【PD - 9.1505BIRF7316lllll第五代技术超低导通电阻双P沟道MOSFET表面贴装全】,IC型号IRF7316,IRF7316 PDF资料,IRF7316经销商,ic,电子元器件-51电子网

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PD - 9.1505B

IRF7316

l

l

l

l

l

第五代技术

超低导通电阻

双P沟道MOSFET

表面贴装

全额定雪崩

HEXFET

功率MOSFET

S1

G1

S2

G2

1

2

3

4

8

7

D1

D1

D2

D2

V

DSS

= -30V

R

DS （ ON）

= 0.058

6

5

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这

益处，结合快速开关速度和

坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率

MOSFET是众所周知的，为设计者提供

用一个非常有效和可靠的装置，用于使用

在各种各样的应用中。

采用SO-8已经通过定制进行了修改

引线框架用于增强热性能和

多模能力使它成为理想的各种

电源应用。有了这些改进，多

设备可用于在应用程序中使用显着

减少了电路板空间。该软件包是专为

气相，红外，或波峰焊技术。

描述

顶视图

SO-8

绝对最大额定值（T

A

= 25 ° C除非另有说明）

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

I

S

P

D

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J,

T

英镑

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

T

A

= 25°C

T

A

= 70°C

最大

单位

V

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

T

A

= 25°C

最大功率耗散

T

A

= 70°C

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

-30

± 20

-4.9

-3.9

-30

-2.5

2.0

1.3

140

-2.8

0.20

-5.0

-55到+ 150

A

W

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

符号

R

θJA

极限

62.5

单位

° C / W

8/12/04

IRF7316

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

-30

-1.0

典型值。

0.022

0.042

0.076

7.7

23

3.8

5.9

13

13

34

32

710

380

180

MAX 。单位

条件

V

V

GS

= 0V时，我

D

= -250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= -1mA

0.058

V

GS

= -10V ，我

D

= -4.9A

0.098

V

GS

= -4.5V ，我

D

= -3.6A

V

V

DS

= V

GS

, I

D

= -250A

S

V

DS

= -15V ，我

D

= -4.9A

-1.0

V

DS

= -24V, V

GS

= 0V

A

-25

V

DS

= -24V, V

GS

= 0V ，T

J

= 55°C

100

V

GS

= -20V

nA

-100

V

GS

= 20V

34

I

D

= -4.9A

5.7

NC V

DS

= -15V

8.9

V

GS

= -10V ，见图。 10

19

V

DD

= -15V

20

I

D

= -1.0A

ns

51

R

G

= 6.0

48

R

D

= 15

V

GS

= 0V

pF

V

DS

= -25V

= 1.0MHz的，见图。五

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

分钟。典型值。马克斯。单位

-2.5

A

-30

V

ns

nC

-0.78 -1.0

44

66

42

63

条件

D

MOSFET符号

展示

整体反转

G

p-n结二极管。

S

T

J

= 25 ° C，I

S

= -1.7A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= -1.7A

的di / dt = 100A / μs的

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

起始物为

J

= 25℃时，L = 35mH

R

G

= 25, I

AS

= -2.8A.

最大。结温。（参见图11）

I

SD

≤

-2.8A ， di / dt的

≤

150A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

150°C

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

表面安装在FR- 4电路板，T

≤

10sec.

