PD -97131A
IRF6724MPbF
IRF6724MTRPbF
符合RoHS和无卤素
V
DSS
V
GS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
l
薄型（ <0.7毫米）
30V最大± 20V最大1.9mΩ @ 10V 2.7mΩ @ 4.5V
l
双面冷却兼容
l
超低封装电感
Q
克TOT
Q
gd
Q
gs2
Q
rr
Q
OSS
V
GS （ TH）
l
优化高频开关
33nC
10nC
3.9nC
34nC
20nC
1.8V
l
理想的CPU内核的DC -DC转换器
l
优化同步。同步FET插座。降压转换器？
l
低传导损耗和开关损耗
l
兼容现有的表面贴装技术
l
100 ％通过Rg测试
l
典型值（除非另有规定）
的DirectFET ？功率MOSFET
MX
适用的DirectFET外形及其基材纲要（见p.7,8了解详情）
的DirectFET ？等距
SQ
SX
ST
MQ
MX
MT
MP
描述
该IRF6724MPbF结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装实现
最低的通态电阻中，有一个SO-8和仅0.7毫米轮廓的足迹的软件包。 DirectFET封装兼容
在功率应用中使用的现有布局的几何形状，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流焊接
技术中，当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。 DirectFET封装允许
双面冷却，以最大限度地提高电力系统的热传递，由80 ％提高以前的最好的热阻。
该IRF6724MPbF平衡了低阻力和低电荷以及超低封装电感减少了导通和
开关损耗。降低总损耗使这款产品非常适用于高效率的DC -DC转换器提供动力的最新一代
处理器工作于更高的频率。该IRF6724MPbF已经优化了在同步降压关键参数
其中的Rds（on ） ，栅极电荷和与Cdv / dt的诱导开启免疫力。该IRF6724MPbF提供特别低的RDS（ON）和高与Cdv / DT
免疫力同步FET应用。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
E
AS
I
AR
8
典型的R DS （ ON） （ MΩ）
马克斯。
单位
V
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
g
e
e
f
g
h
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
30
±20
27
21
150
212
12
21
12
10
8
6
4
2
0
0
20
40
60
80
ID = 21A
VDS = 24V
VDS = 15V
A
mJ
A
ID = 27A
6
4
2
0
2.0
4.0
6.0
8.0
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
10.0
TJ = 125°C
TJ = 25°C
100
注意事项：
点击此部分链接到相应的技术文件。
点击此部分链接到的DirectFET网站。
表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。
图1 。
典型导通电阻与栅极电压
QG总栅极电荷（ NC）
图2 。
典型的总栅极电荷VS门 - 源极电压
T
C
用热电偶测量安装在顶部的一部分（漏） 。
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.051mH中，R
G
= 25, I
AS
= 21A.
04/30/09
www.irf.com
1
IRF6724MPbF
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.8V
2.5V
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.8V
2.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
10
2.5V
1
10
2.5V
≤60s
脉冲宽度
TJ = 25°C
0.1
0.1
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
≤60s
脉冲宽度
TJ = 150℃
1
0.1
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图4 。
典型的输出特性
1000
2.0
图5 。
典型的输出特性
ID = 27A
ID ，漏 - 源电流
(Α)
VGS = 4.5V
典型的RDS（on ） （正火）
100
TJ = 150℃
TJ = 25°C
10
TJ = -40°C
VGS = 10V
1.5
1.0
1
VDS = 10V
≤60s
脉冲宽度
0.1
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
