【PD - 97122A的DirectFET ？功率MOSFET符合RoHSl无铅（合格高达260 °】,IC型号IRF6633APBF,IRF6633APBF PDF资料,IRF6633APBF经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 97122A

的DirectFET ？功率MOSFET

符合RoHS

l

无铅（合格高达260 °C回流温度）

l

专用的MOSFET

l

理想的CPU内核的DC -DC转换器

l

低传导损耗和开关损耗

l

薄型（ <0.7毫米）

l

双面冷却兼容

l

兼容现有的表面贴装技术

l

IRF6633APbF

IRF6633ATRPbF

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

Q

OSS

8.5nC

典型值（除非另有规定）

V

DSS

20V最大

V

GS

Q

gd

3.9nC

± 20V最大4.1mΩ @ 10V 7.0mΩ @ 4.5V

Q

g

合计

Q

gs2

1.7nC

Q

rr

33nC

V

GS （ TH）

1.8V

11nC

MU

适用的DirectFET外形及其基材纲要（见p.7,8了解详情）

SQ

SX

ST

MQ

MX

MT

MU

的DirectFET ？等距

描述

该IRF6633APbF结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET

TM

包装实现

最低的通态电阻中，有一个SO8的覆盖区和只0.7毫米信息包。 DirectFET封装兼容

在功率应用中使用的现有布局的几何形状，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流焊接

技术中，当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。 DirectFET封装允许

双面冷却，以最大限度地提高电力系统的热传递，由80 ％提高以前的最好的热阻。

该IRF6633APbF平衡了低阻力和低电荷以及超低封装电感减少了导通和

开关损耗。降低总损耗使这款产品非常适用于高效率的DC -DC转换器提供动力的最新一代

处理器工作于更高的频率。该IRF6633APbF已经优化了在同步降压关键参数

从12伏总线转换器，包括RDS（ON）和栅极电荷操作，以尽量减少损失。

绝对最大额定值

参数

V

DS

V

GS

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

D

@ T

C

= 25°C

I

DM

E

AS

I

AR

20

典型的R DS （ ON）（ MΩ）

马克斯。

单位

V

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

g

e

f

g

h

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

20

±20

16

13

69

130

65

13

12

10

8

6

4

2

0

5

10

15

20

25

ID = 13A

VDS = 16V

VDS = 10V

A

mJ

A

ID = 16A

15

10

TJ = 125°C

5

TJ = 25°C

0

2.0

4.0

6.0

8.0

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

10.0

30

注意事项：

点击此部分链接到相应的技术文件。

点击此部分链接到的DirectFET网站。

表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。

图1 。

典型导通电阻与栅极电压

QG总栅极电荷（ NC）

图2 。

典型的总栅极电荷VS门 - 源极电压

T

C

用热电偶测量安装在顶部的一部分（漏）。

重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。

起始物为

J

= 25℃时，L = 0.77mH ，R

G

= 25Ω, I

AS

= 13A.

www.irf.com

1

3/13/08

IRF6633APbF

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

BV

DSS

ΔΒV

DSS

/ΔT

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

ΔV

GS （ TH）

/ΔT

J

I

DSS

I

GSS

政府飞行服务队

Q

g

Q

gs1

Q

gs2

Q

gd

Q

godr

Q

sw

Q

OSS

R

G

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

栅极阈值电压系数

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

正向跨导

总栅极电荷

预Vth的栅极 - 源极充电

后Vth的栅极至源电荷

栅极 - 漏极电荷

栅极电荷过载

切换电荷（Q

gs2

+ Q

gd

)

