IRF7311
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
20
–––
–––
–––
0.7
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
条件
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
0.027 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
0.023 0.029
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 6.0A
0.030 0.046
V
GS
= 2.7V ，我
D
= 5.2A
––– –––
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
20 –––
S
V
DS
= 10V ，我
D
= 6.0A
––– 1.0
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
A
––– 5.0
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55°C
––– 100
V
GS
= 12V
nA
––– -100
V
GS
= -12V
18
27
I
D
= 6.0A
2.2 3.3
NC V
DS
= 10V
6.2 9.3
V
GS
= 4.5V ，参照图10
8.1
12
V
DD
= 10V
17
25
I
D
= 1.0A
ns
38
57
R
G
= 6.0
31
47
R
D
= 10
900 –––
V
GS
= 0V
430 –––
pF
V
DS
= 15V
200 –––
?? = 1.0MHz的，见图。 9
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
2.5
A
26
1.0
77
86
V
ns
nC
––– 0.72
––– 52
––– 58
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 1.7A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 1.7A
的di / dt = 100A / μs的
D
S
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
I
SD
≤
4.1A ， di / dt的
≤
92A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
150°C
起始物为
J
= 25℃时，L = 12mH
R
G
= 25, I
AS
= 4.1A.
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
表面安装在1平方铜电路板
IRF7311
1600
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
C
国际空间站
C
RS s
C
国际空间站
C
SS
=
=
=
=
0V ,
F = 1MHz的
C
的s
+ C
克
, C
S
中文 TE
C
gd
C
ds
+ C
克
10
I
D
= 6.0A
V
DS
= 10V
8
C，电容（pF ）
1200
C
OSS
800
6
4
C
RSS
400
2
0
1
10
100
A
0
0
5
10
15
20
25
30
V
S
，D雨来-S ourc é V oltage （ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图9 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图10 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
热响应（Z
thJA
)
0.50
0.20
10
0.10
0.05
0.02
1
0.01
P
DM
t
1
t
2
单脉冲
（热反应）
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJA
+ T
A
1
10
100
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
IRF7311
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
20
–––
–––
–––
0.7
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
条件
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
0.027 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
0.023 0.029
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 6.0A
0.030 0.046
V
GS
= 2.7V ，我
D
= 5.2A
––– –––
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
20 –––
S
V
DS
= 10V ，我
D
= 6.0A
––– 1.0
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
A
––– 5.0
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55°C
––– 100
V
GS
= 12V
nA
––– -100
V
GS
= -12V
18
27
I
D
= 6.0A
2.2 3.3
NC V
DS
= 10V
6.2 9.3
V
GS
= 4.5V ，参照图10
8.1
12
V
DD
= 10V
17
25
I
D
= 1.0A
ns
38
57
R
G
= 6.0
31
47
R
D
= 10
900 –––
V
GS
= 0V
430 –––
pF
V
DS
= 15V
200 –––
?? = 1.0MHz的，见图。 9
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
2.5
A
26
1.0
77
86
V
ns
nC
––– 0.72
––– 52
––– 58
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 1.7A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 1.7A
的di / dt = 100A / μs的
D
S
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
I
SD
≤
4.1A ， di / dt的
≤
92A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
150°C
起始物为
J
= 25℃时，L = 12mH
R
G
= 25, I
AS
= 4.1A.
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
表面安装在1平方铜电路板
IRF7311
1600
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
C
国际空间站
C
RS s
C
国际空间站
C
SS
=
=
=
=
0V ,
F = 1MHz的
C
的s
+ C
克
, C
S
中文 TE
C
gd
C
ds
+ C
克
10
I
D
= 6.0A
V
DS
= 10V
8
C，电容（pF ）
1200
C
OSS
800
6
4
C
RSS
400
2
0
1
10
100
A
0
0
5
10
15
20
25
30
V
S
，D雨来-S ourc é V oltage （ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图9 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图10 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
热响应（Z
thJA
)
0.50
0.20
10
0.10
0.05
0.02
1
0.01
P
DM
t
1
t
2
单脉冲
（热反应）
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJA
+ T
A
1
10
100
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
QQ：2880707522 复制