TJ ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图6 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
图7 。
归一化的导通电阻与温度的关系
6
VGS = 3.5V
VGS = 4.0V
VGS = 4.5V
VGS = 5.0V
VGS = 10V
10000
西塞
典型的RDS （ ON） （ MΩ）
COSS =硫化镉+ Cgd的
5
C，电容（pF ）
4
1000
科斯
CRSS
3
2
TJ = 25°C
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
1
0
20
40
60
80
100
图8 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图9 。
典型导通电阻比。
漏电流和栅极电压
ID ，漏电流（ A）
4
www.irf.com
基准的MOSFET
产品选择指南
对于IR的MOSFET的完整列表，请访问www.irf.com/product-info/hexfet
电源管理的领先者
基准的MOSFET |选型指南
MOSFET的广泛的产品组合针对多个细分市场
产业
电源
主要区别
行业品牌领导者的MOSFET
领先的高性能MOSFET的
行业质量信誉
广泛的产品组合
最多样化的封装可达250V
消费/数据
处理
主要产品
分立HEXFET
MOSFET的
双HEXFET
MOSFET的
FETKY
对于车用MOSFET的完整列表，请访问www.irf.com
功率QFN
特点
行业的品牌领导者
MOSFET
基准热
性能
低R
DS （ ON）
的DirectFET
大罐
的DirectFET
介质
的DirectFET
大30 ％
死了比
D
2
PAK
和60％的
在还原
电路板空间
同一芯片
大小
D-白，
54%
在还原
电路板空间
D
2
PAK
D- PAK
PQFN 5×6
小可
的DirectFET
小40 ％
脚印
比
SO-8
SO-8
国际整流器公司的DirectFET
功率封装是一个突破
表面贴装功率MOSFET封装技术设计
高效的顶部冷却，结合改进的底侧
冷却后，将新的程序包可以在两侧切割部分被冷却
算由最高达60％ ，并且多达50 ％，相比之下，电路板空间
设备在标准或增强型SO - 8封装。
红外优势
有竞争力的
DS （ ON）
相比第四季度取得了09
国际整流器公司将发布一个广阔
投资组合在早期CY10 PQFN基准MOSFET的。
提高电流密度
由60 ％减少MOSFET的元件数量
降低50％的PCB空间
高达50 ℃的较低的操作温度
提高可靠性
更低的系统总成本
超低封装电阻和
电感
业界最低的导通电阻
兼容现有的表面贴装
技术
双面冷却出众
热性能
有关国际整流器公司的MOSFET和其他产品的其他信息，请致电+1.800.981.8699或+49.6102.884.311或访问我们的
www.irf.com
N沟道MOSFET
电压
(V)
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
24
24
24
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
40
40
R
DS （ ON）
@10Vgs
最大
(mΩ)
4.0
4.4
5.7
6.0
7.9
8.4
11
11
15
16
1.0
1.5
1.65
1.15
1.25
1.6
1.6
2.1
2.7
3.0
4.9
5.7
5.9
6.0
7.8
8.7
1.4
1.7
1.7
1.85
2.1
2.2
2.4
2.5
2.8
3.1
3.2
3.3
3.3
3.5
3.8
4.8
4.8
4.8
5.8
6.0
6.3
7.1
7.3
7.7
7.7
8.0
8.1
8.4
8.5
8.5
8.7
8.7
8.9
9.5
11.9
12.4
13.8
1.0
1.4
R
DS （ ON）
@4.5Vgs
最大
(mΩ)
5.5
5.7
7.8
7.3
11.1
11.4
15.5
15.5
25
26
I
D
@
T
C
=
25°C
(A)
120
20
93
92
67
60
49
50
37
36
429
353
340
45
220
180
180
166
95
68
81
37
51
39
57
94
100
180
180
100
100
170
235
150
160
150
104
76
150
76
92
86
105
87
42
60
56
56
35
44
65
34
62
58
59
29
43
270
380
11
12
46
220
120
I
D
@典型的Qg典型的Qg
@
@
T
A
=
25℃ 10Vgs 4.5Vgs
(A)
（ NC ） （ NC ）
21
22
18
16
8.7
9.3
7.2
7.0
4.5
4.8
180
160
160
110
的DirectFET
PQFN 5×6
产品型号
布局
2
SO-8
D- PAK
