PD - 97199
IRF6622
的DirectFET ？功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
l
l
l
符合RoHS标准不含铅和溴化物
薄型（ <0.6毫米）
双面冷却兼容
超低封装电感
优化高频开关
理想的CPU内核的DC -DC转换器
优化控制FET插座
低传导损耗和开关损耗
兼容现有的表面贴装技术
典型值（除非另有规定）
V
DSS
Q
g
合计
V
GS
Q
gd
3.8nC
R
DS （ ON）
Q
gs2
1.6nC
R
DS （ ON）
Q
OSS
7.7nC
25V最大± 20V最大4.9mΩ @ 10V 6.8mΩ @ 4.5V
Q
rr
7.1nC
V
GS （ TH）
1.8V
11nC
SQ
适用的DirectFET外形及其基材纲要（见p.7,8了解详情）
SQ
SX
ST
MQ
MX
MT
MP
的DirectFET ？等距
描述
该IRF6622结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装，实现了
最低合并的通态电阻和栅极电荷在具有类似的一个微型8的占用面积，并且仅0.6毫米信息包。
该IRF6622平衡了低阻力和低电荷以及超低封装电感减少了导通和开关
损失。减小的总损耗，使这种产品适合于高效率的DC- DC转换器供电的最新一代的处理器
工作在较高的频率。该IRF6622已经优化了在同步降压包括RDS（ON）的关键参数，
栅极电荷。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
E
AS
I
AR
20
典型的RDS（on ） （M
)
马克斯。
单位
V
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
g
e
e
f
g
h
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
25
±20
15
12
59
120
13
12
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
0
2
4
6
8
10
12
VDS = 20V
VDS = 13V
A
mJ
A
ID = 12A
15
10
5
T J = 25°C
0
3
4
5
6
7
ID = 15A
VDS = 5.0V
T J = 125°C
8
9
14
VGS ，门-to - 源电压（V ）
注意事项：
点击此部分链接到相应的技术文件。
点击此部分链接到的DirectFET网站。
表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。
图1 。
典型导通电阻与栅极电压
QG总栅极电荷（ NC）
图2 。
典型的总栅极电荷VS门 - 源极电压
T
C
用热电偶测量安装在顶部的一部分（漏） 。
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.18mH ，R
G
= 25, I
AS
= 12A.
www.irf.com
1
04/04/06
IRF6622
绝对最大额定值
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
P
D
@T
C
= 25°C
T
P
T
J
T
英镑
功耗
功耗
功耗
峰值焊接温度
工作结
存储温度范围
f
参数
马克斯。
2.2
1.4
34
270
-40 + 150
单位
W
°C
热阻
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJC
R
θJ -PCB
结到环境
结到环境
结到环境
结到外壳
结到PCB安装
线性降额因子
g
dg
eg
fg
参数
典型值。
–––
12.5
20
–––
1.0
0.017
马克斯。
58
–––
–––
3.7
–––
单位
° C / W
W / ℃，
100
D = 0.50
热响应（Z thJA ）
10
0.20
0.10
0.05
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
R
4
R
4
τ
4
R
5
R
5
τ
A
τ
1
τ
2
τ
3
τ
4
τ
5
τ
5
τ
A
RI（ ° C / W）
1.620
2.141
22.289
20.046
11.914
τi
（秒）
0.000126
0.001354
0.375850
7.41
99
1
0.02
0.01
τ
J
CI-
τi /日
CI-
τi /日
0.1
单脉冲
（热反应）
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthja +锝
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图3 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
注意事项：
表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。
二手双面散热，安装垫。
安装在最小的占用空间全尺寸板金属化
背部和小夹散热器。
T
C
同的部分热电偶inContact公司与顶部（漏极）进行测定。
R
θ
的测量是在
T
J
大约90 ℃。
表面安装1英寸方形铜（尚
空气） 。
安装到印刷电路板
同
小夹子散热器（静止空气中）
安装在最小
足迹全尺寸板
金属化背部和小
夹散热器（静止空气中）
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3
IRF6622
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.8V
2.5V
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.8V
2.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
100
底部
10
底部
1
2.5V
10
2.5V
1
0.1
≤
在60μs脉冲宽度
0.01
0.1
1
TJ = 25°C
10
100
1000
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
10
100
1000
图4 。
典型的输出特性
1000
VDS = 15V
≤60s
脉冲宽度
100
T J = 150℃
10
T J = 25°C
T J = -40°C
1
VDS ，漏极至源极电压（ V）
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图5 。
典型的输出特性
2.0
ID = 15A
典型的RDS（on ） （正火）
ID ，漏 - 源电流
(Α)
1.5
V GS = 10V
1.0
V GS = 4.5V
0.5
0.1
1
2
3
4
5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
图6 。
典型的传输特性
10000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T J ，结温（ ° C）
图7 。
归一化的导通电阻与温度的关系
50
T J = 25°C
40
典型的RDS （ ON） （ MΩ）
OSS = C DS + C GD
C，电容（pF ）
西塞
1000
科斯
CRSS
30
VGS = 3.5V
VGS = 4.0V
VGS = 4.5V
VGS = 5.0V
VGS = 10V
20
10
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
0
20
40
60
80
100
120
图8 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图9 。
典型导通电阻比。
漏电流和栅极电压
ID ，漏电流（ A）
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的DirectFET ？功率MOSFET
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符合RoHS标准不含铅和溴化物
