PD - 96101C
IRF7103QPbF
好处
l
l
l
l
l
l
HEXFET
功率MOSFET
V
DSS
50V
先进的工艺技术
双N沟道MOSFET
超低导通电阻
175 ° C工作温度
重复性雪崩中允许多达TJMAX
LEAD -FREE
HEXFET
R
DS （ ON）
最大值（ mW）的
130@V
GS
= 10V
200@V
GS
= 4.5V
I
D
3.0A
1.5A
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
8
7
6
5
D1
D1
D2
D2
描述
这
功率MOSFET的一个双SO- 8封装
利用最新的处理技术，以实现极
低导通电阻每硅片面积。的附加功能
这些HEXFET功率MOSFET的是175 ° C的结
工作温度，快速开关速度和改进的
重复雪崩额定值。这些优势结合起来，使
这种设计非常有效和可靠的装置，用于使用
在各种各样的应用中。
高效率的SO -8封装提供了增强的热
特性和双MOSFET管芯的能力使得它
理想中的各种功率应用。这种双重，表面
安装SO- 8可显着减少电路板空间，并
也可用
在磁带&卷轴。
顶视图
SO-8
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
功耗
马克斯。
3.0
2.5
25
2.4
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
e
c
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
工作结
h
峰值二极管恢复的dv / dt
g
c
f
16
± 20
22
参见图。 16C ， 16D ， 19 ， 20
12
-55 + 175
存储温度范围
热阻
参数
R
θJL
R
θJA
结到漏极引线
结到环境
典型值。
–––
–––
马克斯。
20
62.5
单位
° C / W
fg
www.irf.com
1
08/02/10
IRF7103QPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
50
–––
–––
–––
1.0
3.4
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.057
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
10
1.2
2.8
5.1
1.7
15
2.3
255
69
29
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
130
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.0A
m
200
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 1.5A
3.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 15V ，我
D
= 3.0A
2.0
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
A
25
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
15
I
D
= 2.0A
–––
NC V
DS
= 40V
–––
V
GS
= 10V
–––
V
DD
= 25V
–––
I
D
= 1.0A
ns
–––
R
G
= 6.0
–––
R
D
= 25
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= 25V
–––
= 1.0MHz的
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
35
45
3.0
A
12
1.2
53
67
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 1.5A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 1.5A
的di / dt = 100A / μs的
D
S
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
表面安装在1平方铜电路板
起始物为
J
= 25℃时，L = 4.9mH
R
G
= 25, I
AS
= 3.0A 。 （参见图12）。
I
SD
≤
2.0A ， di / dt的
≤
155A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
限制T
JMAX
请参阅图16C ， 16D ， 19 ， 20为典型的重复
雪崩性能。
2
www.irf.com
IRF7103QPbF
100
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
100
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
4.5V
4.5V
10
1
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
1
0.1
1
10
100
20μs的脉冲宽度
TJ = 175℃
0.1
0.1
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100.00
2.5
ID ，漏 - 源电流
(Α
)
T J = 175℃
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 3.0A
2.0
10.00
T J = 25°C
1.5
1.0
0.5
1.00
3.0
6.0
VDS = 25V
20μs的脉冲宽度
9.0
12.0
15.0
0.0
-60 -40 -20 0
V
GS
= 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRF7103QPbF
3.0
V
DS
2.4
R
D
V
GS
R
G
I
D
，漏电流（ A）
D.U.T.
+
1.8
-
V
DD
V
GS
1.2
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
0.6
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
90%
25
50
75
100
125
150
175
0.0
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
100
热响应（Z thJA ）° C / W
D = 0.50
10
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
1
0.1
单脉冲
（热反应）
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthja + T A
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0.01
1E-006
1E-005
0.0001
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
典型的有效瞬态热阻抗，结到环境
www.irf.com
5
QQ：2881677436 复制