IRLR3717PBF
D
2
PAK
D
2
PAK-7
TO-220
TO-247
IRF3717PBF
IRFR3711ZPBF
IRF3711ZSPBF
IRF3704ZSPBF
IRFR3704ZPBF
IRLR3715ZPBF
IRL3715ZSPBF
IRLR3714ZPBF
IRL3714ZSPBF
IRF1324S-7PPBF
IRF1324PBF
IRF1324SPBF
IRL3714ZPBF
IRL3715ZPBF
IRF3711ZPBF
IRF3704ZPBF
1.75
2.1
2.6
2.7
3.4
3.7
4.6
8.7
8.5
11.9
10.9
13.5
12.9
7.4
2.1
2.4
2.4
2.9
3.5
3.2
3.5
3.8
3.9
4.2
3.9
4.5
5.1
4.5
6.8
6.8
6.8
8.0
7.1
7.8
11.8
10.9
10.8
10.8
12.8
13.3
11.8
12.5
12.5
13
16
11.9
12.5
17.5
17.9
18.2
1.7
100
38
39
34
29
25
22
17
12
14.5
12
52
46
39
40
29
25
21
12
10
8.8
8.1
6.8
IRFH5250TRPBF
1
IRF6717MTRPBF
IRF6716MTRPBF
IRF6715MTRPBF
IRF6714MTRPBF
IRF6713STRPBF
IRF6712STRPBF
IRF6710S2TRPBF
IRF6709S2TRPBF
MX
MX
MX
MX
IRF8252PBF
SQ
SQ
IRLR8256PBF
S1
IRFH5255TRPBF
1
S1
IRLR8259PBF
IRLR8113PBF
IRFH5300TRPBF
1
IRF6727MTRPBF
IRF6726MTRPBF
MX
MT
IRFH5301TRPBF
1
IRFH5302TRPBF
1
IRF6725MTRPBF
IRF6724MTRPBF
MX
IRF2903ZSPBF
IRF2903ZPBF
MX
IRF8788PBF
IRLR8743PBF
IRLB8743PBF
1
IRFH7932TRPBF
IRF7862PBF
IRFH7934TRPBF IRF8734PBF
IRL7833SPBF
IRF8736PBF
IRFH7936TRPBF
IRLB8748PBF
1
IRLR8726PBF
IRL8113SPBF
IRF3709ZSPBF
IRFH3702TRPBF
3
IRF6721STRPBF
IRF6722MTRPBF
IRF6722STRPBF
IRF6720S2TRPBF
SQ
MP
ST
S1
IRFH5306TRPBF
1
IRLR8721PBF
IRF8721PBF
IRFH7921TRPBF
IRF8714PBF
IRLB8721PBF
1
IRLR8729PBF
IRF3707ZSPBF
IRF8707PBF
IRFH3707TRPBF
3
IRLR7807ZPBF
IRF7739L2TRPBF
1
L8
IRLS3034-7PPBF
IRF3707ZPBF
IRL8113PBF
IRF3709ZPBF
IRL7833PBF
7.0
40
32
32
35
32
28
27
24
22
120
77
76
160
50
49
51
37
29
36
33
44
39
36
34
30
20
32
17
17
15
15
23
17
9.6
11
11
11
7.9
78
8.5
8.3
9.3
8.1
7.6
10
9.7
6.2
5.4
7.0
24
21
24
18
20
16
14
13
13
11
15
14
15
14
这些部件是沟道MOSFET和应在开关电源的应用中使用。有关IR的包的更多信息，请访问www.irf.com/package
1
新产品
2
有关完整的安装指南，请参考应用笔记AN- 1035的DirectFET布局在www.irf.com/package
3
PQFN 3x3的
N沟道MOSFET
电压
(V)
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
55
55
55
55
55
55
55
55
55
55
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
60
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
80
80
80
80
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
R
DS （ ON）
@10Vgs
最大
(mΩ)
1.6
1.7
1.7
1.75
2.0
2.3
3.1
3.4
3.7
4.9
5.0
5.0
5.5
5.5
8.3
9.0
2.6
6.5
7.5
11
11
8.0
13.5
13.9
24.5
58
1.5
1.75
1.9
2.1
2.4
3.0
4.2
7.0
8.4
9.4
11
15.8
1.85
2.3
2.6
3.0
3.3
3.8
4.1
4.5
5.8
9.0
16
22
9.5
13.4