薄型（ <0.6毫米）
双面冷却兼容
超低封装电感
优化高频开关
理想的CPU内核的DC -DC转换器
优化控制FET插座
低传导损耗和开关损耗
兼容现有的表面贴装技术
典型值（除非另有规定）
V
DSS
Q
g
合计
V
GS
Q
gd
3.8nC
R
DS （ ON）
Q
gs2
1.6nC
R
DS （ ON）
Q
OSS
7.7nC
25V最大± 20V最大4.9mΩ @ 10V 6.8mΩ @ 4.5V
Q
rr
7.1nC
V
GS （ TH）
1.8V
11nC
SQ
适用的DirectFET外形及其基材纲要（见p.7,8了解详情）
SQ
SX
ST
MQ
MX
MT
MP
的DirectFET ？等距
描述
该IRF6622结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装，实现了
最低合并的通态电阻和栅极电荷在具有类似的一个微型8的占用面积，并且仅0.6毫米信息包。
该IRF6622平衡了低阻力和低电荷以及超低封装电感减少了导通和开关
损失。减小的总损耗，使这种产品适合于高效率的DC- DC转换器供电的最新一代的处理器
工作在较高的频率。该IRF6622已经优化了在同步降压包括RDS（ON）的关键参数，
栅极电荷。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
E
AS
I
AR
20
典型的RDS（on ） （M
)
马克斯。
单位
V
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
g
e
e
f
g
h
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
25
±20
15
12
59
120
13
12
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
0
2
4
6
8
10
12
VDS = 20V
VDS = 13V
A
mJ
A
ID = 12A
15
10
5
T J = 25°C
0
3
4
5
6
7
ID = 15A
VDS = 5.0V
T J = 125°C
8
9
14
VGS ，门-to - 源电压（V ）
注意事项：
点击此部分链接到相应的技术文件。
点击此部分链接到的DirectFET网站。
表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。
图1 。
典型导通电阻与栅极电压
QG总栅极电荷（ NC）
图2 。
典型的总栅极电荷VS门 - 源极电压
T
C
用热电偶测量安装在顶部的一部分（漏） 。
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.18mH ，R
G
= 25, I
AS
= 12A.
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04/04/06
IRF6622
绝对最大额定值
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
P
D
@T
C
= 25°C
T
P
T
J
T
英镑
功耗
功耗
功耗
峰值焊接温度
工作结
存储温度范围
f
参数
马克斯。
2.2
1.4
34
270
-40 + 150
单位
W
°C
热阻
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJC
R
θJ -PCB
结到环境
结到环境
结到环境
结到外壳
结到PCB安装
线性降额因子
g
dg
eg
fg
参数
典型值。
–––
12.5
20
–––
1.0
0.017
马克斯。
58
–––
–––
3.7
–––
单位
° C / W
W / ℃，
100
D = 0.50
热响应（Z thJA ）
10
0.20
0.10
0.05
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
R
4
R
4
τ
4
R
5
R
5
τ
A
τ
1
τ
2
τ
3
τ
4
τ
5
τ
5
τ
A
RI（ ° C / W）
1.620
2.141
22.289
20.046
11.914
τi
（秒）
0.000126
0.001354
0.375850
7.41
99
1
0.02
0.01
τ
J
CI-
τi /日
CI-
τi /日
0.1
单脉冲
（热反应）
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthja +锝
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图3 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
注意事项：
表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。
二手双面散热，安装垫。
安装在最小的占用空间全尺寸板金属化
背部和小夹散热器。
T
C
同的部分热电偶inContact公司与顶部（漏极）进行测定。
R
θ
的测量是在
T
J
大约90 ℃。
表面安装1英寸方形铜（尚
空气） 。
安装到印刷电路板
同
小夹子散热器（静止空气中）
安装在最小
足迹全尺寸板
金属化背部和小
夹散热器（静止空气中）
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IRF6622
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.8V
2.5V
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.8V
2.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
100
底部
10
底部
1
2.5V
10
2.5V
1
0.1
≤
在60μs脉冲宽度
0.01
0.1
1
TJ = 25°C
10
100
1000
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
10
100
1000
图4 。
典型的输出特性
1000
VDS = 15V
≤60s
脉冲宽度
100
T J = 150℃
10
T J = 25°C
T J = -40°C
1
VDS ，漏极至源极电压（ V）
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图5 。
典型的输出特性
2.0
ID = 15A
典型的RDS（on ） （正火）
ID ，漏 - 源电流
(Α)
1.5
V GS = 10V
1.0
V GS = 4.5V
0.5
0.1
1
2
3
4
5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
图6 。
典型的传输特性
10000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T J ，结温（ ° C）
图7 。
归一化的导通电阻与温度的关系
50
T J = 25°C
40
典型的RDS （ ON） （ MΩ）
OSS = C DS + C GD
C，电容（pF ）
西塞
1000
科斯
CRSS
30
VGS = 3.5V
VGS = 4.0V
VGS = 4.5V
VGS = 5.0V
VGS = 10V
20
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100
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VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
0
20
40
60
80
100
120
图8 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图9 。
典型导通电阻比。
漏电流和栅极电压
ID ，漏电流（ A）
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