IRF730B/IRFS730B
典型特征
（续）
（T ）和T H的é R M一l研究（E S） P 0：N发E
10
0
D = 0 .5
0 .2
0 .1
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
(t) = 1 .7 1
℃
/ W M A X 。
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
(t)
10
-1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
P
DM
t
1
t
2
Z
θ
JC
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S之四重W AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
图11.瞬态热响应曲线IRF730B
（T ）和T H的é R M一l研究（E S） P 0：N发E
D = 0 .5
10
0
0 .2
0 .1
0 .0 5
10
-1
※
N 2 O TE S：
1 . Z
θ
J·C
(t) = 3 .3 1
℃
/ W M A X 。
2 。 ü TY F A C到R，D = T
1
/t
2
3 . T
J·M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J·C
(t)
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
P
DM
t
1
t
2
Z
θ
JC
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
，S之四重W AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
图11-2 。瞬态热响应曲线IRFS730B
2001仙童半导体公司
版本A ， 2001年11月
IRF730
数据表
1999年7月
网络文件编号
1580.5
5.5A ， 400V ， 1.000 Ohm的N通道功率
MOSFET
这是一个N沟道增强型硅栅功率
科幻场效晶体管。它是一种先进的功率MOSFET
设计，测试，并保证承受一个特定的编
能量的的击穿雪崩模式水平
操作。所有这些功率MOSFET设计用于
应用，如开关稳压器，开关
变流器，电机驱动器，继电器驱动器，驱动器和高
功率双极开关需要高速的晶体管和
低栅极驱动电源。这些类型可以直接操作
从集成电路。
以前发育类型TA17414 。
特点
5.5A ， 400V
r
DS （ ON）
= 1.000
单脉冲能量额定雪崩
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
IRF730
包
TO-220AB
BRAND
IRF730
符号
D
注：订货时，使用整个零件编号。
G
S
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏极（法兰）
4-232
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
IRF730
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
IRF730
400
400
5.5
3.5
22
±20
75
0.6
300
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
A
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
o
C
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
T
C
= 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
单脉冲雪崩能量额定值（注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J,
T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
D（上）
I
GSS
r
DS （ ON）
g
fs
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
L
D
测量从
联系方式拧紧Tab键切换到
的模具中心
测量从排水
铅的6mm （ 0.25英寸） ，从
包装以模具中心
修改MOSFET
符号显示的
内部寄存器
电感
D
L
D
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V （图10）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V ，T
J
= 125
o
C
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
, V
GS
= 10V （图7）
V
GS
=
±20V
I
D
= 3.0A ，V
GS
= 10V （图8,9）
V
DS
≥
10V ，我
D
= 3.3A （图12）
V
DD
= 200V ，我
D
≈
5.5A ，R
GS
= 12, R
L
= 35
MOSFET开关时间基本上是
独立工作温度
民
400
2.0
-
-
5.5
-
-
2.9
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
0.800
4.4
10
20
35
15
20
3.0
10
600
150
40
3.5
最大
-
4.0
25
250
-
±100
1.000
-
17
29
56
24
35
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
A
A
A
nA
S
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
nH
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
通态漏电流（注2 ）
门源漏电流
漏极至源极导通电阻（注2 ）
正向跨导（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（门源+栅漏）
门源费
栅漏“米勒”充电
输入电容
输出电容
反向传输电容
内部排水电感
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.5A ，V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
,
I
G（ REF ）
= 1.5毫安， （图14）
栅极电荷基本上是独立的
工作温度
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V中，f = 1MHz的（图11）
-
-
-
-
-
-
-
-
4.5
-
nH
内部源极电感
L
S
测量从
来源铅的6mm
（ 0.25英寸）从包头到
来源粘合垫
-
G
L
S
S
7.5
-
nH
热阻结到外壳
热阻结到环境
R
θJC
R
θJA
自由空气操作
-
-
-
-
1.67
80
o
C / W
o
C / W
4-233
IRF730
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
连续源极到漏极电流
脉冲源极到漏极电流
（注3）
符号
I
SD
I
SDM
测试条件
修改MOSFET符号
显示积分
反向P- N结
整流器器
G
D
民
-
-
典型值
-
-
最大
5.5
22
单位
A
A
源极到漏极二极管电压（注2 ）
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
V
SD
t
rr
Q
RR
S
o
C，我
T
J
= 25
SD
= 5.5A ，V
GS
= 0V （图13）
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 5.5A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 5.5A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
140
0.93
-
300
2.1
1.6
660
4.3
V
ns
C
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ） 。
4. V
DD
= 50V ，起始物为
J
= 25
o
C，L = 17mH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
AS
= 5.5A.