15
15
2.6
3.5
3.9
4.0
4.3
4.5
4.7
6.0
9.0
13
14
14
18
R
DS （ ON）
@4.5Vgs
最大
(mΩ)
I
D
@
T
C
=
25°C
(A)
320
350
343
340
270
270
180
150
180
130
106
119
120
55
77
240
110
91
61
62
89
60
51
30
16
200
340
300
293
270
210
160
86
79
67
43
350
160
260
230
210
180
170
170
120
80
53
45
68
I
D
@典型的Qg典型的Qg
@
@
T
A
=
25℃ 10Vgs 4.5Vgs
(A)
（ NC ） （ NC ）
170
220
108
160
160
160
23
100
18
19
59
68
19
30
130
76
63
64
40
44
23
29
18
6.6
33
200
160
110
200
91
120
85
36
46
26
24
22
380
200
160
160
160
170
120
180
79
56
50
34
36
27
35
22
360
200
93
150
87
150
143
120
83
35
90
34
8.3
28
IRF7853PBF
IRLS4030PBF
IRFS4010PBF
IRFS4310ZPBF
IRFS4410ZPBF
IRF6644TRPBF
MN
IRFS4610PBF
IRLR3110ZPBF
IRFB4610PBF
IRLS3036PBF
IRFS3206PBF
IRFS3306PBF
IRF6648TRPBF
MN
IRFR1018EPBF
IRF7855PBF
IRF6674TRPBF
MZ
IRFR3806PBF
IRF7759L2TRPBF
1
L8
IRFS3107-7PPBF
IRFS3107PBF
IRFB3077PBF IRFP3077PBF
IRF2907ZS-7PPBF
IRFS3207ZPBF
IRFS3307ZPBF
IRFS3607PBF
IRFB3207ZPBF
IRFP2907ZPBF
IRFR3607PBF
IRFR2307ZPBF
IRFR2607ZPBF
IRF6646TRPBF
MN
IRF7854PBF
IRF7493PBF
IRF6668TRPBF
IRF7769L2TRPBF
1
MZ
IRFP4468PBF
L8
IRLS4030-7PPBF
IRFS4010-7PPBF
IRLB4030PBF
IRFB4110PBF IRFP4110PBF
IRFB4310ZPBF IRFP4310ZPBF
IRFB4410ZPBF IRFP4410ZPBF
IRFB3307ZPBF
IRFB3607PBF
IRFS3806PBF
IRFB3806PBF
IRFP4368PBF
IRF1018ESPBF
IRF1018EPBF
IRF7749L2TRPBF
1
L8
IRFS3006PBF
IRLS3036-7PPBF
IRFS3006-7PPBF
IRLB3036PBF
IRFB3206PBF IRFP3206PBF
IRFB3306PBF IRFP3306PBF
IRFB3006PBF
40
33
29
IRLR3114ZPBF
IRF7842PBF
IRF6616TRPBF
MX
IRFR4104PBF
IRF4104SPBF
IRF6614TRPBF
ST
IRFR3504ZPBF
IRF3805S-7PPBF
IRF3205ZSPBF
IRFR1010ZPBF
IRFZ48ZSPBF
IRFR48ZPBF
IRLR3705ZPBF
IRLR2905ZPBF
IRFZ44ZSPBF
IRFR4105ZPBF
IRLR024ZPBF
IRFZ44ZPBF
IRFZ48ZPBF
IRF3205ZPBF
IRF4104PBF
75
42
IRF6613TRPBF
MT
IRF1404ZSPBF
IRF1404ZPBF
IRLS3034PBF
IRFS3004PBF
1
IRF2804SPBF
IRL1404ZSPBF
的DirectFET
产品型号
布局
2
PQFN 5×6
SO-8
D- PAK
D
2
PAK
D
2
PAK-7
IRF2804S-7PPBF
TO-220
TO-247
2.0
IRFP4004PBF
IRLB3034PBF IRLP3034PBF
IRFB3004PBF
1
IRF2804PBF
IRL1404ZPBF
5.9
4.1
6.5
5.9
6.2
9.9
12.7
12
22.5
100
2.2
2.8
12
13.4
26
12
10
9.3
4.1
4.5
16
55
290
124
190
190
180
180
180
127
97
60
73
63
20
10.3
这些部件是沟道MOSFET和应在开关电源的应用中使用。有关IR的包的更多信息，请访问www.irf.com/package
新产品
2
有关完整的安装指南，请参考应用笔记AN- 1035的DirectFET布局在www.irf.com/package
1
N沟道MOSFET
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
