IRF710 ， SiHF710
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
17
3.4
8.5
单身
D
特点
400
3.6
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
快速开关
易于并联的
简单的驱动要求
铅（Pb） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
TO-220
描述
G
S
G
D
S
N沟道
MOSFET
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平，以约50瓦的低热阻
和TO- 220封装低的成本导致其广泛
接受整个行业。
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220
IRF710PbF
SiHF710-E3
IRF710
SiHF710
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
400
± 20
2.0
1.2
6.0
0.29
120
2.0
3.6
36
4.0
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
单位
V
A
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
T
C
= 25 °C
10秒
6-32或M3螺丝
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 52 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 2.0 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
2.0 A ， di / dt的
≤
40 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91041
S-挂起-REV 。 A， 30 08年5月
www.vishay.com
1
WORK -IN -PROGRESS
IRF710 ， SiHF710
Vishay Siliconix公司
热阻
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
62
-
3.5
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 320V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 1.2 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 1.2 A
b
400
-
2.0
-
-
-
-
1.0
-
0.47
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
3.6
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
170
34
6.3
-
-
-
8.0
9.9
21
11
4.5
7.5
-
-
-
17
3.4
8.5
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 2.0 A，V
DS
= 320 V
参见图。 6和13
b
V
DD
= 200 V，I
D
= 2.0 A,
R
G
= 24
Ω,
R
D
= 95
Ω
参见图。 10
b
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
-
G
S
-
-
-
-
-
-
-
-
240
0.85
2.0
A
6.0
1.6
540
1.6
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 2.0 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 2.0 A,
的di / dt = 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
www.vishay.com
2
文档编号： 91041
S-挂起-REV 。 A， 30 08年5月
IRF710
数据表
1999年6月
网络文件编号
2310.3
2.0A ， 400V ， 3.600 Ohm的N通道功率
MOSFET
这种N沟道增强型硅栅功率科幻场
场效应晶体管是一种先进的功率MOSFET设计，
经过测试，并保证能承受一个特定的编辑水平
能在操作中的击穿雪崩模式。所有
这些功率MOSFET设计用于应用程序，例如
开关稳压器，开关转换器，电机驱动器，
继电器驱动器，以及用于高功率双极开关的驱动
晶体管需要高速，低栅极驱动电源。
它们可以直接从集成电路来操作。
以前发育类型TA17444 。
特点
2.0A ， 400V
r
DS （ ON）
= 3.600
单脉冲能量额定雪崩
SOA是功耗有限公司
纳秒的开关速度
线性传输特性
高输入阻抗
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
订购信息
产品型号
IRF710
包
TO-220AB
BRAND
IRF710
符号
D
注：订购时，包括整个零件编号。
G
S
包装
JEDEC TO- 220AB
顶视图
来源
漏
门
漏
（法兰）
4-220
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
IRF710
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
IRF710
400
400
2
1.2
5
±20
36
0.29
120
-55到150
300
260
单位
V
V
A
A
A
V
W
W/
o
C
mJ
o
C
o
C
o
C
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
连续漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
T
C
= 100
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
D
漏电流脉冲（注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
单脉冲雪崩能量额定值（注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至125
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
D（上）
I
GSS
r
DS （ ON）
g
fs
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
L
D
测量从
联系方式拧紧Tab键切换到
的模具中心
修改MOSFET
符号显示的
内部寄存器的
测量从漏极电感
D
铅的6mm （ 0.25英寸） ，从
包装以模具中心
L
D
测量从
来源铅的6mm
（ 0.25英寸）从包头到
来源粘合垫
G
L
S
S
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250μA （图10）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V ，T
J
= 125
o
C
V
DS
＆ GT ;我
D（ ON ）×
r
DS （ ON）最大值
, V
GS
= 10V
V
GS
=
±20V
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.1A （图8,9 ）
V
DS
≥
10V
,
I
D
= 1.2A （图12）
V
DD
=
50V ，我
D
≈
5.6A ，R
G
= 24, R
L
= 8.9,
V
GS
= 10V
MOSFET开关时间基本上是
独立工作温度
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.0A ，V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
I
G（ REF ）
= 1.5毫安（图14）
栅极电荷基本上是独立运营的
温度
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1.0MHz的（图11 ）
民
400
2.0
-
-
2.0
-
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
3.3
1.5
8.0
10
21
11
7.0
1.2
4.0
135
35
8.0
3.5
最大
-
4.0
250
1000
-
±500
3.6
-
12
15
32
17
12
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
A
A
A
nA
S
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
pF
pF
pF
nH
漏源击穿电压
门至门限电压
零栅极电压漏极电流
通态漏电流（注2 ）
门源漏FORWARD
漏极至源极导通电阻（注2 ）
正向跨导（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（门源+栅漏）
门源费
栅漏“米勒”充电
输入电容
输出电容
反向传输电容
内部排水电感
-
4.5
-
nH
内部源极电感
L
S
-
7.5
-
nH
热阻结到外壳
热阻结到环境
R
θJC
R
θJA
自由空气操作
-
-
-
-
3.5
62.5
o
C / W
o
C / W
4-221
IRF710
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
连续源极到漏极电流
脉冲源极到漏极电流
（注3）
符号
I
SD
I
SDM
测试条件
修改MOSFET
符号显示的
整体反转
P-N结二极管
G
D
民
-
-
典型值
-
-
最大
2.0
5.0
单位
A
A
S
源极到漏极二极管电压（注2 ）
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
V
SD
t
rr
Q
RR
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 2.0A ，V
GS
= 0V （图13）
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 2.0A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
T
J
= 25
o
C，我
SD
= 2.0A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
110
0.40
-
-
-
1.6
520
1.4
V
ns
C
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
3.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线（图3 ） 。
4. V
DD
= 50V ，起始物为
J
= 25
o
C，L = 53μH ，R
G
= 25Ω ，峰值I
AS
= 2A.
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
除非另有规定编
2.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I
D,
漏电流（ A）
0
50
100
150
1.6
1.2
0.8
0.4
0
25
50
75
100
125
o
C)
T
C
，外壳温度（
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
10
Z
θJC
，热阻抗
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
0.5
1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.1
P
DM
t
1
t
2
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
+ T
C
10
-4
10
-3
10
-2
0.1
1
10
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
10
-2
10
-5
图3.归一化最大瞬态热阻抗
4-222
QQ：2881677436 复制
