PD - 97234
IRF6628PbF
IRF6628TRPbF
的DirectFET ？功率MOSFET
典型值（除非另有规定）
符合RoHS
V
DSS
V
GS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
l
无铅（合格高达260 °C回流温度）
l
专用的MOSFET
25V最大± 20V最大1.9mΩ @ 10V 2.5mΩ @ 4.5V
l
理想的CPU内核的DC -DC转换器
Q
克TOT
Q
gd
Q
gs2
Q
rr
Q
OSS
V
GS （ TH）
l
低传导损耗
31nC
12nC
4.1nC
26nC
21nC
1.9V
l
高与Cdv / dt抗扰性
l
薄型（ <0.7毫米）
l
双面冷却兼容
l
兼容现有的表面贴装技术
l
MX
适用的DirectFET外形及其基材纲要（见p.7,8了解详情）
SQ
SX
ST
MQ
MX
MT
MP
的DirectFET ？等距
描述
该IRF6628PbF结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装实现
最低的通态电阻中，有一个SO-8和仅0.6毫米轮廓的足迹的软件包。 DirectFET封装兼容
在功率应用中使用的现有布局的几何形状，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流焊接
技术中，当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。 DirectFET封装允许
双面冷却，以最大限度地提高电力系统的热传递，由80 ％提高以前的最好的热阻。
该IRF6628PbF平衡了低阻力和低电荷以及超低封装电感减少了导通和
开关损耗。降低总损耗使这款产品非常适用于高效率的DC -DC转换器提供动力的最新一代
处理器工作于更高的频率。该IRF6628PbF已经优化了在同步降压关键参数
其中的Rds（on ） ，栅极电荷和与Cdv / dt的诱导开启免疫力。该IRF6628PbF提供特别低的RDS（ON）和高与Cdv / DT
免疫力同步FET应用。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
E
AS
I
AR
10
典型的RDS（on ） （M
)
马克斯。
单位
V
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
g
e
e
f
g
h
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
25
±20
27
22
160
220
38
22
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
0
10
20
30
VDS = 20V
VDS = 13V
A
mJ
A
ID = 22A
8
6
4
2
0
3
T J = 25°C
4
5
6
7
8
9
T J = 125°C
ID = 27A
VDS = 5.0V
10
11
40
VGS ，门-to - 源电压（V ）
注意事项：
点击此部分链接到相应的技术文件。
点击此部分链接到的DirectFET网站。
表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。
图1 。
典型导通电阻与栅极电压
QG总栅极电荷（ NC）
图2 。
典型的总栅极电荷VS门 - 源极电压
T
C
用热电偶测量安装在顶部的一部分（漏） 。
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.16mH ，R
G
= 25, I
AS
= 22A.
www.irf.com
1
07/11/06
IRF6628PbF
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.8V
2.5V
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.8V
2.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
10
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
2.5V
10
2.5V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
1
0.1
0.1
1
10
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
0.1
1
10
100
1000
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图4 。
典型的输出特性
1000
VDS = 15V
≤60s
脉冲宽度
100
T J = 150℃
T J = 25°C
T J = -40°C
典型的RDS（on ） （正火）
图5 。
典型的输出特性
2.0
ID = 27A
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
1.5
V GS = 10V
10
1.0
1
V GS = 4.5V
0.5
0.1
1
2
3
4
5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
图6 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T J ，结温（ ° C）
图7 。
归一化的导通电阻与温度的关系
20
18
16
典型的RDS （ ON） （ MΩ）
OSS = C DS + C GD
C，电容（pF ）
10000
西塞
科斯
CRSS
14
12
10
8
6
4
2
VGS = 3.5V
VGS = 4.0V
VGS = 4.5V
VGS = 5.0V
VGS = 10V
TJ = 25°C
1000
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
0
50
100
150
200
250
图8 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图9 。
典型导通电阻比。
漏电流和栅极电压
ID ，漏电流（ A）
4
www.irf.com
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