I
D
@
电压@ 10Vgs @ 4.5Vgs牛逼
C
=
(V)
最大
最大
25°C
(mΩ)
(mΩ)
(A)
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
250
250
250
250
250
250
18
18
22
22
26.5
35
62
62
72.5
190
5.9
11
11
11.8
12.1
15
15.5
31
34.5
39
42
43
44
56
95
9.7
20
22
25
26
55
60
72.5
78
79
100
100
33
33
38
45
46
48
56
59
47
36
25
14.4
19
18
8.7
171
67
104
105
99
83
78
56
35
35
33
7.3
8.3
5.7
4.1
4.2
I
D
@典型的Qg典型的Qg
@
@
T
A
=
25℃ 10Vgs 4.5Vgs
(A)
（ NC ） （ NC ）
69
82
34
22
42
14
8.3
8.7
15
6.9
151
97
77
73
77
71
71
33
39
26
26
25
35
25
13
161
100
100
70
70
36
34
25
25
39
18
26
99
99
110
72
72
72
的DirectFET
产品型号
布局
2
PQFN 5×6
SO-8
D- PAK
IRFR3710ZPBF
D
2
PAK
D
2
PAK-7
TO-220
TO-247
IRF3710ZSPBF
IRF7495PBF
IRF6662TRPBF
IRF6645TRPBF
IRF7665S2TRPBF
1
IRF6655TRPBF
MZ
IRF540ZSPBF
SJ
SH
IRF3710ZPBF
IRF540ZPBF
IRFB4212PBF
IRFR120ZPBF
IRFP4568PBF
IRF7779L2TRPBF
1
11
L8
IRFB4115PBF
IRFS4115-7PPBF
IRFS4115PBF
IRFS4321PBF
IRFH5015TRPBF
1
IRFB4321PBF
IRFP4321PBF
10
6.2
IRF6643TRPBF
MZ
IRFB4615PBF
IRFR4615PBF
IRF7815TRPBF
1
IRF7494PBF
IRFS4615PBF
28
17
130
76
72
65
62
43
26
25
24
18
19
57
60
35
44
46
45
5.1
5.1
4.9
IRF6775MTRPBF
MZ
IRFB4019PBF
IRFP4668PBF
IRFB4127PBF
IRFS4127PBF
IRFP4227PBF
IRFS4227PBF
IRFH5020TRPBF
1
IRFB4227PBF
5.1
4.6
IRF6641TRPBF
MZ
IRFB4620PBF
IRFR4620PBF
IRF7492PBF
IRFB4020PBF
IRFS4620PBF
3.7
2.7
IRF6785MTRPBF
MZ
IRFP4332PBF
IRFB4332PBF
6.6
IRF7799L2TRPBF
1
L8
IRFP4229PBF
IRFB4229PBF
IRFS4229PBF
双N沟道MOSFET
电压
(V)
25
30
30
30
60
RDS （ ON） @ 10Vgs最大
(mΩ)
11.3
3.0
8.6
12.7
15.5
15.5
17.8
RDS （ ON） @ 4.5Vgs最大
(mΩ)
15.4
4.0
14.5
16.9
22.2
21.6
CON组fi guration
独立的对称
非对称半桥
非对称半桥
独立非对称
独立的对称
QG典型值
（ NC ）
9.5
34
8.3
7.6
5.7
6.0
24
PQFN 5×6
SO-8
TSSOP-8
IRF8852TRPBF
1
IRFH7911TRPBF
1
IRF8513PBF
IRF8313PBF
IRF7351PBF
1
N沟道MOSFET SOT- 23
电压
(V)
30
30
60
60
100
RDS （ ON） @ 10Vgs最大
(mΩ)
27
100
92
460
220
RDS （ ON） @ 4.5Vgs最大
(mΩ)
40
154
116
620
235
I
D
@ TA = 25℃
(A)
5.2
2.7
2.7
1.5
1.6
QG典型值
（ NC ）
2.6
1.0
2.5
0.4
2.5
SOT-23
IRLML0030TRPBF
1
IRLML2030TRPBF
1
IRLML0060TRPBF
1
IRLML2060TRPBF
1
IRLML0100TRPBF
1
对于SOT- 23器件的完整列表，请访问www.irf.com
这些部件是沟道MOSFET和应在开关电源的应用中使用。有关IR的包的更多信息，请访问www.irf.com/package
1
新产品
2
有关完整的安装指南，请参考应用笔记AN- 1035的DirectFET布局在www.irf.com/package
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