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
除非另有规定编
6
I
D
，漏电流（ A）
0.8
0.6
0.4
0.2
0
4
2
0
0
50
100
150
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
10
Z
θJC
，瞬态
热阻抗（
o
C / W ）
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
1
0.5
0.2
0.1
P
DM
0.1 0.05
0.02
0.01
单脉冲
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
+ T
C
10
-1
10
-3
10
-2
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
10
0
10
1
t
1
t
2
0.01
10
-5
10
-4
图3.最大瞬态热阻抗
4-234
IRF730
N - CHANNEL 400V - 0.75
- 5.5A - TO- 220
的PowerMESH MOSFET
TYPE
IRF730
s
s
s
s
s
V
DSS
400 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 1
I
D
5.5 A
典型
DS （ ON）
= 0.75
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
描述
这是功率MOSFET采用设计
公司的综合带状布局，基于MESH
OVERLAY 工艺。该技术匹配
而相比提高了性能
标准件从各种来源。
应用
s
大电流开关
s
不间断电源（ UPS ）
s
DC / DC COVERTERS为电信，
工业和照明设备。
3
1
2
TO-220
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
吨OT
的dv / dt （
1
)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25 C
漏电流（连续）在T
c
= 100 C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25 C
降额F演员
峰值二极管恢复电压斜率
存储牛逼emperature
马克斯。操作摄像结温
o
o
o
价值
400
400
±
20
5.5
3.5
22
100
0.8
4.0
-65到150
150
UNI吨
V
V
V
A
A
A
W
W / C
V / ns的
o
o
o
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(
1
) I
SD
≤5.5
A， di / dt的
≤ 90 Α/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
， TJ
≤
T
JMAX
该日期代码存在Z或k标记硅的第一个数字特征本数据表
1998年8月
1/8
IRF730
电气特性
（续）
接通
SYMB OL
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
开启时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试电导率银行足球比赛s
V
DD
= 200 V I
D
= 3.5 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7
（见测试电路，图1 ）
V
DD
= 320 V
I
D
= 5.5 V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
11.5
7.5
21
7.3
8.5
30
马克斯。
取消它
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
SYMB OL
t
R（ VOF F）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试电导率银行足球比赛s
V
DD
= 320 V I
D
= 7 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（见测试电路，图3 ）
分钟。
典型值。
9.5
9
16.5
马克斯。
取消它
ns
ns
ns
源漏二极管
SYMB OL
I
SD
I
SDM
()
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 5.5 A
V
GS
= 0
300
2
13.7
测试电导率银行足球比赛s
分钟。
典型值。
马克斯。
5.5
22
1.6
取消它
A
A
V
ns
C
A
I
SD
= 7的的di / dt = 100 A / μs的
o
T
j
= 150 C
V
DD
= 100 V
（见测试电路，图3 ）
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
安全工作区
热阻抗
3/8
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
热阻
符号参数
R
日J- MB
R
日J-一
热阻结
安装基座
热阻结
到环境
条件
分钟。
-
在自由空气
-
IRF730
典型值。马克斯。单位
-
60
1
-
K / W
K / W
电气特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号参数
漏源击穿
电压
V
（ BR ） DSS
/漏极 - 源极击穿
T
j
电压温度
系数
R
DS （ ON）
漏源导通电阻
V
GS （ TO ）
栅极阈值电压
g
fs
正向跨导
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
（ BR ） DSS
I
GSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
d
L
d
L
s
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安
V
DS
= V
GS
; I
D
= 0.25毫安
分钟。
400
-
-
2.0
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
0.1
0.7
3.0
4
1
30
10
52
3
26
12
33
93
42
3.5
4.5
7.5
620
108
63
-
-
1
4.0
-
25
250
200
62
5
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
%/K
V
S
A
A
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
nH
nH
nH
pF
pF
pF
V
GS
= 10 V ;我
D
= 3.6 A
V
DS
= V
GS
; I
D
= 0.25毫安
V
