【PD-97634llllllllll符合RoHS和无卤素薄型（ <0.7毫米）双面冷却兼容超低】,IC型号IRF6811STRPBF,IRF6811STRPBF PDF资料,IRF6811STRPBF经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD-97634

l

符合RoHS和无卤素

薄型（ <0.7毫米）

双面冷却兼容

超低封装电感

优化高频开关

理想的CPU内核的DC -DC转换器

优化控制FET的应用？

兼容现有的表面贴装技术

100 ％通过Rg测试

足迹兼容的DirectFET

典型值（除非另有规定）

的DirectFET

PLUS

功率MOSFET

V

GS

R

DS （ ON）

Q

gs2

1.4nC

IRF6811SPbF

IRF6811STRPbF

R

DS （ ON）

Q

OSS

11nC

V

DSS

Q

g

合计

25V最大± 16V最大2.8mΩ @ 10V 4.1mΩ @ 4.5V

Q

gd

4.2nC

Q

rr

23nC

V

GS （ TH）

1.6V

11nC

D

G

S

D

SQ

适用的DirectFET外形及其基材纲要（见p.7,8了解详情）

等距

SQ

SX

ST

MQ

MX

MT

MP

描述

该IRF6811STRPbF结合了最新的HEXFET

功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET

包装实现

改进的性能中，有一个微8和仅0.7毫米轮廓的足迹的软件包。采用DirectFET

包兼容

在功率应用中，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流焊接技使用现有布局的几何形状

niques ，当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。采用DirectFET

包允许

双面冷却，以最大限度地提高电力系统的热传递，由80 ％提高以前的最好的热阻。

该IRF6811STRPbF具有低栅极电阻和低电荷连同超低封装电感提供显著降低

开关损耗。减少损失，使这款产品非常适用于高效率的DC -DC转换器提供动力的最新一代

处理器工作于更高的频率。该IRF6811STRPbF进行了优化同步降压控制FET插座

从12伏总线转换器操作。

绝对最大额定值

参数

V

DS

V

GS

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

D

@ T

C

= 25°C

I

DM

E

AS

I

AR

12

典型的RDS （ ON）（ MΩ）

马克斯。

单位

V

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

g

e

f

g

h

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

25

±16

19

15

74

150

32

15

14.0

12.0

10.0

8.0

6.0

4.0

2.0

0.0

0

5

10

15

20

25

ID = 15A

VDS = 20V

A

mJ

A

10

8

6

4

2

0

T J = 25°C

ID = 19A

TJ = 125°C

VDS = 13V

VDS = 5.0V

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16

VGS ，门-to - 源电压（V ）

图1 。

典型导通电阻与栅极电压

注意事项：

点击此部分链接到相应的技术文件。

点击此部分链接到的DirectFET网站。

表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。

30

QG总栅极电荷（ NC）

图2 。

典型的总栅极电荷VS门 - 源极电压

T

C

用热电偶测量安装在顶部的一部分（漏）。

重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。

起始物为

J

= 25℃时，L = 0.28mH ，R

G

= 50, I

AS

= 15A.

www.irf.com

1

01/28/11

IRF6811SPbF

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

BV

DSS

ΒV

DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/T

J

I

DSS

I

GSS

政府飞行服务队

Q

g

Q

gs1

Q

gs2

Q

gd

Q

godr

Q

sw

Q

OSS

R

G

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

栅极阈值电压系数

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

正向跨导

总栅极电荷

预Vth的栅极 - 源极充电

后Vth的栅极至源电荷

栅极 - 漏极电荷

栅极电荷过载

切换电荷（Q

gs2

+ Q

gd

)

输出充电

栅极电阻

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

25

–––

1.1

–––

180

–––

TYP 。 MAX 。单位

–––

22

2.8

4.1

1.6

-6.2

–––

11

2.2

1.4

4.2

3.2

5.6

11

0.4

8.7

19

11

5.5

1590

460

110

–––

3.7

5.4

2.1

–––

1.0

150

100

-100

–––

17

–––

pF

nC

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

毫伏/ ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

V

GS

= 10V ，我

D

= 19A

m

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 15A

V

DS

= V

GS

, I

D

= 35A

毫伏/°C， V

DS

= V

GS

, I

D

= 25A

μA V

DS

= 20V, V

GS

= 0V

V

DS

= 20V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

nA的V

GS

= 16V

V

S

V

GS

= -16V

V

DS

= 13V ，我

D

= 15A

V

DS

= 13V

nC

V

GS

= 4.5V

I

D

= 15A

参见图。 2 & 15

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V

V

DD

= 13V, V

GS

= 4.5V

ns

I

D

= 15A

R

G

= 1.5

参照图17

V

GS

= 0V

V

DS

= 13V

= 1.0MHz的

i

二极管的特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

分钟。

–––

TYP 。 MAX 。单位

–––

18

23

40

A

150

1.0

27

35

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 15A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 15A

