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PD - 96106
IRF7307QPbF
HEXFET
功率MOSFET
D1
D1
D2
D2
l
l
l
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
超低导通电阻
双N和P沟道MOSFET
表面贴装
可在磁带卷&
150 ° C工作温度
汽车[ Q101 ]合格
LEAD -FREE
S1
G1
S2
G2
N沟道MOSFET
1
8
2
3
4
7
N沟道
V
DSS
20V
P沟道
-20V
6
5
P沟道MOSFET
顶视图
R
DS （ ON）
0.050 0.090
描述
专为汽车应用中，这些
HEXFET
功率MOSFET的一个双SO- 8封装应用
在最新的加工技术，以实现极低
导通电阻每硅片面积。这些附加特征
汽车合格HEXFET功率MOSFET的是
150 ℃的结的工作温度，快速开关
速度和改进的重复雪崩额定值。这些
利益相结合，使这种设计非常有效的
而在汽车应用中使用可靠的设备和
各种各样的其它应用。
高效率的SO -8封装提供了增强的热
特性和双MOSFET管芯的能力使得它
理想中的各种功率应用。这种双重，表面
安装SO- 8可显着减少电路板空间，并
也可用
在磁带&卷轴。
SO-8
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
10秒。脉冲漏极电流，V
GS
@ 4.5V
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
马克斯。
N沟道
5.7
5.2
4.1
21
2.0
0.016
± 12
5.0
-55到+ 150
-5.0
P沟道
-4.7
-4.3
-3.4
-17
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
热电阻额定值
参数
R
θJA
最大结点到环境？
典型值。
马克斯。
62.5
单位
° C / W
www.irf.com
1
07/23/07
IRF7307QPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N-P
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N-P
N-P
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
分钟。典型值。马克斯。
20
-20
0.044
-0.012
0.050
0.070
0.090
0.140
0.70
-0.70
8.30
4.00
1.0
-1.0
25
-25
±100
20
22
2.2
3.3
8.0
9.0
9.0
8.4
42
26
32
51
51
33
4.0
6.0
660
610
280
310
140
170
单位
V
V /°C的
V
S
A
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
参考至25℃ ，我
D
= -1mA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 2.6A
V
GS
= 2.7V ，我
D
= 2.2A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2.2A
V
GS
= -2.7V ，我
D
= -1.8A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
V
DS
= 15V ，我
D
= 2.6A
V
DS
= -15V ，我
D
= -2.2A
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V,
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= ± 12V
N沟道
I
D
= 2.6A ，V
DS
= 16V, V
GS
= 4.5V
P沟道
I
D
= -2.2A ，V
DS
= -16V, V
GS
= -4.5V
N沟道
V
DD
= 10V ，我
D
= 2.6A ，R
G
= 6.0,
R
D
= 3.8
P沟道
V
DD
= -10V ，我
D
= -2.2A ，R
G
= 6.0,
R
D
= 4.5
与无铅烙铁头
而中心的模具接触
N沟道
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V ， = 1.0MHz的
P沟道
V
GS
= 0V, V
DS
= -15V ， = 1.0MHz的
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部泄油Inductace
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
nC
ns
nH
pF
源极 - 漏极额定值和特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N-P
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
2.5
-2.5
A
21
-17
1.0
T
J
= 25 ° C，I
S
= 1.8A ，V
GS
= 0V
V
-1.0
T
J
= 25 ° C，I
S
= -1.8A ，V
GS
= 0V
29
44
N沟道
ns
56
84
T
J
= 25 ° C，I
F
= 2.6A ，的di / dt = 100A / μs的
22
33
P沟道
nC
T
J
= 25 ° C，I
F
= -2.2A ，的di / dt = 100A / μs的
71 110
固有的导通时间是neglegible （开启用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图23）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
表面安装在FR- 4电路板，T
≤
10sec.
N沟道我
SD
≤
2.6A ， di / dt的
≤
100A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
150°C
www.irf.com
P沟道我
SD
≤
-2.2A ， di / dt的
≤
50A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
150°C
2
N沟道
1000
VGS
7.5V
5.0V
4.0V
3.5V
3.0V
2.5V
2.0V
BOTTOM 1.5V
顶部
IRF7307QPbF
1000
我，漏 - 源电流（A ）
D
我，漏 - 源电流（A ）
D
VGS
7.5V
5.0V
4.0V
3.5V
3.0V
2.5V
2.0V
BOTTOM 1.5V
顶部
100
100
10
10
1.5V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150°C
A
1
10
100
1.5V
1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25°C
A
10
100
1
0.1
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
100
图2 。
典型的输出特性
2.0
中T = 25℃
J
T
J
= 150°C
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 4.3A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
1.5
10
1.0
0.5
1
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
= 15V
20μs的脉冲宽度
3.5
4.0
4.5
5.0
A
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 4.5V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
A
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
1200
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
10
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
I
D
= 2.6A
V
DS
= 16V
8
C，电容（pF ）
900
C
国际空间站
6
600
C
OSS
4
300
C
RSS
2
0
1
10
100
A
0
0
5
10
测试电路
见图11
15
20
25
A
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
www.irf.com
3
IRF7307QPbF
100
N沟道
100
I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
10
I
D
，漏电流（ A）
100us
10
1ms
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
1
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
V
GS
= 0V
2.0
A
2.5
1
0.1
T
A
= 25 °C
T
J
= 150 °C
单脉冲
1
10
10ms
100
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
6.0
5.0
图8 。
最大安全工作区
V
DS
V
GS
R
G
4.5V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
R
D
I
D
，漏电流（ A）
D.U.T.
+
4.0
V
-
DD
3.0
2.0
1.0
图10A 。
开关时间测试电路
25
50
75
100
125
150
0.0
T
C
，外壳温度
( °C)
V
DS
90%
图9 。
最大漏极电流比。
环境温度
电流调节器
同类型D.U.T.
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
50K
12V
.2F
.3F
图10B 。
开关时间波形
D.U.T.
+
V
-
DS
4.5V
Q
GS
Q
G
Q
GD
V
GS
3mA
V
G
I
G
I
D
收费
电流采样电阻器
图11A 。
栅极电荷测试电路
图11B 。
基本栅极电荷波形
www.irf.com
4
P沟道
100
顶部
VGS
- 7.5V
- 5.0V
- 4.0V
- 3.5V
- 3.0V
- 2.5V
- 2.0V
BOTTOM - 1.5V
IRF7307QPbF
100
-ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
-ID ，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
- 7.5V
- 5.0V
- 4.0V
- 3.5V
- 3.0V
- 2.5V
- 2.0V
BOTTOM - 1.5V
顶部
10
1
1
-1.5V
-1.5V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25°C
A
0.1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
0.01
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150°C
0.1
1
10
100
A
-VDS ，漏极至源极电压（ V）
-VDS ，漏极至源极电压（ V）
图12 。
典型的输出特性
100
图13 。
典型的输出特性
2.0
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= -3.6A
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 25°C
10
1.5
T
J
= 150°C
1.0
1
0.5
0.1
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
= -15V
20μs的脉冲宽度
3.5
4.0
4.5
5.0
A
0.0
-60
V
GS
= -4.5V
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
A
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（ ° C）
图14 。
典型的传输特性
1500
图15 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
10
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
I
D
= -2.2A
V
DS
= -16V
8
C，电容（pF ）
C
国际空间站
1000
C
OSS
C
RSS
500
6
4
2
0
1
10
100
A
0
0
5
10
测试电路
见图22
15
20
25
A
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图16 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
www.irf.com
图17 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
5
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IKD-1212
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    -
    -
    -
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