应用
l
对于双共漏控制的MOSFET
多相DC- DC转换器
IRF6723M2DTRPbF
IRF6723M2DTR1PbF
典型值（除非另有规定）
PD - 97441
的DirectFET ？功率MOSFET
R
DS （ ON）
Q
gs2
1.2nC
特点
替换两个分立MOSFET
优化高频开关
薄型（ <0.7毫米）
l
双面冷却兼容
l
超低封装电感
l
兼容现有的表面贴装
技术
l
符合RoHS标准，
无卤
l
100 ％通过Rg测试
l
l
l
V
DSS
Q
g
合计
V
GS
Q
gd
3.3nC
R
DS （ ON）
Q
OSS
6.3nC
30V最大± 20V最大5.2mΩ @ 10V 8.6mΩ @ 4.5V
Q
rr
17nC
V
GS （ TH）
1.8V
9.4nC
G1
G2
D
S1
S2
D
适用的DirectFET外形及其基材大纲
S1
S2
SB
M2
M4
MA
L4
L6
的DirectFET ？等距
L8
描述
该IRF6723M2DPbF结合的高端应用进行了优化成一个单一的中罐DirectFET封装中有两个MOSFET开关。
该交换机具有低栅极电阻和低电荷以及超低封装电感开关提供显著降低
损失。减少损失，使这款产品非常适合高效率的多相DC- DC转换器提供动力的最新一代
处理器工作于更高的频率。
该IRF6723M2DPbF结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装
实现为两个MOSFET的最高功率密度中，有一个SO-8和仅0.7毫米轮廓的足迹的软件包。采用DirectFET
包是在电力应用中使用现有的几何布局，PCB组装设备和汽相兼容红外线或
对流焊接技术中，当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。该
DirectFET封装允许双面冷却，以最大限度地提高电力系统的热传递，改善以往的最佳热阻
80%.
绝对最大额定值（每个管芯连续运行）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
马克斯。
30
±20
15
13
47
130
71
12
单位
V
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
E
AS
I
AR
25
典型的RDS （ ON） （ MΩ）
g
e
e
f
A
g
h
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
mJ
A
20
15
10
5
0
2
4
6
8
T J = 25°C
10
12
14
ID = 15A
14.0
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
0
ID = 12A
VDS = 24V
VDS = 15V
T J = 125°C
16
18
20
5
10
15
20
25
VGS ，门-to - 源电压（V ）
图1 。
典型导通电阻与栅极电压
注意事项：
QG总栅极电荷（ NC）
图2 。
典型的总栅极电荷VS门 - 源极电压
点击此部分链接到相应的技术文件。
点击此部分链接到的DirectFET网站。
表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。
T
C
用热电偶测量安装在顶部的一部分（漏） 。
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.99mH ，R
G
= 25, I
AS
= 12A.
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1
12/16/09
IRF6723M2DTR/TR1PbF
绝对最大额定值（每个管芯连续运行）
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
P
D
@T
C
= 25°C
T
P
T
J
T
英镑
功耗
功耗
功耗
峰值焊接温度
工作结
存储温度范围
e
e
f
参数
马克斯。
2.7
1.9
25
270
-55 + 175
单位
W
°C
热电阻（每个管芯连续运行）
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJC
R
θJ -PCB
结到环境
结到环境
结到环境
结到外壳
结到PCB安装
线性降额因子
el
jl
kl
fl
参数
典型值。
–––
12.5
20
–––
1.0
0.018
马克斯。
56
–––
–––
5.9
–––
单位
° C / W
e
W / ℃，
100
D = 0.50
热响应（Z thJA ）
10
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
R
1
R
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
R
4
R
4
τ
A
τ
2
τ
3
τ
4
τ
4
τ
A
1
RI（ ° C / W）
3.1440
23.201
19.855
9.7220
0.000878
0.291662
1.970485
0.027200
τi
（秒）
0.1
CI-
τi /日
CI-
τi /日
0.01
单脉冲
（热反应）
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthja +锝
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图3 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
注意事项：
安装在最小的占用空间全尺寸板金属化
表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。
T
C
同的部分热电偶inContact公司与顶部（漏极）进行测定。背部和小夹散热器。
R
θ
的测量是在
T
J
大约90 ℃。
二手双面散热，安装垫大的散热器。
表面安装1英寸方铜
板（静止空气中） 。
安装在最小的占用空间全尺寸板金属化
背部和小夹散热器。 （静止空气中）
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3
IRF6723M2DTR/TR1PbF
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.8V
2.5V
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.8V
2.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
100
底部
1
10
0.1
2.5V
0.01
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
1
2.5V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
1
10
100
10
100
0.1
VDS ，漏极至源极电压（ V）
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图4 。
典型的输出特性
1000
VDS = 15V
≤60s
脉冲宽度
100
典型的RDS（on ） （正火）
图5 。
典型的输出特性
2.0
ID = 15A
V GS = 10V
V GS = 4.5V
1.5
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
1.0
1
T J = 175℃
T J = 25°C
T J = -40°C
1
2
3
4
5
6
0.1
0.5
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，结温（ ° C）
图6 。
典型的传输特性
10000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图7 。
归一化的导通电阻与温度的关系
22
20
18
VGS = 3.5V
VGS = 4.0V
VGS = 4.5V
VGS = 5.0V
VGS = 10V
T J = 25°C
典型的RDS （ ON） （ MΩ）
OSS = C DS + C GD
C，电容（pF ）
16
14
12
10
8
6
4
西塞
1000
科斯
CRSS
100
0.1
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
0
25
50
75
100
125
150
图8 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图9 。
典型导通电阻比。
漏电流和栅极电压
ID ，漏电流（ A）
4
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IRF6723M2DTR/TR1PbF
1000
1000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100
T J = 175℃
T J = 25°C
10
T J = -40°C
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
100sec
1msec
10
DC
1
VGS = 0V
0
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
VSD ，源极到漏极电压（V ）
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
0
1
10msec
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图10 。
典型的源漏二极管正向电压
50
图11 。
最大安全工作区
典型VGS （ TH）栅极阈值电压（ V）
3.0
40
ID ，漏电流（ A）
2.5
30
2.0
20
1.5
ID = 25μA
ID = 250μA
1.0
ID = 1.0毫安
ID = 1.0A
0.5
-75 -50 -25 0
25 50 75 100 125 150 175 200
T J ，温度（° C）
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
图12 。
最大漏极电流与外壳温度
80
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
政府飞行服务队，正向跨导（ S）
图13 。
典型的阈值电压与结
温度
300
ID
顶部
1.9A
3.0A
BOTTOM 12A
T J = 25°C
60
250
200
150
100
50
0
40
T J = 175℃
20
V DS = 15V
380μs脉宽
2
0
0
10
20
30
40
25
50
75
100
125
150
175
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
开始T J ，结温（ ° C）
图14 。
典型值。正向跨导主场迎战漏电流
图15 。
最大雪崩能量与漏电流
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5
QQ：2881677436 复制
