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PD - 97034
IRF4905SPbF
IRF4905LPbF
特点
先进的工艺技术
超低导通电阻
150 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
有些参数是从Differrent
IRF4905S
LEAD -FREE
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
= -55V
R
DS （ ON）
= 20m
G
S
I
D
= -42A
D
描述
这种设计的特点是在150 ℃的结能操作
阿婷温度，开关速度快， im-
事实证明重复雪崩额定值。这些功能
相结合，使这种设计非常有效的
和可靠的装置，用于在各种其它的用途
应用程序。
D
G
D
S
G
D
S
D
2
PAK
IRF4905SPbF
G
D
TO-262
IRF4905LPbF
S
绝对最大额定值
参数
门
漏
马克斯。
-70
-44
-42
-280
170
1.3
± 20
来源
单位
A
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流， V
GS
@ 10V
（硅有限公司）
I
D
@ T
C
= 100℃连续漏电流， V
GS
@ 10V
（硅有限公司）
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流， V
GS
@ 10V
（包装有限公司）
I
DM
漏电流脉冲
P
D
@T
C
= 25 °C功耗
线性降额因子
V
GS
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
栅极 - 源极电压
E
AS （限热）
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
d
单脉冲雪崩能量测试值
h
140
790
看到图12a ， 12b中，15，16
-55到+ 150
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
g
i
°C
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅的（ 1.1N M）
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
热阻
R
θJC
R
θJA
结到外壳
y
y
j
参数
典型值。
马克斯。
0.75
40
单位
结到环境（ PCB安装，稳态）
ij
–––
–––
www.irf.com
1
8/5/05
IRF4905S/L
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
-55
–––
–––
-2.0
19
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
-0.054
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
120
32
53
20
99
51
64
7.5
3500
1250
450
4620
940
1530
–––
–––
20
-4.0
–––
-25
-200
100
-100
180
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
nH
ns
nC
nA
V
m
V
S
A
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
V
GS
= -10V ，我
D
= -42A
V
DS
= -25V ，我
D
= -42A
V
DS
= -55V, V
GS
= 0V
V
DS
= -44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= -20V
V
GS
= 20V
I
D
= -42A
V
DS
= -44V
V
GS
= -10V
V
DD
= -28V
I
D
= -42A
R
G
= 2.6
V
GS
= -10V
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= -1mA
e
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
e
e
铅之间，
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= -25V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= -1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= -44V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至-44V
f
源极 - 漏极额定值和特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
61
150
-42
A
-280
-1.3
92
220
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= -42A ，V
GS
= 0V
的di / dt = -100A / μs的
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
e
T
J
= 25 ° C，I
F
= -42A ，V
DD
= -28V
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
2
www.irf.com
IRF4905S/L
1000
顶部
1000
-ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
-ID ，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
-15V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
-4.5V
顶部
100
底部
VGS
-15V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
-4.5V
10
10
-4.5V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
1
0.1
1
10
100
1000
-4.5V
1
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
10
100
1000
-VDS ，漏极至源极电压（ V）
-VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000.0
40
政府飞行服务队，正向跨导（ S）
TJ = 25°C
-ID ，漏 - 源电流
(Α)
TJ = 25°C
30
TJ = 150℃
20
100.0
TJ = 150℃
10.0
1.0
VDS = -25V
0.1
3
4
5
6
7
8
9
10
10
VDS = -10V
380μs脉宽
0
0
20
40
60
80
-ID ，漏极 - 源极电流（A ）
≤
在60μs脉冲宽度
11 12
13
14
-VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
典型正向跨导
与漏电流
www.irf.com
3
IRF4905S/L
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
1
10
100
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
20
-VGS ，栅 - 源极电压（ V）
ID = -42A
16
C，电容（pF ）
VDS = -44V
VDS = -28V
VDS = -11V
西塞
12
8
科斯
4
CRSS
0
0
40
80
120
160
200
QG总栅极电荷（ NC）
-VDS ，漏极至源极电压（ V）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.0
1000
-ID ，漏极 - 源极电流（A ）
-ISD ，反向漏电流（ A）
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100.0
TJ = 150℃
10.0
100
1msec
100sec
10msec
10
不限按包
1.0
TJ = 25°C
DC
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
1
0
1
10
100
VGS = 0V
0.1
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
-VSD ，源极到漏极电压（V ）
-VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRF4905S/L
80
不限按包
60
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
2.0
ID = -42A
VGS = -10V
-ID ，漏电流（ A）
1.5
40
1.0
20
0
25
50
75
100
125
150
TC ，外壳温度（ ° C）
0.5
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
TJ ，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
1
D = 0.50
热响应（Z thJC ）
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
τ
J
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
τ
C
τ
τ
3
RI（ ° C / W）
τi
（秒）
0.1165 0.000068
0.3734
0.2608
0.002347
0.014811
τ
1
0.01
τ
2
CI-
τi /日
Ci
τi /日
单脉冲
（热反应）
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.01
0.1
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
www.irf.com
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ISL12027IVAZ-T
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    IRF6775MTR1PBF
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