0
3.5
4.0
4.5
V
DS
= -10V
20μs的脉冲宽度
5.0
5.5
6.0
A
0.0
-60 -40 -20
-
10V
V
GS
=
-
10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRF7321D2
功率MOSFET特性
1400
V
GS
= 0V
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的+硫化镉
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
20
短
I
D
= -4.9A
V
DS
=-15V
1200
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
A
16
C，电容（pF ）
1000
C
国际空间站
C
OSS
800
12
600
8
400
C
RSS
4
200
0
1
10
100
0
0
10
20
30
40
-
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
-I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
T
J
= 150°C
10
-I
D
，漏电流（ A）
I
100us
10
T
J
= 25°C
1ms
1
0.4
0.6
0.8
1.0
V
GS
= 0V
1.2
A
1
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 150 °C
单脉冲
10
10ms
100
1.4
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRF7321D2
功率MOSFET特性
100
热响应（Z
thJA
)
0.50
0.20
10
0.10
0.05
0.02
1
0.01
P
DM
t
1
t
2
单脉冲
（热反应）
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJA
+ T
A
1
10
100
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图9 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
R
DS
（上） ，漏极 - 源极导通电阻（ Ω ）
0.5
R
DS
（上） ，漏极 - 源极导通电阻（ Ω ）
0.6
0.16
0.12
0.4
0.3
0.08
I
D
= -4.9A
0.2
V
GS
= -4.5V
0.04
0.1
V
GS
= -10V
0.0
0
10
20
30
A
0.00
0
-I
D
，漏电流（ A）
-V
GS
，门-to -Source电压（ V）
3
6
9
12
15
A
图10 。
典型导通电阻比。漏
当前
图11 。
典型导通电阻比。门
电压
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