PD - 96137
IRF6722SPbF
IRF6722STRPbF
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
符合RoHS标准不含铅和溴化物
薄型（ <0.7毫米）
双面冷却兼容
超低封装电感
优化高频开关
理想的CPU内核的DC -DC转换器
优化控制FET的应用？
低传导损耗和开关损耗
兼容现有的表面贴装技术
100 ％通过Rg测试
典型值（除非另有规定）
的DirectFET ？功率MOSFET
R
DS （ ON）
Q
gs2
1.2nC
V
DSS
Q
g
合计
V
GS
Q
gd
4.1nC
R
DS （ ON）
Q
OSS
11nC
30V最大± 20V最大4.7MΩ @ 10V 8.0mΩ @ 4.5V
Q
rr
30nC
V
GS （ TH）
1.9V
11nC
ST
适用的DirectFET外形及其基材纲要（见p.7,8了解详情）
SQ
SX
ST
MQ
MX
MT
MP
的DirectFET ？等距
描述
该IRF6722SPbF结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装实现
最低的通态电阻，其具有的MICRO -8和仅0.7毫米轮廓的足迹的软件包。 DirectFET封装的
在功率应用中使用的现有布局的几何形状，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流兼容
焊接技术中，当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。采用DirectFET封装
年龄允许双面冷却，最大限度地电力系统的热传递，由80 ％提高以前的最好的热阻。
该IRF6722SPbF平衡了低阻力和低电荷以及超低封装电感减少了导通和
开关损耗。降低总损耗使这款产品非常适用于高效率的DC -DC转换器提供动力的最新一代
处理器工作于更高的频率。该IRF6722SPbF已经优化了在同步降压关键参数
从12伏总线转换器，包括RDS（ON）和栅极电荷操作，以尽量减少损失。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
E
AS
I
AS
20
典型的RDS （ ON） （ MΩ）
马克斯。
单位
V
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
g
e
e
f
g
h
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
30
±20
13
11
58
110
82
11
14
12
10
8
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
24
ID = 11A
VDS = 24V
VDS = 15V
A
mJ
A
ID = 13A
15
10
5
0
2
4
6
8
T J = 25°C
10
12
14
16
18
20
TJ = 125°C
28
VGS ，门-to - 源电压（V ）
图1 。
典型导通电阻与栅极电压
注意事项：
点击此部分链接到相应的技术文件。
点击此部分链接到的DirectFET网站。
表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。
QG总栅极电荷（ NC）
图2 。
典型的总栅极电荷与栅极至源极电压
T
C
用热电偶测量安装在顶部的一部分（漏） 。
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
起始物为
J
= 25℃时，L = 1.45mH ，R
G
= 25, I
AS
= 11A.
www.irf.com
1
11/12/07
IRF6722SPbF
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.8V
2.5V
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.8V
2.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
10
10
2.5V
1
1
2.5V
≤
在60μs脉冲宽度
0.1
0.1
1
TJ = 25°C
10
0.1
100
1000
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
10
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图4 。
典型的输出特性
1000
VDS = 15V
≤60s
脉冲宽度
100
T J = 150℃
10
T J = 25°C
T J = -40°C
典型的RDS（on ） （正火）
图5 。
典型的输出特性
2.0
ID = 13A
V GS = 10V
V GS = 4.5V
1.5
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
1.0
1
0.1
1
2
3
4
5
6
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
T J ，结温（ ° C）
图6 。
典型的传输特性
10000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图7 。
归一化的导通电阻与温度的关系
30
25
VGS = 3.5V
VGS = 4.0V
VGS = 4.5V
VGS = 5.0V
VGS = 8.0V
VGS = 10V
T J = 25°C
典型的RDS （ ON） （ MΩ）
OSS = C DS + C GD
C，电容（pF ）
20
15
10
5
0
西塞
1000
科斯
CRSS
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
20
40
60
80
100
120
图8 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图9 。
典型导通电阻比。
漏电流和栅极电压
ID ，漏电流（ A）
4
www.irf.com
QQ：2880707522 复制
