基准的MOSFET
产品选择指南
对于IR的MOSFET的完整列表，请访问www.irf.com/product-info/hexfet
电源管理的领先者
基准的MOSFET |选型指南
MOSFET的广泛的产品组合针对多个细分市场
产业
电源
主要区别
行业品牌领导者的MOSFET
领先的高性能MOSFET的
行业质量信誉
广泛的产品组合
最多样化的封装可达250V
消费/数据
处理
主要产品
分立HEXFET
MOSFET的
双HEXFET
MOSFET的
FETKY
对于车用MOSFET的完整列表，请访问www.irf.com
功率QFN
特点
行业的品牌领导者
MOSFET
基准热
性能
低R
DS （ ON）
的DirectFET
大罐
的DirectFET
介质
的DirectFET
大30 ％
死了比
D
2
PAK
和60％的
在还原
电路板空间
同一芯片
大小
D-白，
54%
在还原
电路板空间
D
2
PAK
D- PAK
PQFN 5×6
小可
的DirectFET
小40 ％
脚印
比
SO-8
SO-8
国际整流器公司的DirectFET
功率封装是一个突破
表面贴装功率MOSFET封装技术设计
高效的顶部冷却，结合改进的底侧
冷却后，将新的程序包可以在两侧切割部分被冷却
算由最高达60％ ，并且多达50 ％，相比之下，电路板空间
设备在标准或增强型SO - 8封装。
红外优势
有竞争力的
DS （ ON）
相比第四季度取得了09
国际整流器公司将发布一个广阔
投资组合在早期CY10 PQFN基准MOSFET的。
提高电流密度
由60 ％减少MOSFET的元件数量
降低50％的PCB空间
高达50 ℃的较低的操作温度
提高可靠性
更低的系统总成本
超低封装电阻和
电感
业界最低的导通电阻
兼容现有的表面贴装
技术
双面冷却出众
热性能
有关国际整流器公司的MOSFET和其他产品的其他信息，请致电+1.800.981.8699或+49.6102.884.311或访问我们的
www.irf.com
N沟道MOSFET
电压
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40
40
R
DS （ ON）
@10Vgs
最大
(mΩ)
4.0
4.4
5.7
6.0
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8.4
11
11
15
16
1.0
1.5
1.65
1.15
1.25
1.6
1.6
2.1
2.7
3.0
4.9
5.7
5.9
6.0
7.8
8.7
1.4
1.7
1.7
1.85
2.1
2.2
2.4
2.5
2.8
3.1
3.2
3.3
3.3
3.5
3.8
4.8
4.8
4.8
5.8
6.0
6.3
7.1
7.3
7.7
7.7
8.0
8.1
8.4
8.5
8.5
8.7
8.7
8.9
9.5
11.9
12.4
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1.0
1.4
R
DS （ ON）
@4.5Vgs
最大
(mΩ)
5.5
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7.3
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15.5
15.5
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I
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@
T
C
=
25°C
(A)
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I
D
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@
@
T
A
=
25℃ 10Vgs 4.5Vgs
(A)
（ NC ） （ NC ）
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18
16
8.7
9.3
7.2
7.0
4.5
4.8
180
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160
110
的DirectFET
PQFN 5×6
产品型号
布局
2
SO-8
D- PAK
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D
2
PAK
D
2
PAK-7
TO-220
TO-247
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IRL3715ZPBF
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2.1
2.6
2.7
3.4
3.7
4.6
8.7
8.5
11.9
10.9
13.5
12.9
7.4
2.1
2.4
2.4
2.9
3.5
3.2
3.5
3.8
3.9
4.2
3.9
4.5
5.1
4.5
6.8
6.8
6.8
8.0
7.1
7.8
11.8
10.9
10.8
10.8
12.8
13.3
11.8
12.5
12.5
13
16
11.9
12.5
17.5
17.9
18.2
1.7
100
38
39
34
29
25
22
17
12
14.5
12
52
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25
21
12
10
8.8
8.1
6.8
IRFH5250TRPBF
1
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MX
MX
MX
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SQ
MP
ST
S1
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1
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32
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24
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49
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33
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39
36
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20
32
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17
15
15
23
17
9.6
11
11
11
7.9
78
8.5
8.3
9.3
8.1
7.6
10
9.7
6.2
5.4
7.0
24
21
24
18
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14
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13
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这些部件是沟道MOSFET和应在开关电源的应用中使用。有关IR的包的更多信息，请访问www.irf.com/package
1
新产品
2
有关完整的安装指南，请参考应用笔记AN- 1035的DirectFET布局在www.irf.com/package
3
PQFN 3x3的
N沟道MOSFET
电压
(V)
40
40
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40
40
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75
75
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80
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100
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100
100
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100
100
100
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1.7
1.7
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3.4
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5.0
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5.5
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2.6
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11
11
8.0
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58
1.5
1.75
1.9
2.1
2.4
3.0
4.2
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8.4
9.4
11
15.8
1.85
2.3
2.6
3.0
3.3
3.8
4.1
4.5
5.8
9.0
16
22
9.5
13.4
15
15
2.6
3.5
3.9
4.0
4.3
4.5
4.7
6.0
9.0
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14
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R
DS （ ON）
@4.5Vgs
最大
(mΩ)
I
D
@
T
C
=
25°C
(A)
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350
343
340
270
270
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150
180
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119
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77
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89
60
51
30
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170