DS
= 30 V ;我
D
= 3.6 A
V
DS
= 400 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 320 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 125 C
栅极 - 源极漏电流V
GS
=
±30
V; V
DS
= 0 V
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反馈电容
I
D
= 7.2 ; V
DD
= 320 V; V
GS
= 10 V
V
DD
= 200 V ;
D
= 27
;
R
G
= 12
从测得的标签，模具中心
从测得的漏导致的模具中心
从源铅源测量
焊盘
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流
（体二极管）
脉冲电流源（体
二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
T
mb
= 25C
T
mb
= 25C
I
S
= 7.2 ; V
GS
= 0 V
I
S
= 7.2 ; V
GS
= 0 V ;的di / dt = 100 A / μs的
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
-
-
270
3.3
7.2
29
1.2
-
-
A
A
V
ns
C
1999年3月
2
启1.000
IRF730 ， SiHF730
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
38
5.7
22
单身
D
特点
400
1.0
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
快速开关
易于并联的
简单的驱动要求
铅（Pb） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
TO-220
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平，以约50瓦的低热阻
和TO- 220封装低的成本导致其广泛
接受整个行业。
G
S
G
D
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220
IRF730PbF
SiHF730-E3
IRF730
SiHF730
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
a
能源
b
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
6-32或M3螺丝
极限
400
± 20
5.5
3.5
22
0.59
290
5.5
7.4
74
4.0
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 16 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 5.5 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
5.5 A， di / dt的
≤
90 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91047
S- 81291 -REV 。 A， 16军08
www.vishay.com
1
IRF730 ， SiHF730
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
62
-
1.7
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 320 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.3 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 3.3 A
b
400
-
2.0
-
-
-
-
2.9
-
0.54
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
1.0
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
700
170
64
-
-
-
10
15
38
14
4.5
7.5
-
-
-
38
5.7
22
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.5 A，V
DS
= 320 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 200 V，I
D
= 3.5 A
R
G
= 12
Ω,
R
D
= 57
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
-
G
S
-
-
-
-
-
-
-
-
270
1.8
5.5
A
22
1.6
530
2.2
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 5.5 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 3.5 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
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2
文档编号： 91047
S- 81291 -REV 。 A， 16军08
IRF730
P
OWER
MOSFET
概述
这是功率MOSFET专为低电压，高
高速功率开关应用，如开关
监管机构， conveters ，电磁阀和继电器驱动器。
特点
更高的额定电流
低
DS （ ON）
，低的电容
低总栅极电荷
更严格的VSD技术指标
较高的雪崩能量
引脚配置
TO-220
符号
D
顶视图
门
来源
漏
G
S
1
2
3
N沟道MOSFET
订购信息
产品型号
包
IRF730..................................................TO-220
绝对最大额定值
等级
漏电流
连续
脉冲（注1 ）
栅极 - 源极电压
总功耗
减免上述25
单脉冲漏极至源雪崩能源
工作和存储温度范围
热阻
结到外壳
结到环境
最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒
T
J
= 25
E
AS
T
J
, T
英镑
JC
JA
符号
I
D
I
DM
V
GS
P
D
价值
6.0
21
±20
96
0.77
180
-55到150
1.70
62
300
单位
A
V
W
W/
mJ
CONTINUE
(V
DD
= 100V, V
GS
= 10V ，我
L
= 6A ，L = 10MH ，R
G
= 25 )
/W
T
L
第1页
IRF730
P
OWER
MOSFET
电气特性
除非另有规定，T
J
= 25 .
