PD - 96120
IRF6725MPbF
IRF6725MTRPbF
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
符合RoHS标准不含铅和溴化物
薄型（ <0.7毫米）
双面冷却兼容
超低封装电感
优化高频开关
理想的CPU内核的DC -DC转换器
优化为Sync.FET和一些控制FET
应用程序？
低传导损耗和开关损耗
兼容现有的表面贴装技术
100 ％通过Rg测试
典型值（除非另有规定）
的DirectFET ？功率MOSFET
R
DS （ ON）
Q
gs2
3.9nC
V
DSS
Q
g
合计
V
GS
Q
gd
11nC
R
DS （ ON）
Q
OSS
21nC
30V最大± 20V最大1.7mΩ @ 10V值为2.4MΩ @ 4.5V
Q
rr
39nC
V
GS （ TH）
1.8V
36nC
MX
MT
MP
的DirectFET ？等距
适用的DirectFET外形及其基材纲要（见p.7,8了解详情）
SQ
SX
ST
MQ
MX
描述
该IRF6725MPbF结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装实现
最低的通态电阻，其具有的MICRO -8和仅0.7毫米轮廓的足迹的软件包。 DirectFET封装的
在功率应用中使用的现有布局的几何形状，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流兼容
焊接技术中，当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。采用DirectFET封装
年龄允许双面冷却，最大限度地电力系统的热传递，由80 ％提高以前的最好的热阻。
该IRF6725MPbF平衡了低阻力和低电荷以及超低封装电感减少了导通和
开关损耗。降低总损耗使这款产品非常适用于高效率的DC -DC转换器提供动力的最新一代
处理器工作于更高的频率。该IRF6725MPbF已经优化了在同步降压关键参数
从12伏总线转换器，包括RDS（ON）和栅极电荷操作，以尽量减少损失。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
E
AS
I
AR
6
典型的RDS （ ON） （ MΩ）
马克斯。
单位
V
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
g
e
e
f
g
h
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
30
±20
28
22
170
220
190
22
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
0
5
10
15
20
25
30
35
ID = 22A
VDS = 24V
VDS = 15V
A
mJ
A
5
4
3
2
1
0
0
5
10
T J = 25°C
ID = 28A
T J = 125°C
15
20
40
VGS ，门-to - 源电压（V ）
图1 。
典型导通电阻与栅极电压
注意事项：
点击此部分链接到相应的技术文件。
点击此部分链接到的DirectFET网站。
表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。
QG ，总栅极电荷（ NC）
图2 。
典型的总栅极电荷与栅极至源极电压
T
C
用热电偶测量安装在顶部的一部分（漏） 。
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.75mH ，R
G
= 25, I
AS
= 22A.
www.irf.com
1
08/14/07
IRF6725MPbF
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.3V
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.3V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
100
底部
1
10
2.3V
0.1
2.3V
≤
在60μs脉冲宽度
0.01
0.1
1
TJ = 25°C
1
100
0.1
1
10
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图4 。
典型的输出特性
1000
VDS = 15V
≤60s
脉冲宽度
100
T J = 150℃
T J = 25°C
T J = -40°C
典型的RDS（on ） （正火）
图5 。
典型的输出特性
2.0
ID = 28A
V GS = 10V
V GS = 4.5V
1.5
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
1.0
1
0.1
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
T J ，结温（ ° C）
图6 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图7 。
归一化的导通电阻与温度的关系
7
6
VGS = 3.5V
VGS = 4.0V
VGS = 4.5V
VGS = 5.0V
VGS = 8.0V
VGS = 10V
T J = 25°C
典型的RDS （ ON） （ MΩ）
OSS = C DS + C GD
C，电容（pF ）
10000
西塞
5
4
3
2
1000
科斯
CRSS
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
1
0
50
100
150
200
图8 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
4
图9 。
典型导通电阻比。
漏电流和栅极电压
ID ，漏电流（ A）
www.irf.com
IRF6725MPbF
1000
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100sec
100
T J = 150℃
T J = 25°C
10
T J = -40°C
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
10
1msec
1
10msec
DC
T A = 25°C
T J = 150℃
1
VGS = 0V
0
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
VSD ，源极到漏极电压（V ）
0.1
单脉冲
0.01
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图10 。
典型的源漏二极管正向电压
典型VGS （ TH）栅极阈值电压（ V）
180
160
140
ID ，漏电流（ A）
Fig11.
最大安全工作区
3.0
2.5
120
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
T C ，外壳温度（ ° C）
2.0
ID = 100μA
ID = 150μA
ID = 1.0毫安
ID = 1.0A
0.5
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T J ，温度（° C）
ID = 250μA
1.0
1.5
图12 。
最大漏极电流与外壳温度
800
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
图13 。
典型的阈值电压与结
温度
ID
顶部
2.1A
2.8A
BOTTOM 22A
700
600
500
400
300
200
100
0
25
50
75
100
125
150
开始T J ，结温（ ° C）
图14 。
最大雪崩能量与漏电流
www.irf.com
5
QQ：2880707522 复制