170
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80
53
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I
D
@典型的Qg典型的Qg
@
@
T
A
=
25℃ 10Vgs 4.5Vgs
(A)
（ NC ） （ NC ）
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220
108
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160
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23
100
18
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6.6
33
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160
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200
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85
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360
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150
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8.3
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1
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IRL1404ZSPBF
的DirectFET
产品型号
布局
2
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SO-8
D- PAK
D
2
PAK
D
2
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TO-220
TO-247
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100
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2.8
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26
12
10
9.3
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16
55
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124
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190
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10.3
这些部件是沟道MOSFET和应在开关电源的应用中使用。有关IR的包的更多信息，请访问www.irf.com/package
新产品
2
有关完整的安装指南，请参考应用笔记AN- 1035的DirectFET布局在www.irf.com/package
1
N沟道MOSFET
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
I
D
@
电压@ 10Vgs @ 4.5Vgs牛逼
C
=
(V)
最大
最大
25°C
(mΩ)
(mΩ)
(A)
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200
200
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200
200
200
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250
250
250
250
250
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18
22
22
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62
62
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11
11
11.8
12.1
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43
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95
9.7
20
22
25
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60
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79
100
100
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33
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48
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59
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14.4
19
18
8.7
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104
105
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83
78
56
35
35
33
7.3
8.3
5.7
4.1
4.2
I
D
@典型的Qg典型的Qg
@
@
T
A
=
25℃ 10Vgs 4.5Vgs
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77
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26
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100
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70
70
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34
25
25
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26
99
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110
72
72
72
的DirectFET
产品型号
布局
2
PQFN 5×6
SO-8
D- PAK
IRFR3710ZPBF
D
2
PAK
D
2
PAK-7
TO-220
TO-247
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IRF7495PBF
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SH
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IRF540ZPBF
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IRFS4115-7PPBF
IRFS4115PBF
IRFS4321PBF
IRFH5015TRPBF
1
IRFB4321PBF
IRFP4321PBF
10
6.2
IRF6643TRPBF
MZ
IRFB4615PBF
IRFR4615PBF
IRF7815TRPBF
1
IRF7494PBF
IRFS4615PBF
28
17
130
76
72
65
62
43
26
25
24
18
19
57
60
35
44
46
45
5.1
5.1
4.9
IRF6775MTRPBF
MZ
IRFB4019PBF
IRFP4668PBF
IRFB4127PBF
IRFS4127PBF
IRFP4227PBF
IRFS4227PBF
IRFH5020TRPBF
1
IRFB4227PBF
5.1
4.6
IRF6641TRPBF
MZ
IRFB4620PBF
IRFR4620PBF
IRF7492PBF
IRFB4020PBF
IRFS4620PBF
3.7
2.7
IRF6785MTRPBF
MZ
IRFP4332PBF
IRFB4332PBF
6.6
IRF7799L2TRPBF
1
L8
IRFP4229PBF
IRFB4229PBF
IRFS4229PBF
双N沟道MOSFET
电压
(V)
25
30
30
30
60
RDS （ ON） @ 10Vgs最大
(mΩ)
11.3
3.0
8.6
12.7
15.5
15.5
17.8
RDS （ ON） @ 4.5Vgs最大
(mΩ)
15.4
4.0
14.5
16.9
22.2
21.6
CON组fi guration
独立的对称
非对称半桥
非对称半桥
独立非对称
独立的对称
QG典型值
（ NC ）
9.5
34
8.3
7.6
5.7
6.0
24
PQFN 5×6
SO-8
TSSOP-8
IRF8852TRPBF
1
IRFH7911TRPBF
1
IRF8513PBF
IRF8313PBF
IRF7351PBF
1
N沟道MOSFET SOT- 23
电压
(V)
30
30
60
60
100
RDS （ ON） @ 10Vgs最大
(mΩ)
27
100
92
460
220
RDS （ ON） @ 4.5Vgs最大
(mΩ)
40
154
116
620
235
I
D
@ TA = 25℃
(A)
5.2
2.7
2.7
1.5
1.6
QG典型值
（ NC ）
2.6
1.0
2.5
0.4
2.5
SOT-23
IRLML0030TRPBF
1
IRLML2030TRPBF
1
IRLML0060TRPBF
1
IRLML2060TRPBF
1
IRLML0100TRPBF
1
对于SOT- 23器件的完整列表，请访问www.irf.com
这些部件是沟道MOSFET和应在开关电源的应用中使用。有关IR的包的更多信息，请访问www.irf.com/package
1
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2
有关完整的安装指南，请参考应用笔记AN- 1035的DirectFET布局在www.irf.com/package
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