IRF7316

100

VGS

- 15V

- 10V

- 7.0V

- 5.5V

- 4.5V

- 4.0V

- 3.5V

BOTTOM - 3.0V

顶部

100

-I D，漏极 - 源极电流（A ）

10

-I D，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

- 15V

- 10V

- 7.0V

- 5.5V

- 4.5V

- 4.0V

- 3.5V

BOTTOM - 3.0V

顶部

10

-3.0V

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25°C

A

0.1

1

10

-3.0V

1

1

0.1

1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 150°C

A

10

-VDS ，漏极至源极电压（ V）

-VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

100

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

10

-I

SD

，反向漏电流（ A）

T

J

= 150°C

10

T

J

= 25°C

1

3.0

3.5

4.0

4.5

V

DS

= -10V

20μs的脉冲宽度

5.0

5.5

6.0

A

1

0.4

0.6

0.8

1.0

V

GS

= 0V

1.2

A

1.4

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

-V

SD

，源极到漏极电压（V ）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

IRF7316

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

-

4.9A

I

D

=

-

4.9A

R

DS

（上），漏极 - 源极导通电阻（ Ω ）

2.0

0.6

0.5

1.5

0.4

1.0

0.3

0.2

V

GS

= -4.5V

0.5

0.1

V

GS

= -10V

A

0.0

-60 -40 -20

-

10V

V

GS

=

-

10V

0

20

40

60

80 100 120 140 160

0.0

0

10

20

30

T

J

，结温（

°

C)

-I

D

，漏电流（ A）

图5 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

图6 。

典型导通电阻比。漏

当前

R

DS

（上），漏极 - 源极导通电阻（ Ω ）

0.16

300

E

AS

，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）

250

ID

顶部

-1.3A

-2.2A

BOTTOM -2.8A

0.12

200

0.08

I

D

= -4.9A

150

100

0.04

50

0.00

0

-V

GS

，门-to -Source电压（ V）

3

6

9

12

15

A

0

25

起始物为

J

，结温（

°

C)

50

75

100

125

150

图7 。

典型导通电阻比。门

电压

图8 。

最大雪崩能量

与漏电流

IRF7316

1400

V

GS

= 0V

F = 1 MHz的

西塞=的Cgs + Cgd的+硫化镉

CRSS = Cgd的

COSS =硫化镉+ Cgd的

20

短

I

D

= -4.9A

V

DS

=-15V

1200

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

A

16

C，电容（pF ）

1000

C

国际空间站

C

OSS

800

12

600

8

400

C

RSS

4

200

0

1

10

100

0

0

10

20

30

40

-

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图9 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图10 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

热响应（Z

thJA

)

