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PD - 95164
IRF7105PbF
先进的工艺技术
l
超低导通电阻
l
双N和P沟道MOSFET
l
表面贴装
l
可在磁带卷&
l
动态的dv / dt额定值
l
快速开关
l
LEAD -FREE
描述
l
HEXFET
功率MOSFET
S1
G1
S2
G2
N沟道MOSFET
1
8
2
3
4
7
6
5
D1
D1
D2
D2
N沟道
V
DSS
R
DS （ ON）
I
D
25V
0.10
3.5A
P沟道
-25V
0.25
-2.3A
P沟道MOSFET
顶视图
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
尽可能低的导通电阻每硅片面积。
这样做的好处，结合快速开关速度
和坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率
MOSFET是众所周知的，为设计者提供
以在很宽的一个非常有效的装置，用于使用
各种应用程序。
采用SO-8已经通过定制进行了修改
引线框架用于增强热性能和
多模能力使它成为理想的各种
电源应用。有了这些改进，
多个设备可以在一个应用程序中使用
大大减少了电路板空间。该包是
专为气相，红外，或波峰焊
技术。大于0.8W的功耗
可以在一个典型的印刷电路板安装的应用程序。
SO-8
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
马克斯。
N沟道
3.5
2.8
14
2.0
0.016
± 20
3.0
-55到+ 150
-3.0
P沟道
-2.3
-1.8
-10
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
热电阻额定值
R
θJA
最大结点到环境
参数
分钟。
典型值。
马克斯。
62.5
单位
° C / W
www.irf.com
1
10/6/04
IRF7105PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N-P
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N-P
N-P
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
分钟。
25
-25
1.0
-1.0
典型值。马克斯。
0.030
-0.015
0.083 0.10
0.14 0.16
0.16 0.25
0.30 0.40
3.0
-3.0
4.3
3.1
2.0
-2.0
25
-25
±100
9.4 27
10
25
1.7
1.9
3.1
2.8
7.0 20
12
40
9.0 20
13
40
45
90
45
90
25
50
37
50
4.0
6.0
330
290
250
210
61
67
单位
V
V /°C的
V
S
A
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
参考至25℃ ，我
D
= -1mA
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.0A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 0.50A
V
GS
= -10V ，我
D
= -1.0A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -0.50A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
V
DS
= 15V ，我
D
= 3.5A
V
DS
= -15V ，我
D
= -3.5A
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V,
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55°C
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55°C
V
GS
= ± 20V
N沟道
I
D
= 2.3A ，V
DS
= 12.5V, V
GS
= 10V
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
总gatecharge
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部泄油Inductace
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
nC
P沟道
I
D
= -2.3A ，V
DS
= -12.5V, V
GS
= -10V
N沟道
V
DD
= 25V ，我
D
= 1.0A ，R
G
= 6.0,
R
D
= 25
P沟道
V
DD
= -25V ，我
D
= -1.0A ，R
G
= 6.0,
R
D
= 25
从铅之间的6mm （0.25英寸）。
封装和裸片联络中心
N沟道
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V ， = 1.0MHz的
P沟道
V
GS
= 0V, V
DS
= -15V ， = 1.0MHz的
ns
nH
pF
源极 - 漏极额定值和特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N-P
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
2.0
-2.0
A
14
-9.2
1.2
T
J
= 25 ° C，I
S
= 1.3A ，V
GS
= 0V
V
-1.2
T
J
= 25 ° C，I
S
= -1.3A ，V
GS
= 0V
36
54
N沟道
ns
69 100
T
J
= 25 ° C，I
F
= 1.3A ，的di / dt = 100A / μs的
41
75
P沟道
nC
T
J
= 25 ° C，I
F
= -1.3A ，的di / dt = 100A / μs的
90 180
固有的导通时间是neglegible （开启用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
表面安装在FR- 4电路板，T
≤
10sec.
N沟道我
SD
≤
3.5A ， di / dt的
≤
90A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
150°C
P沟道我
SD
≤
-2.3A ， di / dt的
≤
90A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
150°C
2
www.irf.com
N沟道
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
IRF7105PbF
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
图2 。
典型的输出特性
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
（归一化）
T
J
，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
C，电容（pF ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
www.irf.com
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
3
IRF7105PbF
I
SD
，反向漏电流（ A）
N沟道
I
D
，漏电流（ A）
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
V
DS
R
D
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
R
G
10V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
D.U.T.
+
V
-
DD
图10A 。
开关时间测试电路
T
A
，环境温度（ ° C）
V
DS
90%
图9 。
最大漏极电流比。
环境温度
电流调节器
同类型D.U.T.
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
50K
12V
.2F
.3F
图10B 。
开关时间波形
D.U.T.
+
V
-
DS
10V
Q
GS
Q
G
Q
GD
V
GS
3mA
V
G
I
G
I
D
收费
电流采样电阻器
图11A 。
栅极电荷测试电路
4
图11B 。
基本栅极电荷波形
www.irf.com
P沟道
IRF7105PbF
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图12 。
典型的输出特性
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
图13 。
典型的输出特性
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
（归一化）
T
J
，结温（ ° C）
图14 。
典型的传输特性
图15 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
C，电容（pF ）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图16 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
www.irf.com
图17 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
5
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