PD - 97224A
IRF6646PbF
IRF6646TRPbF
的DirectFET ？功率MOSFET
符合RoHS
l
无铅（合格高达260 °C回流温度）
l
专用的MOSFET
l
非常适用于高性能隔离式转换器
主开关插座
l
优化同步整流
l
低传导损耗
l
高与Cdv / dt抗扰性
l
薄型（ <0.7毫米）
l
双面冷却兼容
l
兼容现有的表面贴装技术
l
典型值（除非另有规定）
V
DSS
Q
g
合计
V
GS
Q
gd
12nC
R
DS （ ON）
80V最大± 20V最大
7.6mΩ @ 10V
Q
gs2
2.0nC
Q
rr
48nC
Q
OSS
18nC
V
GS （ TH）
3.8V
36nC
MN
MT
MN
的DirectFET ？等距
适用的DirectFET外形及其基材纲要（见p.7,8了解详情）
SQ
SX
ST
MQ
MX
描述
该IRF6646PbF结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装实现
最低的通态电阻中，有一个SO-8和仅0.7毫米轮廓的足迹的软件包。 DirectFET封装兼容
在功率应用中使用的现有布局的几何形状，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流焊接
技术。应用笔记AN- 1035之后就制造方法和过程。 DirectFET封装允许双
双面冷却，以最大限度地提高电力系统的热传递，由80 ％提高以前的最好的热阻。
该IRF6646PbF是为隔离式DC -DC应用原边桥拓扑结构的优化，为48V （ ± 10 ％）或36V至60V的输入ETSI
电压范围的系统，也是理想的二次侧同步整流的稳压隔离DC- DC拓扑结构。减少
在加上热性能的高层次的设备总损失可实现高效率和低的温度，这是关键
系统可靠性的改进，使该器件非常适用于高性能隔离式DC -DC转换器。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
E
AS
I
AR
0.05
典型的RDS（on ） （ Ω ）
马克斯。
单位
V
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
g
e
e
f
g
h
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
80
±20
12
9.6
68
96
230
7.2
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
0
10
20
30
ID = 7.2A
VDS = 40V
VDS = 16V
A
mJ
A
0.04
0.03
0.02
0.01
0
4
T J = 25°C
6
8
10
12
T J = 125°C
ID = 7.2A
14
16
40
VGS ，门-to - 源电压（V ）
图1 。
典型导通电阻与栅极电压
注意事项：
点击此部分链接到相应的技术文件。
点击此部分链接到的DirectFET网站。
表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。
图2 。
QG总栅极电荷（ NC）
典型的总栅极电荷与栅极 - 源
电压
T
C
用热电偶测量安装在顶部的一部分（漏） 。
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
起始物为
J
= 25℃时，L = 8.8mH ，R
G
= 25, I
AS
= 7.2A.
www.irf.com
1
08/24/06
IRF6646PbF
100
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
100
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
底部
6.0V
底部
10
6.0V
10
≤
在60μs脉冲宽度
1
0.1
1
TJ = 25°C
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
0.1
1
10
100
10
100
图4 。
典型的输出特性
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图5 。
典型的输出特性
2.0
ID = 12A
VGS = 10V
典型的RDS（on ） （正火）
ID ，漏 - 源电流
(Α)
VDS = 10V
≤60s
脉冲宽度
100
T J = 150℃
10
T J = 25°C
T J = -40°C
1.5
1.0
1
0.5
0.1
3
V
4
5
6
7
8
，栅 - 源极电压（ V）
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
T J ，结温（ ° C）
图6 。
典型
GS
传输特性
10000
图7 。
归一化的导通电阻与温度的关系
45
40
35
典型的RDS（on ） （
)
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
T J = 25°C
VGS = 7.0V
VGS = 8.0V
VGS = 10V
VGS = 15V
C，电容（pF ）
西塞
1000
30
25
20
15
10
科斯
CRSS
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
5
0
10
30
50
70
90
110
ID ，漏电流（ A）
图8 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图9 。
典型导通电阻与漏电流
4
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