0.50

0.20

10

0.10

0.05

0.02

1

0.01

P

DM

t

1

t

2

单脉冲

（热反应）

0.1

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJA

+ T

A

1

10

100

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

PD - 9.1505B

IRF7316

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第五代技术

超低导通电阻

双P沟道MOSFET

表面贴装

全额定雪崩

HEXFET

功率MOSFET

S1

G1

S2

G2

1

2

3

4

8

7

D1

D1

D2

D2

V

DSS

= -30V

R

DS （ ON）

= 0.058

6

5

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这

益处，结合快速开关速度和

坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率

MOSFET是众所周知的，为设计者提供

用一个非常有效和可靠的装置，用于使用

在各种各样的应用中。

采用SO-8已经通过定制进行了修改

引线框架用于增强热性能和

多模能力使它成为理想的各种

电源应用。有了这些改进，多

设备可用于在应用程序中使用显着

减少了电路板空间。该软件包是专为

气相，红外，或波峰焊技术。

描述

顶视图

SO-8

绝对最大额定值（T

A

= 25 ° C除非另有说明）

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

I

S

P

D

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J,

T

英镑

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

T

A

= 25°C

T

A

= 70°C

最大

单位

V

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

T

A

= 25°C

最大功率耗散

T

A

= 70°C

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

-30

± 20

-4.9

-3.9

-30

-2.5

2.0

1.3

140

-2.8

0.20

-5.0

-55到+ 150

A

W

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

符号

R

θJA

极限

62.5

单位

° C / W

8/12/04

IRF7316

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

-30

-1.0

典型值。

0.022

0.042

0.076

7.7

23

3.8

5.9

13

13

34

32

710

380

180

MAX 。单位

条件

V

V

GS

= 0V时，我

D

= -250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= -1mA

0.058

V

GS

= -10V ，我

D

= -4.9A

0.098

V

GS

= -4.5V ，我

D

= -3.6A

V

V

DS

= V

GS

, I

D

= -250A

S

V

DS

= -15V ，我

D

= -4.9A

-1.0

V

DS

= -24V, V

GS

= 0V

A

-25

V

DS

= -24V, V

GS

= 0V ，T

J

= 55°C

100

V

GS

= -20V

nA

-100

V

GS

= 20V

34

I

D

= -4.9A

5.7

NC V

DS

= -15V

8.9

V

GS

= -10V ，见图。 10

19

V

DD

= -15V

20

I

D

= -1.0A

ns

51

R

G

= 6.0

48

R

D

= 15

V

GS

= 0V

pF

V

DS

= -25V

= 1.0MHz的，见图。五

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

分钟。典型值。马克斯。单位

-2.5

A

-30

V

ns

nC

-0.78 -1.0

44

66

42

63

条件

D

MOSFET符号

展示

整体反转

G

p-n结二极管。

S

T

J

= 25 ° C，I

S

= -1.7A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= -1.7A

的di / dt = 100A / μs的

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

起始物为

J

= 25℃时，L = 35mH

R

G

= 25, I

AS

= -2.8A.

最大。结温。（参见图11）

I

SD

≤

-2.8A ， di / dt的

≤

150A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

150°C

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

表面安装在FR- 4电路板，T

≤

10sec.

IRF7316

100

VGS

- 15V

- 10V

- 7.0V

- 5.5V

- 4.5V

- 4.0V

- 3.5V

BOTTOM - 3.0V

顶部

100

-I D，漏极 - 源极电流（A ）

10

-I D，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

- 15V

- 10V

- 7.0V

- 5.5V

- 4.5V

- 4.0V

- 3.5V

BOTTOM - 3.0V

顶部

10

-3.0V

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25°C

A

0.1

1

10

-3.0V

1

1

0.1

1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 150°C

A

10

-VDS ，漏极至源极电压（ V）

-VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

100

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

10

-I

SD

，反向漏电流（ A）

T

J

= 150°C

10

T

J

= 25°C

1

3.0

3.5

4.0

4.5

V

DS

= -10V

20μs的脉冲宽度

5.0

5.5

6.0

A

1

0.4

0.6

0.8

1.0

V

GS

= 0V

1.2

A

1.4

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

-V

SD

，源极到漏极电压（V ）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

IRF7316

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

-

4.9A

I

D

=

-

4.9A

R

DS

（上），漏极 - 源极导通电阻（ Ω ）

2.0

0.6

0.5

1.5

0.4

1.0

0.3

0.2

V

GS

= -4.5V

0.5

0.1

V

GS

= -10V

A

0.0

-60 -40 -20

-

10V

V

GS

=

-

10V

0

20

40

60

80 100 120 140 160

0.0

0

10

20

30

T

J

，结温（

°

C)

-I

D

，漏电流（ A）

图5 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

图6 。

典型导通电阻比。漏

当前

R

DS

（上），漏极 - 源极导通电阻（ Ω ）

0.16

300

E

AS

，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）

250

ID

顶部

-1.3A

-2.2A

BOTTOM -2.8A

0.12

200

0.08

I

D

= -4.9A

150

100

0.04

50

0.00

0

-V

GS

，门-to -Source电压（ V）

3

6

9

12

15

A

0

25

起始物为

J

，结温（

°

C)

50

75

100

125

150

图7 。

典型导通电阻比。门

电压

图8 。

最大雪崩能量

与漏电流

IRF7316

1400

V

GS

= 0V

F = 1 MHz的

西塞=的Cgs + Cgd的+硫化镉

CRSS = Cgd的

COSS =硫化镉+ Cgd的

20

短

I

D

= -4.9A

V

DS

=-15V

1200

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

A

16

C，电容（pF ）

1000

C

国际空间站

C

OSS

800

12

600

8

400

C

RSS

4

200

0

1

10

100

0

0

10

20

30

40

-

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图9 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图10 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

热响应（Z

thJA

)

0.50

0.20

10

0.10

0.05

0.02

1

0.01

P

DM

t

1

t

2

单脉冲

（热反应）

0.1

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJA

+ T

A

1

10

100

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

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