【PD - 95294IRF7241PbFHEXFET功率MOSFET沟槽技术●超低导通电阻●P沟道M】,IC型号IRF7241PBF,IRF7241PBF PDF资料,IRF7241PBF经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 95294

IRF7241PbF

HEXFET

功率MOSFET

沟槽技术

●

超低导通电阻

●

P沟道MOSFET

●

可在磁带卷&

●

LEAD -FREE

●

DSS

-40V

DS （ ON）

最大值（ mW）的

41@V

= -10V

70@V

= -4.5V

-6.2A

-5.0A

描述

新沟HEXFET

从功率MOSFET

国际整流器利用先进的加工

技术，以实现极低的导通电阻

每硅片面积。这样做的好处，并结合

坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率

MOSFET是众所周知的，为设计者提供

用一个非常有效和可靠的装置，用于使用

在电池和负载管理应用。

顶视图

SO-8

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

= 70°C

英镑

漏源电压

连续漏电流， V

@ -10V

连续漏电流， V

@ -10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

结温和存储温度范围

马克斯。

-40

-6.2

-4.9

-25

2.5

1.6

± 20

-55到+ 150

单位

毫瓦/°C的

°C

热阻

符号

θJL

θJA

参数

结到漏极引线

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

单位

° C / W

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10/6/04

IRF7241PbF

电气特性@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

（ BR ） DSS

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

分钟。

-40

–––

-1.0

8.9

–––

典型值。

–––

0.03

–––

3.9

280

210

100

3220

160

190

MAX 。单位

条件

–––

= 0V时，我

= -250A

--- V / ° C参考到25° C，I

= -1mA

= -10V ，我

= -6.2A

= -4.5V ，我

= -5.0A

-3.0

= V

, I

= -250A

–––

= -10V ，我

= -6.2A

-10

= -32V, V

= 0V

-25

= -32V, V

= 0V ，T

= 70°C

-100

= -20V

100

= 20V

= -6.2A

= -32V

5.9

= -10V

–––

= -20V

–––

= -1.0A

–––

= 6.0

–––

= -10V

–––

= 0V

–––

= -25V

–––

= 1.0kHz

源极 - 漏极额定值和特性

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

-2.5

-25

-1.2

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

= 25 ° C，I

= -2.5A ，V

= 0V

= 25 ° C，I

= -2.5A

的di / dt = -100A / μs的

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。

表面安装在1平方铜电路板

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

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IRF7241PbF

1000

VGS

顶部

-15V

-10V

-4.5V

-3.7V

-3.5V

-3.3V

-3.0V

BOTTOM -2.7V

100

-I

，漏极 - 源极电流（A ）

100

-I

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

-15V

-10V

-4.5V

-3.7V

-3.5V

-3.3V

-3.0V

BOTTOM -2.7V

顶部

-2.70V

0.1

0.01

0.1

-2.70V

20μs的脉冲宽度

= 25

100

0.1

20μs的脉冲宽度

= 150

100

-V

，漏极至源极电压（ V）

-V

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

100.00

2.0

= -6.2A

-I D，漏 - 源电流

(Α

)

10.00

T J = 150℃

1.5

1.00

1.0

T J = 25°C

0.10

0.5

0.01

2.5

3.0

3.5

VDS = -25V

20μs的脉冲宽度

4.0

4.5

5.0

0.0

-60 -40 -20

= -10V

80 100 120 140 160

-VGS ，栅 - 源极电压（ V）

，结温（

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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5000

-V

，栅 - 源极电压（ V）

4000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

DS短路

CRSS = C

-6.2A

=-32V

=-20V

C，电容（pF ）

西塞

3000

COSS = C + C

DS GD

2000

1000

科斯

CRSS

100

-V DS ，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

-I

，反向漏电流（ A）

-I D，漏极 - 源极电流（A ）

在这一领域

限于由R DS （ ON）

= 150

100sec

1msec

TC = 25°C

TJ = 150℃

单脉冲

100

1000

10msec

= 25

0.1

0.4

= 0 V

0.6

0.8

1.0

1.2

0.1

-V

，源极到漏极电压（V ）

-VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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8.0

-I

，漏电流（ A）

6.0

4.0

脉冲宽度

≤ 1

占空比

≤ 0.1 %

2.0

图10A 。

开关时间测试电路

D（上）

D（关闭）

0.0

100

125

150

10%

，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

90%

图10B 。

开关时间波形

100

热响应（Z

thJA

)

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

0.1

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

注意事项：

1.负载因数D = T

/ t

2.峰值牛逼

= P

X Z

thJA

+ T

100

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

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D.U.T.

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