CIRF730
特征
漏源击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A)
I
DSS
25
)
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
A)
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
(V
DD
= 200 V，I
D
= 6 A,
R
G
= 9.1 , V
GS
= 10 V ） （注4 ）
t
r
t
D（关闭）
t
f
(V
DS
= 320V ，我
D
= 6A
V
GS
= 10 V ） （注4 ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
L
D
L
S
2.9
515
185
15
7
11
19
10
9.5
2
3
4.5
7.5
720
260
30
10
20
40
20
1.0
姆欧
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nH
nH
2.0
100
100
-100
4.0
nA
nA
V
A
漏极 - 源极漏电流
(V
DS
= 400V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 400V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125
(V
GSF
= 20 V, V
DS
= 0 V)
门源漏电流，反向
(V
GSR
= -20 V, V
DS
= 0 V)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 V，I
D
= 3A） （注4 ）
正向跨导（V
DS
= 50V ，我
D
= 3 A） （注4 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
内部排水电感
（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
内部排水电感
（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）
源极 - 漏极二极管的特性
反向恢复电荷
向前开启时间
反向恢复时间
二极管的正向电压
记
(1)
(2)
(3)
(4)
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温
V
DD
= 50V ，起始物为
J
= 25
I
SD
4.5A ， di / dt的
脉冲测试：脉冲宽度
L = 24mH ，R
G
= 25 , I
AS
= 4.5A
V
（ BR ） DSS
, T
J
2%
150
300μS ，占空比
75A / μs的，V
DD
I
F
= 6A ，的di / dt = 100A / μs的，T
J
= 25
（注4 ）
I
S
= 6A ，V
GS
= 0 V ，T
J
= 25
（注4 ）
Q
rr
t
on
t
rr
V
SD
1.6
**
270
1.5
ns
V
C
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0兆赫）
门源漏电流，正向
符号
V
（ BR ） DSS
民
400
典型值
最大
单位
V
**忽略不计，占主导地位的电路中电感
第2页
IRF730
P
OWER
MOSFET
典型电气特性
12
3
归漏 - 源电阻，
Rdon
10
漏极电流ID （ A）
TC = 25℃
脉冲宽度= 20我们
VGS = 10V （上） ， 8V ， 7V ， 6V
5.5V ， 5V ， 4.5V （下）
2.5
VGS = 10 V
ID = 5.5
8
2
6
1.5
SmartStar科技公司
2
4
1
2
0.5
0
0.1
1
漏极至源极电压VDS （V ）
10
0
-60
-20
20
60
100
140
结TEM PE叉涂抹， TJ （C ）
科幻gure
1.
ID与Vds的曲线
10000
科幻gure
2.
Rdon与TJ曲线
12
栅极 - 源极电压，栅极电压（V ）
10
VDS = 320 V
ID = 5.5
1000
电容（PF ）
西塞= Cgd的+的Cgs
8
COS S =硫化镉+ Cgd的
100
6
4
10
2
TC = 25℃
F = 1 MHz的
VGS = 0 V
CRSS = Cgd的
0
0.00
1
10.00
20.00
30.00
1.0
10.0
100.0
1000.0
总栅极电荷QG （ NC）
漏 - 源电压VDS （V ）
科幻gure
3.
VGS与曲线的Qg
科幻gure
4.
电容与Vds的曲线
10
归热阻抗， Zthjc
占空比= 0.5 （顶部） ，0.2 ，0.1 ，0.05 ，
0.02 ， 0.01 ，单脉冲（下）
1
0.1
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（二）
科幻gure
5.
瞬态热阻抗曲线
页面
3
QQ：2880707522 复制