的di / dt = 300A / μs的

g

i

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

2

www.irf.com

IRF6811SPbF

绝对最大额定值

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

A

= 70°C

P

D

@T

C

= 25°C

T

P

T

J

T

英镑

功耗

峰值焊接温度

工作结

存储温度范围

e

f

参数

马克斯。

2.1

1.3

32

270

-40 + 150

单位

W

°C

热阻

R

θJA

R

θJA

R

θJA

R

θJC

R

θJ -PCB

结到环境

结到外壳

结到PCB安装

线性降额因子

100

D = 0.50

热响应（Z thJA ）

el

jl

kl

fl

参数

典型值。

–––

12.5

20

–––

1.0

0.017

马克斯。

60

–––

3.9

–––

单位

° C / W

e

W / ℃，

10

1

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

τ

J

R

1

R

1

τ

J

τ

1

τ

2

R

2

R

2

R

3

R

3

τ

3

R

4

R

4

τ

A

τ

4

τ

A

RI（ ° C / W）

21.298

24.844

3.3632

10.411

2.002815

0.296144

0.000886

0.027621

τi

（秒）

0.1

τ

1

τ

2

τ

3

τ

4

CI-

τi /日

CI-

τi /日

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthja +锝

0.001

0.01

0.1

1

10

100

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图3 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

二手双面散热，安装垫大的散热器。

安装在最小的占用空间全尺寸板金属化

背部和小夹散热器。

注意事项：

R

θ

的测量是在

T

J

大约90 ℃。

表面安装1英寸方铜

（静止空气中）。

安装到印刷电路板

同

小夹子散热器（静止空气中）

安装在最小

足迹全尺寸板

金属化背部和小

夹散热器（静止空气中）

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3

IRF6811SPbF

1000

顶部

VGS

10V

5.0V

4.5V

3.5V

3.3V

3.0V

2.8V

2.5V

1000

顶部

VGS

10V

5.0V

4.5V

3.5V

3.3V

3.0V

2.8V

2.5V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

10

1

10

2.5V

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 25°C

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 150℃

1

0.1

1

10

100

1000

V DS ，漏极至源极电压（ V）

0.1

1

10

100

1000

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图4 。

典型的输出特性

1000

VDS = 15V

≤60s

脉冲宽度

100

TJ = 150℃

TJ = 25°C

TJ = -40°C

典型的RDS（on ）（正火）

图5 。

典型的输出特性

2.0

ID = 19A

V GS = 10V

V GS = 4.5V

1.5

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

10

1.0

1

0.1

1

2

3

4

0.5

-60 -40 -20 0

20 40 60 80 100 120 140 160

T J ，结温（ ° C）

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

图6 。

典型的传输特性

100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

ISS = C GS + C GD ，C DS短路

RSS = C GD

图7 。

归一化的导通电阻与温度的关系

45

40

35

T J = 25°C

VGS = 3.5V

VGS = 4.0V

VGS = 4.5V

VGS = 5.0V

VGS = 10V

典型的RDS （ ON）（ MΩ）

10000

C，电容（pF ）

OSS = C DS + C GD

30

25

20

15

10

5

西塞

1000

科斯

CRSS

100

10

1

10

VDS ，漏极至源极电压（ V）

100

0

20

40

60

80

100 120 140 160

图8 。

典型的电容vs.Drain - to-Source电压

图9 。

典型导通电阻比。

漏电流和栅极电压

ID ，漏电流（ A）

4

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IRF6811SPbF

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100sec

1msec

10msec

1

DC

T A = 25°C

T J = 150℃

100

T J = 150℃

T J = 25°C

T J = -40°C

10

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

100

10

1

VGS = 0V

0

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

VSD ，源极到漏极电压（V ）

0.1

单脉冲

0.01

0.10

1.00

10.00

100.00

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图10 。

典型的源漏二极管正向电压

典型VGS （ TH）栅极阈值电压（ V）

80

70

60

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

150

T C ，外壳温度（ ° C）

Fig11.

最大安全工作区

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

-75 -50 -25

0

25

50

75 100 125 150

T J ，温度（° C）

ID = 25μA

ID = 250μA

ID = 1.0毫安

ID = 1.0A

ID ，漏电流（ A）

图12 。

最大漏极电流与外壳温度

140

EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）

图13 。

典型的阈值电压与结

温度

ID

顶部

1.4A

2.2A

BOTTOM 15A

120

100

80

60

40

20

0

25

50

75

100

125

150

开始T J ，结温（ ° C）

图14 。

最大雪崩能量与漏电流

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5