输出充电

栅极电阻

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

20

–––

1.4

–––

31

–––

TYP 。 MAX 。单位

–––

14

4.1

7.0

1.8

-5.0

–––

11

2.0

1.7

3.9

3.4

5.6

8.5

1.5

6.9

13

8.4

7.7

1410

680

250

–––

5.6

9.4

2.2

–––

1.0

150

100

-100

–––

17

–––

pF

V

GS

= 0V

V

DS

= 10V

= 1.0MHz的

ns

nC

Ω

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250μA

V

毫伏/ ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 16A

i

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 13A

i

V

毫伏/°C的

μA

nA

S

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

V

DS

= 10V ，我

D

= 13A

V

DS

= 10V

nC

V

GS

= 4.5V

I

D

= 13A

参见图。 15

V

DS

= 10V, V

GS

= 0V

V

DD

= 16V, V

GS

= 4.5V

i

I

D

= 13A

R

G

= 1.8

Ω

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250μA

二极管的特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

连续源电流

@T

C

= 25 ° C（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

g

–––

0.8

20

33

1.0

30

50

V

ns

nC

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

分钟。

–––

TYP 。 MAX 。单位

–––

69

A

130

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 13A ，V

GS

= 0V

i

T

J

= 25 ° C，I

F

= 13A

的di / dt = 500A / μs的

i

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

2

www.irf.com

IRF6633APbF

绝对最大额定值

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

A

= 70°C

P

D

@T

C

= 25°C

T

P

T

J

T

英镑

功耗

峰值焊接温度

工作结

存储温度范围

e

f

参数

马克斯。

2.3

1.5

42

270

-40 + 150

单位

W

°C

热阻

R

θJA

R

θJA

R

θJA

R

θJC

R

θJ -PCB

结到环境

结到外壳

结到PCB安装

线性降额因子

el

jl

kl

fl

参数

典型值。

–––

12.5

20

–––

1.0

0.018

马克斯。

55

–––

3.0

–––

单位

° C / W

e

W / ℃，

100

D = 0.50

热响应（Z thJA ）

10

0.20

0.10

0.05

1

0.02

0.01

τ

J

τ

J

τ

1

τ

1

R

1

R

1

τ

2

R

2

R

2

R

3

R

3

τ

a

τ

2

τ

3

τ

3

τ

0.1

CI-

τi /日

RI（ ° C / W）

τι

（秒）

6.713214 0.003276

28.70184 0.9822

19.59917

41.2

单脉冲

（热反应）

0.01

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

0.01

0.1

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthja +锝

1

10

100

图3 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

注意事项：

二手双面散热，安装垫大的散热器。

安装在最小的占用空间全尺寸板金属化

背部和小夹散热器。

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

R

θ

的测量是在

T

J

大约90 ℃。

表面安装1英寸方铜

（静止空气中）。

安装到印刷电路板

同

小夹子散热器（静止空气中）

安装在最小

足迹全尺寸板

金属化背部和小

夹散热器（静止空气中）

www.irf.com

3

IRF6633APbF

1000

顶部

VGS

10V

5.0V

4.5V

4.0V

3.5V

3.0V

2.8V

2.5V

1000

顶部

VGS

10V

5.0V

4.5V

4.0V

3.5V

3.0V

2.8V

2.5V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

10

2.5V

1

2.5V

≤60μs

脉冲宽度

TJ = 25°C

0.1

1

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

1

0.1

1

≤60μs

脉冲宽度

TJ = 150℃

10

100

图4 。

典型的输出特性

1000

2.0

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图5 。

典型的输出特性

ID = 16A

VGS = 4.5V

VGS = 10V

ID ，漏 - 源电流

(Α)

100

TJ = 150℃

TJ = 25°C

10

TJ = -40°C

典型的RDS（on ）（正火）

1.5

1.0

1

VDS = 10V

0.1

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

≤60μs

脉冲宽度

0.5

-60 -40 -20 0

20 40 60 80 100 120 140 160

TJ ，结温（ ° C）

图6 。

典型的传输特性

10000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路

CRSS = Cgd的

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

图7 。

归一化的导通电阻与温度的关系

18

TJ = 25°C

典型的RDS （ ON）（ MΩ）

COSS =硫化镉+ Cgd的

C，电容（pF ）

14

VGS = 3.5V

VGS = 4.0V

VGS = 4.5V

VGS = 5.0V

VGS = 10V

西塞

1000

科斯

10

CRSS

100

1

10

VDS ，漏极至源极电压（ V）

100

6

2

0

20

40

60

80

100

图8 。

典型的电容vs.Drain - to-Source电压

图9 。

典型导通电阻比。

漏电流和栅极电压

ID ，漏电流（ A）

4

www.irf.com

IRF6633APbF

1000.0

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

ISD ，反向漏电流（ A）

100.0

TJ = 150℃

TJ = 25°C

TJ = -40°C

100

1msec

10

100μsec

10.0

1.0

VGS = 0V

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

VSD ，源极到漏极电压（V ）

1

TA = 25°C

TJ = 150℃

单脉冲

0.1

1.0

10msec

0.1

10.0

100.0

VDS ，漏toSource电压（V ）

图10 。

典型的源漏二极管正向电压

典型VGS （ TH）栅极阈值电压（ V）

Fig11.

最大安全工作区

2.0

70

60

ID ，漏电流（ A）

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

150

TC ，外壳温度（ ° C）

ID = 250μA

1.5

1.0

0.5

-75

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

TJ ，结温（ ° C）

图12 。

最大漏极电流与外壳温度

240

图13 。

典型的阈值电压与结

温度

ID

EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）

200

1.45A

1.8A

底部

13A

顶部

160

120

80

40

0

25

50

75

100

125

150

开始TJ ，结温（ ° C）

图14 。

最大雪崩能量与漏电流

www.irf.com

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