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PD - 95166
IRF7207PbF
HEXFET
功率MOSFET
第5代技术
l
P沟道MOSFET
l
表面贴装
l
可在磁带卷&
l
动态的dv / dt额定值
l
快速开关
l
LEAD -FREE
描述
l
S
1
2
3
4
8
7
A
D
D
D
D
S
S
G
V
DSS
= -20V
R
DS （ ON）
= 0.06
6
5
顶视图
第五代HEXFET
从功率MOSFET
国际整流器利用先进的加工
技术，以实现极低的导通电阻
每硅片面积。这样做的好处，结合快速
开关速度和坚固耐用的设备的设计，
HEXFET功率MOSFET是众所周知的，提供了
设计师用一种极其有效和可靠的
装置，用于在各种各样的应用中使用。
采用SO-8已经通过定制进行了修改
引线框架用于增强热性能和
多模能力使它成为理想的各种
电源应用。有了这些改进，多
设备可用于在应用程序中使用显着
减少了电路板空间。该软件包是专为
气相，红外，或波峰焊技术。
大于0.8W的功耗是可能的
典型的印刷电路板安装的应用程序。
SO-8
绝对最大额定值
V
DS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 70°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 70°C
V
GS
V
GSM
E
AS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
参数
漏源电压
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
栅 - 源电压单脉冲tp<10μs
单脉冲雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
马克斯。
-20
-5.4
-4.3
-43
2.5
1.6
0.02
± 12
-16
140
-5.0
-55到+ 150
单位
V
A
W
W / ℃，
V
V
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJA
最大结点到环境
典型值。
–––
马克斯。
50
单位
° C / W
www.irf.com
1
10/6/04
IRF7207PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
-20
–––
–––
–––
-0.7
8.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
-0.011
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
15
2.2
5.7
11
24
43
41
780
410
200
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= -1mA
0.06
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -5.4A
0.10
V
GS
= -2.7V ，我
D
= -2.7A
–––
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
–––
S
V
DS
= -10V ，我
D
= -5.4A
-1.0
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V
A
-25
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
-100
V
GS
= 12V
nA
100
V
GS
= -12V
22
I
D
= -5.4A
3.3
nC
V
DS
= -10V
8.6
V
GS
= -4.5V,
–––
V
DD
= -10V
–––
I
D
= -1.0A
ns
–––
R
G
= 6.0
–––
R
D
= 10,
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= -15V
–––
= 1.0MHz的，
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
42
50
-3.1
A
-43
-1.0
63
75
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= -3.1A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= -3.1A
的di / dt = -100A / μs的
D
S
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
I
SD
≤
-5.4A ， di / dt的
≤
-79A /微秒，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
150°C
起始物为
J
= 25℃时，L = 9.6mH
R
G
= 25, I
AS
= -5.4A.
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
当安装在1平方英寸的铜板， t<10秒
2
www.irf.com
IRF7207PbF
100
VGS
顶部
-7.00V
-5.00V
-4.50V
-3.50V
-3.00V
-2.70V
-2.50V
BOTTOM -2.25V
100
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
-7.00V
-5.00V
-4.50V
-3.50V
-3.00V
-2.70V
-2.50V
BOTTOM -2.25V
顶部
10
10
-2.25V
-2.25V
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.0
T
J
= 25
°
C
T
J
= 150
°
C
10
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= -5.4A
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
1.5
1.0
0.5
1
2.0
V DS = -10V
20μs的脉冲宽度
3.0
4.0
5.0
6.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
=
-4.5V
-10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRF7207PbF
1600
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
GD ，
C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
10
I
D
= -5.4A
V
DS
=-10V
8
C，电容（pF ）
1200
西塞
800
6
科斯
400
4
CRSS
2
0
1
10
100
0
测试电路
见图13
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
-I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
10
-I
D
，漏电流（ A）
I
T
J
= 150
°
C
100us
10
1ms
1
T
J
= 25
°
C
0.1
0.4
V
GS
= 0 V
0.6
0.7
0.9
1.1
1.2
1.4
1
T
A
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
1
10
10ms
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
100
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRF7207PbF
E
AS
，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
6.0
400
5.0
-I
D
，漏电流（ A）
300
ID
顶部
-2.4A
-4.3A
BOTTOM -5.4A
4.0
3.0
200
2.0
100
1.0
0.0
25
50
T
C
，外壳温度（ ° C）
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
起始物为
J
，结温（
°
C)
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
最大雪崩能量
与漏电流
100
热响应（Z
thJA
)
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
1
t
2
单脉冲
（热反应）
0.1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJA
+ T
A
1
10
100
10
1
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
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ILC7082AIM528X
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